Infineon Ikw30n60h3fksa1

Отличный выбор! IKW30N60H3FKSA1 — это высоковольтный, высокоскоростной IGBT-транзистор с кремниевым диодом в одном корпусе (транзистор + антипараллельный диод), разработанный Infineon для эффективных и надежных инверторных решений.

Краткое описание

IKW30N60H3FKSA1 принадлежит к семейству H3 (третье поколение) IGBT от Infineon, известному своим оптимальным балансом между низкими потерями проводимости (Vce_sat) и высокой скоростью переключения. Ключевая особенность — встроенный антипараллельный ультрабыстрый диод (Emitter Controlled Diode), который минимизирует обратное восстановление (Qrr) и снижает коммутационные потери в инверторных схемах. Это делает его идеальным для приложений, где важна эффективность и частота.

Основное назначение: Преобразование энергии в системах с жестким переключением (hard switching). Ключевое преимущество: Низкие общие потери (проводимость + переключение) благодаря технологии TrenchStop.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 600 В | Стандартное для сетевых напряжений 380В / 400В | | Ток коллектора (при Tc=100°C) | I_C = 30 А | Непрерывный ток при заданной температуре корпуса | | Ток коллектора импульсный | I_CM = 60 А | Максимальный кратковременный ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) ≈ 1.65 В (тип., при I_C=30А, V_GE=15В) | Низкое значение — ключевой плюс для снижения потерь проводимости | | Энергия включения/выключения | E_on ≈ 1.0 мДж, E_off ≈ 0.35 мДж (тип.) | Низкие коммутационные потери | | Заряд обратного восстановления диода | Q_rr ≈ 0.45 мкКл (тип.) | Очень низкое значение — снижает помехи и потери | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC = 0.75 К/Вт | Хорошая способность к отводу тепла | | Максимальная температура перехода | T_j max = 175 °C | | | Напряжение затвор-эмиттер | V_GE = ±20 В (макс.), рекомендуемое = ±15 В | | | Ёмкость затвора | C_ies ≈ 930 пФ | | | Тип корпуса | TO-247-3 | Классический, удобный для монтажа и охлаждения |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот компонент может иметь различные маркировки в зависимости от упаковки и ленты. Прямые аналоги от Infineon:

• IKW30N60H3 — базовая часть номера, часто используется для обозначения семейства.
• IKW30N60H3FKSA1 — полный номер, где, как правило, F указывает на корпус TO-247, а KSA1 — на упаковку (катушка/пакет) и версию.

Совместимые и аналогичные модели (от Infineon и других брендов)

При выборе аналога важно смотреть на V_CES, I_C, V_CE(sat), корпус и наличие встроенного диода.

Аналоги от Infineon (схожего или следующего поколения):

• IKW30N60T (из более старого поколения TrenchStop). Внимание: У него выше V_CE(sat) и потери переключения.
• IKW30N60H3 (тот же чип, возможна небольшая вариация в маркировке упаковки).
• IKW30N65EH5 (более новое поколение H5, 650В, с еще более низкими потерями). Часто является рекомендуемой заменой для новых разработок.
• IKW30N65ES5 (поколение S5, оптимизировано для мягкого переключения, например, в LLC-резонансных схемах).

Аналоги от других производителей (требуют проверки даташитов и распиновки):

• STMicroelectronics: STGW30H60DF (IGBT + диод, 600В, 60А, TO-247) или STGW30NC60WD.
• Fuji Electric: 2MBI300VN-060-50 (модуль, но по параметрам) или дискретные серии R-серии.
• ON Semiconductor: FGH30N60LSD (аналогичные параметры, IGBT + диод).
• Mitsubishi Electric: CM300DY-24NF (модуль).

Типичные области применения

• Силовые инверторы: для солнечных инверторов, ИБП (UPS).
• Приводы двигателей: частотные преобразователи, сервоприводы.
• Сварочное оборудование: инверторные сварочные аппараты.
• Импульсные источники питания: особенно топологии с жестким переключением (мостовые, полумостовые схемы).

Важные замечания при замене

1. Встроенный диод: Обязательно проверьте, есть ли он в аналоге. Замена на IGBT без диода потребует установки внешнего диода.
2. Параметры переключения: Даже при совпадении напряжений и токов, E_on/E_off и Q_rr могут сильно отличаться, что повлияет на эффективность и нагрев.
3. Характеристики затвора: Рекомендуемые напряжения и резисторы в цепи затвора (Rg) могут различаться.
4. Распиновка: Всегда сверяйте цоколевку (pinout) корпуса TO-247.

Рекомендация: Для новой разработки рассмотрите более новые поколения Infineon, такие как H5 или S5. Для прямой замены в существующей схеме IKW30N60H3FKSA1 является оптимальным выбором благодаря своему сбалансированному профилю потерь. Перед заменой всегда изучайте актуальный даташит (Datasheet) на конкретную модель.