Infineon IKW50N60H3FKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для транзистора Infineon IKW50N60H3FKSA1.

Общее описание

IKW50N60H3FKSA1 — это N-канальный功率 MOSFET (Power MOSFET) в корпусе TO-247, разработанный для высокоэффективных и надежных силовых приложений. Он является частью линейки H3 от Infineon, которая характеризуется оптимизацией потерь проводимости и коммутации, что делает его отличным выбором для жестких условий работы.

Ключевая особенность: Этот транзистор использует передовую технологию Infineon's TRENCHSTOP™ H3. Она обеспечивает лучшее соотношение между низким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg), что приводит к снижению потерь проводимости и коммутации, и, как следствие, к более высокой общей эффективности системы.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в корректорах коэффициента мощности (PFC) и LLC-резонансных преобразователях.
• Инверторы для солнечной энергии и ИБП (источники бесперебойного питания).
• Промышленные приводы и двигатели.
• Сварочное оборудование.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | | Корпус | TO-247 | Стандартный силовой корпус. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Основной параметр, определяющий область применения по напряжению. | | Постоянный ток стока (I_D) | 50 А | При температуре корпуса 25°C. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.058 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 25 А. Ключевой параметр для потерь проводимости. | | Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В. Важный параметр для расчета потерь на переключение и выбора драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th))| 3 - 5 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 330 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Диод обратного восстановления | Встроенный быстрый диод (Body Diode) | Позволяет работать с индуктивными нагрузками. | | Время обратного восстановления (t_rr) | 110 нс (тип.) | Характеристика встроенного диода. | | Рабочая температура перехода (T_j)| от -55 до +175 °C | |

Полный парт-номер (Part Number) и аналоги от Infineon

• Основной номер: IKW50N60H3FKSA1
  • IKW — серия (TO-247 корпус).
  • 50 — номинальный ток (50A).
  • N60 — напряжение 600В, N-канальный.
  • H3 — поколение технологии (TRENCHSTOP™ H3).
  • F — обозначает быстрый встроенный диод.
  • KSA1 — версия/опции упаковки.

Прямые аналоги в других корпусах от Infineon (с теми же кристаллом и характеристиками):

• TO-220: IPW50N60H3FKSA1
• TO-220 FullPAK (изолированный): IPW50R060H3FKSA1 (обратите внимание на немного другое обозначение "R060")
• D²PAK (TO-263): IPD50N60H3FKSA1

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

При поиске аналога (прямой замены) необходимо учитывать V_DSS, I_D, R_DS(on), Q_g, корпус и динамические характеристики. Полностью идентичных моделей нет, но есть близкие по параметрам и применению.

Рекомендуется искать по ключевым параметрам: "600V 50A MOSFET TO-247 Low Rds(on)".

Примеры моделей от других производителей:

1. STMicroelectronics:

   • STW50N60M6 — также оптимизирован для низких потерь, технология MDmesh™ M6.
   • STP50N60M6 (в TO-220) — аналог в другом корпусе.

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP50N60 — SuperFET MOSFET с хорошим балансом параметров.
   • Более старые серии, такие как FQA50N60, также могут подходить, но с другими динамическими характеристиками.

3. IXYS (Littelfuse):

   • IXFH50N60P — MOSFET с низким Rds(on).

4. Vishay Siliconix:

   • SUP50N06-18 (например) — необходимо проверять конкретные параметры, так как нумерация отличается.

Важные замечания по замене и совместимости:

• Не является pin-to-pin заменой для IGBT. Хотя корпус одинаковый (TO-247), управление и характеристики IGBT (например, IKW50N60T) и MOSFET принципиально разные.
• Проверка схемы управления: При замене на аналог от другого производителя обязательно нужно:
  • Сравнить заряд затвора (Q_g). Если он значительно отличается, драйвер затвора может не справиться, что приведет к перегреву и выходу из строя.
  • Убедиться в совпадении порогового напряжения (V_GS(th)).
  • Проверить характеристики встроенного диода (особенно t_rr и Q_rr), если он активно используется в работе (например, в мостовых схемах).
• Тепловой режим: Даже при схожих электрических параметрах тепловое сопротивление (R_thJC) может отличаться, что повлияет на необходимый теплоотвод.

Вывод: Infineon IKW50N60H3FKSA1 — это высококачественный, современный силовой MOSFET для требовательных применений в диапазоне 600В/50А. Для гарантированной замены лучшим вариантом являются его прямые аналоги от Infineon в других корпусах. При выборе аналога от другого бренда необходим тщательный анализ параметров и, желательно, тестирование в реальной схеме.