Infineon IKW50N65EH5

Отличный выбор! IKW50N65EH5 — это мощный и надежный транзистор от Infineon, широко используемый в импульсных источниках питания, системах управления двигателями и инверторах. Вот подробное описание и технические данные.

Краткое описание

IKW50N65EH5 — это N-канальный MOSFET с суперстеком (Super Junction) технологии CoolMOS™ E5. Ключевые преимущества этой серии:

• Высокая эффективность: Благодаря рекордно низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)) и улучшенным динамическим характеристикам.
• Высокая надежность: Усовершенствованная технология обеспечивает исключительную стойкость к лавинным нагрузкам и широкий диапазон безопасной работы (SOA).
• Оптимизация для жесткого переключения (Hard Switching): Идеально подходит для топологий, где ключевой момент приходится на пик тока и напряжения (например, прямоходовые преобразователи, мостовые схемы).
• Встроенный обратный диод (Body Diode): Обладает хорошими характеристиками восстановления, что важно для индуктивных нагрузок.

Основное назначение: Применяется в сетевых источниках питания (SMPS) мощностью 1-3 кВт, ИБП, сварочном оборудовании, серверных блоках питания, промышленных инверторах.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | CoolMOS™ E5 | | Структура корпуса | TO-247 | Стандартный мощный корпус | | Напряжение сток-исток (VDSS) | 650 В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток стока (ID @ 25°C) | 50 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 200 А | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.055 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 25 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 120 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера | | Время включения (td(on) / tr) | 11 нс / 55 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) / tf) | 60 нс / 26 нс (тип.) | | | Встроенный обратный диод | Есть | Прямое напряжение VSD ≈ 1.3 В |

Ключевые особенности:

• Высокая стойкость к лавину: 100% тестирование на лавинную энергийную стойкость (EAS, EAR).
• Прямая совместимость по выводам: Со многими аналогами в корпусе TO-247.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

При поиске замены важно учитывать не только электрические параметры, но и топологию печатной платы (расположение выводов) и требования к драйверу.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии/технологии):

• IKW50N65ES5 — Предыдущее поколение CoolMOS S5. Характеристики очень близки, но E5 имеет немного лучшие динамические параметры.
• IPW50R065CFD / IPW50R065CFD7 — Аналогичный транзистор в корпусе TO-247-3 FullPAK (с изолированной задней металлической пластиной для лучшего теплоотвода без изолирующей прокладки). Очень популярная и часто взаимозаменяемая модель.
• IPP50R065CFD7 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (для меньших мощностей/токов).

2. Совместимые / Конкурентные модели от других производителей:

ВАЖНО: Перед заменой необходимо сверять распиновку (pinout) и параметры драйвера (особенно Qg, VGS(th)).

• STMicroelectronics:
  • STW50N65M5 — MOSFET серии MDmesh™ M5, очень близкий аналог.
  • STP50N65M5 — В корпусе TO-220.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP50N65S3 — SuperFET III, хороший аналог.
  • FCP50N60 — Более старое поколение, напряжение 600В.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP50N65E — Мощный MOSFET.
• Toshiba:
  • TK50N65W5 — MOSFET серии U-MOS V.

3. Ключевые парт-номера для поиска:

• Полное название: Infineon IKW50N65EH5
• Короткий код: Часто на корпусе может быть нанесено IKW50N65EH5 или сокращенный вариант.
• Ordering Code: IKW50N65EH5XKSA1 (стандартная упаковка).

Рекомендации по замене (совместимости)

1. Проверьте распиновку (Pinout): Убедитесь, что у аналога такое же расположение выводов (Gate, Drain, Source). Для TO-247 это чаще всего стандартно, но бывают исключения.
2. Сравните ключевые параметры: Особенно RDS(on), Qg (влияет на нагрев драйвера и потери на переключение) и VGS(th).
3. Учтите поколение технологии: Прямые аналоги из более новых линеек (например, переход с E5 на E6/E7) могут иметь лучшие параметры и быть полноценной улучшенной заменой.
4. Тепловой режим: Обратите внимание на тепловое сопротивление (RthJC). Аналоги с лучшим показателем будут работать холоднее.
5. Встроенный диод: Если ваша схема активно использует обратный диод (как в мостовых или инверторных топологиях), сравните его параметры (trr, Qrr).

Вывод: IKW50N65EH5 — это современный, эффективный и надежный транзистор для силовой электроники. Его наиболее прямыми и часто используемыми аналогами являются Infineon IPW50R065CFD и STMicroelectronics STW50N65M5. Всегда изучайте даташит конкретного аналога перед установкой в плату.