Infineon IKW50N65F5

Отличный выбор! IKW50N65F5 — это очень популярный и надежный транзистор от Infineon. Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

Описание

IKW50N65F5 — это N-канальный MOSFET-транзистор с технологией TRENCHSTOP™ 5 Fast IGBT. Это гибридное устройство, сочетающее в себе лучшие черты MOSFET (высокая скорость переключения, простое управление) и IGBT (низкое напряжение насыщения в открытом состоянии V_CE(sat) при высоких токах).

Ключевые особенности и применение:

• Технология: TRENCHSTOP™ 5 (Generation 5) — обеспечивает оптимальный баланс между низкими коммутационными потерями и низким напряжением насыщения.
• Корпус: TO-247 — классический корпус для силовых приложений с хорошим теплоотводом.
• Основное назначение: Предназначен для жесткого переключения (hard switching) в схемах с высокой частотой.
• Типичные области применения:
  • ИБП (Источники Бесперебойного Питания)
  • Сварочное оборудование
  • Инверторы и частотные преобразователи
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно PFC-каскады
  • Системы промышленного привода

Основное преимущество: По сравнению с обычными MOSFET или более старыми IGBT, этот транзистор позволяет строить более эффективные и компактные преобразователи за счет возможности работы на повышенных частотах (например, 50-100 кГц) с меньшими потерями.

Основные технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный IGBT (Fast, 5-е поколение) | TRENCHSTOP™ 5 | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 650 В | Максимальное рабочее напряжение | | Непрерывный ток коллектора | I_C = 50 А (при T_c=100°C) | | | Ток коллектора импульсный | I_CM = 100 А | | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) = 1.7 В (тип., при I_C=50А) | Ключевой параметр, низкое значение снижает потери на проводимость | | Энергия включения/выключения | E_on = 2.4 мДж, E_off = 0.55 мДж (тип.) | Очень низкие потери на переключение | | Падение напряжения на диоде | V_EC = 1.5 В (тип.) | Обратный диод (антипараллельный) | | Температура перехода | T_j = -55 ... +175 °C | Максимальная +175°C | | Тепловое сопротивление | R_thJC = 0.45 К/Вт | Корпус-кристалл |

Part-номера (полное обозначение и аналоги от Infineon)

• Основной номер: IKW50N65F5
  • Часто поставляется на катушке с маркировкой, включающей дату и код производства.
• Прямые аналоги в других корпусах (с похожими характеристиками):
  • IKW50N65F5FKSA1 — тот же транзистор, возможно, с дополнительными условиями поставки.
  • Для корпуса TO-220: IKW50N65F5 в таком корпусе не выпускается. Ближайший по току в TO-220 — IKW40N65F5 (40А).
  • Для поверхностного монтажа (SMD): в линейке TRENCHSTOP 5 есть модели в корпусе D²PAK, но с другими номерами (например, AIKW50N65F5).

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

Важно! Полная взаимозаменяемость требует проверки по всем параметрам в конкретной схеме. Представленные ниже модели являются функциональными и электрическими аналогами (PIN-to-PIN).

Прямые аналоги (сопоставимые по технологии и параметрам):

1. STMicroelectronics:
   • STGW50H65DFB — IGBT 5-го поколения с быстрым диодом, 650В, 50А, TO-247. Очень близкий конкурент.
2. Fuji Electric:
   • 2MBI50N-065 — модуль, содержащий два таких IGBT в одном корпусе.
3. ON Semiconductor / Fairchild:
   • FGH50T65SQD — Super Junction MOSFET, 650В, 50А, TO-247. Другая технология, но часто используется в схожих применениях (особенно в PFC). Требует проверки по потерям.
   • HGTG50N65A4D — IGBT 4-го поколения, 650В, 50А, TO-247. Старшее поколение, может быть чуть дешевле.

Аналоги с близкими параметрами (для замены при ремонте или при доработке схемы):

• Напряжение 600-650В, ток 40-60А:
  • Infineon: IKW40N65H5, IKW75N65EH5 (75А, но может использоваться с запасом).
  • STMicroelectronics: STGW40H65DFB, STGW60H65DFB.
  • IXYS: IXGH50N60B3D1.
• Более старые поколения IGBT (менее эффективные на высоких частотах):
  • Серии IRGP4/5/6x BxxUD от Infineon (IR).
  • Серии HGTGxxNxxAx от ON Semi.

Рекомендации по замене:

1. При ремонте лучше всего искать оригинал IKW50N65F5 или его самый близкий аналог STGW50H65DFB.
2. При разработке новой схемы обязательно сравнивайте ключевые параметры в даташитах: V_CE(sat), E_on/E_off, Q_g (для драйвера), а также характеристики встроенного обратного диода.
3. Всегда проверяйте распиновку (pinout). Хотя для TO-247 она часто стандартна (1-Gate, 2-Collector, 3-Emitter), возможны исключения.

Этот транзистор является отраслевым стандартом для высокоэффективных преобразователей средней мощности и имеет хорошую доступность на рынке.