Infineon IKW50N65H5FKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IKW50N65H5FKSA1.

Общее описание

IKW50N65H5FKSA1 — это N-канальный мощный MOSFET с технологией TRENCHSTOP™ 5 H5, разработанный для высокоэффективных и надежных приложений. Это ключевой компонент в современных импульсных источниках питания, особенно в топологиях с жестким переключением (hard-switching), таких как LLC-резонансные преобразователи, корректоры коэффициента мощности (PFC) и инверторы.

Его основное преимущество — оптимальный баланс между низкими динамическими потерями (Eoss, Qg) и низким сопротивлением в открытом состоянии RDS(on). Это достигается за счет передовой технологии ячеек, что приводит к высокой эффективности, меньшему нагреву и возможности работы на повышенных частотах.

Основные сферы применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для серверов, телекоммуникаций, промышленного оборудования.
• Плазменные и ЖК-телевизоры, мощные аудиоусилители (класса D).
• Системы ИБП (источники бесперебойного питания).
• Сварочные инверторы.
• Солнечные инверторы.

Ключевые технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия измерения | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhanced Mode | | Технология | TRENCHSTOP™ 5 H5 | Оптимизирована для жесткого переключения | | Корпус | TO-247 | Пластиковый, 3 вывода (стандартный) | | Напряжение сток-исток | 650 В | V_DSS | | Постоянный ток стока | 50 А | I_D при T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток | 200 А | I_DM | | Сопротивление в открытом состоянии | 0.065 Ом (макс.) | R_DS(on) при V_GS = 10 В, I_D = 25 А, T_j = 25°C | | Заряд затвора | 75 нКл (тип.) | Q_g (полный заряд) | | Энергия включения | 1.30 мДж (тип.) | E_oss (важный параметр для потерь при переключении) | | Пороговое напряжение затвора | 3.5 - 4.5 В | V_GS(th) | | Максимальная рассеиваемая мощность | 333 Вт | P_tot при T_C = 25°C |

Особенности:

• Быстрый внутренний диод: Интегрированный обратный диод с хорошими характеристиками восстановления.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Указана энергия лавинного пробоя (E_AS = 3.9 Дж), что говорит о надежности в условиях перенапряжений.
• Прямая пайка выводов: Корпус TO-247 позволяет как использовать изолирующие прокладки, так и осуществлять прямую пайку для лучшего теплоотвода.
• Свинцовосодержащий (Pb) корпус: Суффикс "SA1" в полном названии указывает на это. Существует вариант "FKSA1" (безгалогенный, свинцовосодержащий).

Парт-номера и аналоги (совместимые модели)

При поиске аналога или замены важно учитывать не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (Q_g, E_oss), корпус и расположение выводов.

1. Прямые аналоги и парт-номера от Infineon

• IKW50N65H5 — базовая часть номенклатуры. "FKSA1" — это вариант исполнения/упаковки.
• IKW50N65H5FKSA1 — полное название для заказа, указываемое в спецификациях и BOM.
• В других корпусах с похожими характеристиками от Infineon:
  • IPW50R65CFD (TO-247) — из другой линейки (CoolMOS™ CFD7), но с очень близкими параметрами (650В, 50А, R_DS(on) ~ 0.065 Ом). Часто является функциональным аналогом в новых разработках.

2. Функционально совместимые модели от других производителей (Ключевые конкуренты)

ВАЖНО: Перед заменой необходимо сверить datasheet, особенно цоколевку (pinout) и динамические параметры.

• STMicroelectronics:
  • STW50N65M5 — MOSFET серии MDmesh™ M5, 650В, 50А, R_DS(on) ~ 0.065 Ом (TO-247). Один из самых прямых конкурентов.
  • STW48N65M5 — 48А, но часто используется в тех же схемах.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP50N65 — серия SuperFET® II, 650В, 50А (TO-247).
  • FCH50N65 — аналог в корпусе TO-247.
• IXYS / Littelfuse:
  • IXFH50N65X2 — мощный MOSFET 650В, 50А (TO-247).
• Vishay:
  • SUP50N65-27 — из серии высоковольтных MOSFET (TO-247).

3. Что искать при замене (критерии совместимости):

1. Напряжение V_DSS: Должно быть не менее 650В.
2. Ток I_D: Рекомендуется не менее 50А (можно больше).
3. Сопротивление R_DS(on): Должно быть сопоставимым или ниже (например, 0.06 - 0.07 Ом).
4. Корпус: TO-247 (или TO-3P, который механически совместим).
5. Цоколевка (Pinout): Стандартная для TO-247: 1-затвор (Gate), 2-сток (Drain), 3-исток (Source). Все перечисленные аналоги имеют такую же распиновку.
6. Динамические параметры: Для сохранения КПД и теплового режима на той же частоте ключевыми являются заряд затвора (Q_g) и энергия выходной емкости (E_oss). Желательно, чтобы они были близки к оригиналу.

Рекомендация: Всегда обращайтесь к актуальным даташитам для окончательного подтверждения заменяемости, особенно в критичных по надежности и эффективности проектах.