Infineon IPAN70R600P7S

Отличный выбор! Infineon IPAN70R600P7S — это высокоэффективный силовой транзистор в популярном корпусе TO-220, относящийся к современному семейству CoolMOS™ P7. Он сочетает в себе высокую эффективность, надежность и экономичность, что делает его идеальным для импульсных источников питания.

Полное описание

IPAN70R600P7S — это N-канальный MOSFET, разработанный по передовой суперстеп-технологии от Infineon. Ключевая особенность серии P7 — оптимизация для работы в квазирезонансных (QR) и LLC-преобразователях, которые являются стандартом для современных блоков питания с высоким КПД.

Основное назначение: Используется в силовой части (первичная сторона) импульсных источников питания (SMPS), особенно в:

• Блоках питания для ПК, серверов, игровых консолей.
• Адаптерах для ноутбуков, мониторов, телевизоров.
• LED-драйверах высокой мощности.
• Промышленных источниках питания.

Ключевые преимущества семейства CoolMOS™ P7:

• Сверхнизкие потери при переключении: Благодаря оптимизированной внутренней структуре, что критически важно для высокой частоты работы в QR/LLC-топологиях.
• Отличное соотношение Rds(on) * Qg: Низкое сопротивление в открытом состоянии в сочетании с умеренным зарядом затвора.
• Высокая надежность и стойкость к перегрузкам: Встроенные защитные диоды и устойчивость к динамическим процессам (dv/dt).
• Оптимизация для работы с нулевым/низким напряжением (ZVS): Именно это позволяет достигать рекордных значений КПД (>92-95% в современных БП).

Технические характеристики (кратко)

• Тип: N-канальный MOSFET, Superjunction (CoolMOS™)
• Корпус: TO-220
• Семейство: CoolMOS™ P7
• Напряжение сток-исток (Vds): 700 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.600 Ом (макс.) при Vgs=10 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id): 4.5 А (при Tc=100°C)
• Импульсный ток стока (Id_pulse): 18 А
• Заряд затвора (Qg): ~ 14 нК (тип.)
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 3.0 - 5.0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 48 Вт (на изолированном радиаторе)

Парт-номера и прямые аналоги

Infineon часто маркирует одну и ту же кристаллическую платформу разными номерами в зависимости от корпуса или уровня тестирования. Для IPAN70R600P7S:

Прямые аналоги от Infineon (тот же кристалл, разные корпуса/маркировки):

• IPP70R600P7S — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической площадки).
• SPP70R600P7S — аналог в корпусе TO-220 (стандартный, как у IPAN).
• IPAN70R600P7SATMA1 — полная партия для автоматического монтажа (на катушке).

Важное примечание: Буквы в начале обозначают тип корпуса и уровень тестирования. "I" часто указывает на изолированный монтаж (через изолирующую прокладку), "SP" — стандартный корпус. Электрические параметры кристалла идентичны.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей (Cross-Reference)

При поиске замены важно смотреть на ключевые параметры: Vds=600-700В, Rds(on) ~0.6 Ом, корпус TO-220, и технологию, оптимизированную для QR/LLC (аналог CoolMOS P7).

Рекомендуемые серии-аналоги от конкурентов:

1. STMicroelectronics:

   • STP7N60M2 (MDmesh™ M2, 600V, 0.65 Ом) — очень близкий и популярный аналог.
   • STP7N60M6 (MDmesh™ M6, 600V, 0.65 Ом) — более новое поколение.

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP7N60 (SuperFET® II, 600V, 0.75 Ом) — хорошая альтернатива.
   • FCPF7N60 (в корпусе FullPAK).

3. Toshiba:

   • TK7P60W (DTMOS VI, 600V, 0.60 Ом).

4. Power Integration (в составе сборок):

   • Хотя PI выпускает в основном интегральные решения, их транзисторы в сериях Hiper используют похожие технологии.

Что важно при замене:

• Всегда проверяйте распиновку (pinout) корпуса.
• Учитывайте разницу в динамических характеристиках (емкости Ciss, Coss, Crss, заряд Qg). Прямая замена на аналог с близким Rds(on) не всегда гарантирует одинаковое поведение в высокочастотной схеме.
• Для критичных по эффективности применений (например, ремонт БП с высоким КПД) лучше ставить оригинальный IPAN70R600P7S или его прямой аналог IPP70R600P7S.

Итог

Infineon IPAN70R600P7S — это современный, надежный и эффективный транзистор для построения первичной стороны импульсных блоков питания средней мощности. Его популярность обусловлена удачным балансом цены и производительности в рамках технологической платформы CoolMOS™ P7. При ремонте или проектировании имеет широкий круг как прямых, так и функциональных аналогов от других ведущих производителей.