Infineon IPB80N08S2L-07

Infineon IPB80N08S2L-07
Артикул: 563955

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPB80N08S2L-07

Отличный выбор! IPB80N08S2L-07 — это мощный и надежный N-канальный MOSFET-транзистор от Infineon, выполненный в популярном корпусе TO-263 (D²PAK). Он принадлежит к семейству OptiMOS 2, известному своим низким сопротивлением в открытом состоянии.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.


Описание и основные особенности

IPB80N08S2L-07 — это силовой полевой транзистор, предназначенный для ключевых применений, где важны высокий КПД, надежность и способность работать на высоких частотах.

Ключевые особенности:

  • Сверхнизкое сопротивление канала (R DS(on)): Всего 2.0 мОм при 10 В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общую эффективность системы.
  • Высокий непрерывный ток стока (I D): 80 А при температуре корпуса 25°C. В реальных условиях с теплоотводом этот показатель ниже, но остается очень высоким.
  • Оптимизирован для ШИМ (PWM): Идеально подходит для импульсных преобразователей, моторных драйверов и других схем с широтно-импульсной модуляцией.
  • Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Q g) и выходной емкости (Q oss).
  • Квалификация по стандарту AEC-Q101: Компонент предназначен для использования в автомобильной электронике и других надежных применениях.
  • Соответствие RoHS: Не содержит опасных веществ.
  • Корпус TO-263 (D²PAK): Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), имеет удобную площадку для отвода тепла.

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | - | N-канальный MOSFET | - | | Структура | - | Logic Level (может управляться напряжением 4.5-10 В) | - | | Напряжение "сток-исток" | VDSS | 80 В | - | | Непрерывный ток стока | ID | 80 А | Tc = 25°C | | Сопротивление "сток-исток" | RDS(on) | 2.0 мОм (макс.) | VGS = 10 В, ID = 40 А | | | | 3.0 мОм (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 20 А | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 2.0 - 4.0 В | VDS = VGS, ID = 250 мкА | | Заряд затвора (полный) | Qg | 78 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Максимальная рассеиваемая мощность | Ptot | 250 Вт | Tc = 25°C | | Диапазон рабочей температуры | TJ | от -55°C до +175°C | - | | Корпус | - | TO-263-3 (D²PAK) | SMD, 3 вывода |


Парт-номера и аналоги

При поиске замены или аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и распиновку (pinout) и корпус.

Прямые парт-номера и аналоги от Infineon:

  • IPB80N08S2L-07A — Вероятно, вариант с другой упаковкой (на катушке/в трее) или незначительными отличиями в маркировке. В спецификациях Infineon часто это один и тот же компонент.
  • SPB80N08S2L-07Ближайший аналог в корпусе TO-263-3 (D²PAK) с изолированной площадкой (Isolated). Ключевое отличие — электрическая изоляция теплоотводящей площадки от стока (Drain). Важно: При замене необходимо проверить, нужна ли изоляция в вашей схеме.
  • Более современные аналоги в том же корпусе и с похожими или лучшими параметрами от Infineon (семейства OptiMOS 5, 6, 7):
    • IPP80N08S2L-07 (TO-220) — Аналог в корпусе для сквозного монтажа.
    • Для новых разработок лучше искать модели в сериях IPBxR... (OptiMOS 6/7), которые обладают еще более низким RDS(on) и улучшенными динамическими характеристиками.

Совместимые модели / кросс-ссылки от других производителей (Аналоги):

При поиске аналога на сайтах дистрибьюторов (LCSC, ChipFind, Octopart) по параметрам 80В, 80А, <3 мОм, TO-263 можно найти множество вариантов. Вот некоторые популярные аналоги:

  • International Rectifier (ныне Infineon): IRFB3206PbF (очень близкий и популярный аналог, 80В, 130А, 2.2 мОм, TO-220/TO-263).
  • Vishay (Siliconix): SQJB80EP-T1_GE3 (80В, 80А, 2.3 мОм, D²PAK).
  • STMicroelectronics: STP80NF08 (80В, 80А, 9.5 мОм - параметры хуже, неполный аналог).
  • ON Semiconductor: NTMFS80N08 (80В, 80А, 2.3 мОм, D²PAK).
  • Nexperia: PSMN3R8-80PS (80В, 80А, 3.8 мОм, TO-263).

Важные замечания по замене и применению:

  1. Всегда проверяйте Datasheet! Перед заменой обязательно сверьте распиновку (Pinout), заряды затвора (Qg, Qgd), емкости (Ciss, Coss, Crss) и паразитный диод (скорость восстановления). Несовпадение по динамическим параметрам может привести к проблемам в работе ШИМ-контроллера (перегрев, выбросы напряжения).
  2. Корпус: Обращайте внимание на маркировку: D²PAK, TO-263, TO-263-3 — это, как правило, одно и то же. D²PAK (TO-263-3) с изолированной площадкой может иметь дополнительную букву в маркировке (например, "I" или "F").
  3. Теплоотвод: Для работы на высоких токах обязательно использование радиатора или эффективного теплоотвода через печатную плату (полигон на слое).

Типичные применения:

  • Силовые каскады импульсных источников питания (SMPS)
  • DC-DC преобразователи (например, в автомобильных усилителях)
  • Управление электродвигателями (мотор-драйверы, H-мосты)
  • Соленоидные и релейные драйверы
  • Инверторы и сварочное оборудование

Вывод: IPB80N08S2L-07 — это проверенный, мощный и эффективный MOSFET, отлично подходящий для требовательных промышленных и автомобильных применений. При замене наиболее безопасным вариантом является SPB80N08S2L-07 от того же производителя, но всегда требуется тщательная проверка даташита.

Товары из этой же категории