Infineon IPB80P03P4L-04

Отличный выбор! IPB80P03P4L-04 — это популярный и надежный P-канальный MOSFET от Infineon, предназначенный для управления нагрузкой по высокой стороне (high-side switching) в широком спектре приложений.

Описание

Infineon IPB80P03P4L-04 — это P-канальный силовой полевой транзистор (MOSFET) в современном корпусе TO-263 (D²PAK). Он является частью линейки OptiMOS™ P4, что означает четвертое поколение P-канальных технологий Infineon, известное своим исключительно низким сопротивлением открытого канала (R DS(on)) при заданном размере кристалла.

Ключевые особенности и преимущества:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление R DS(on) (всего 4.5 мОм при V GS = -10 В) минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокий непрерывный ток: Способен коммутировать токи до -80 А, что делает его пригодным для мощных нагрузок.
• Надежность и устойчивость: Имеет встроенный стабилитрон для защиты затвора от статического электричества (ESD) и перегрузок по напряжению.
• Управление логическим уровнем: Хотя и не является MOSFET'ом с логическим уровнем в строгом смысле, его пороговое напряжение V GS(th) позволяет эффективно управлять им от стандартных драйверов или микроконтроллеров (с использованием pull-up или P-канального драйвера).
• Корпус D²PAK: Обеспечивает отличный отвод тепла благодаря большой медной площадке, которая припаивается к печатной плате (SMD-монтаж).

Основные области применения:

• Управление высокой стороной в системах питания (например, в DC-DC преобразователях, цепях защиты от обратной полярности).
• Коммутация мощных нагрузок (моторы, лампы, нагреватели) в автомобильной электронике, промышленных системах управления.
• Силовые ключи в системах управления батареями (BMS).
• Источники питания и стабилизаторы.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | P-канальный MOSFET | OptiMOS™ P4 | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | 3 вывода, SMD | | Сток-Исток напряжение (V DSS) | -30 В | Максимальное обратное напряжение | | Непрерывный ток стока (I D) | -80 А | При T C = 25°C | | Сопротивление открытого канала (R DS(on)) | 4.5 мОм | При V GS = -10 В, I D = -40 А | | | 6.0 мОм | При V GS = -4.5 В, I D = -25 А | | Пороговое напряжение затвора (V GS(th)) | от -1.7 В до -2.7 В | Тип. -2.2 В при I D = -1 мА | | Макс. напряжение затвор-исток (±V GS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Q g (typ.)) | ~ 60 нКл | При V GS = -10 В | | Макс. рассеиваемая мощность (P tot) | 125 Вт | При T C = 25°C | | Диапазон рабочих температур (T J) | от -55 °C до +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор может встречаться под разными маркировками в зависимости от упаковки (катушка, коробка) и региона. Основной номер — IPB80P03P4L-04.

Прямые аналоги и совместимые модели от Infineon:

• IPB80P03P4L-03 — Предыдущая версия (P3) с чуть более высоким R DS(on). Может использоваться как замена, но КПД будет немного ниже.
• IPP80P03P4L-04 — Аналог в корпусе TO-220 (THT, для монтажа в отверстия). Идеальная замена, если нужен корпус с винтовым креплением и изолированным радиатором.
• BSC080P03NS4 — Аналог от Infineon в корпусе TO-263-3, часто с очень близкими параметрами. Требуется проверка даташита.
• Модели из той же серии с другими токами/напряжениями (например, IPB100P03P4L-04, IPB60P03P4L-04), но их применение зависит от конкретных требований по току.

Совместимые модели от других производителей (требуется проверка распиновки и параметров!): При поиске аналога обращайте внимание на ключевые параметры: P-Channel, V DSS = -30В, I D ~ -80А, R DS(on) ~ 4-6 мОм, корпус D²PAK.

• STMicroelectronics: STP80PF03 (более старое поколение, R DS(on) выше).
• Vishay / Siliconix: SUD80P03-04 (аналогичная серия).
• ON Semiconductor: NTB80P03L (требует проверки даташита).
• Diodes Incorporated: Модели серии DMP.
• Nexperia: Модели в корпусе LFPAK (аналог Power-SO8, но с другими габаритами).

Важное предупреждение: Перед заменой обязательно сверяйтесь с официальными даташитами (техническими описаниями) обоих компонентов. Особое внимание уделяйте:

1. Распиновке (Pinout) корпуса.
2. Вольт-амперным характеристикам (особенно при ваших рабочих токах и напряжениях).
3. Динамическим параметрам (Q g, C iss) — это важно для работы на высоких частотах.
4. Корпусу и монтажным размерам.

Для IPB80P03P4L-04 всегда рекомендуется использовать оригинальную информацию с официального сайта Infineon или авторитетных дистрибьюторов (Mouser, Digi-Key, Element14).