Infineon IPC50N04S5L5R5

Отличный выбор! IPC50N04S5L5R5 — это мощный и популярный N-канальный MOSFET от Infineon, относящийся к семейству OptiMOS™ 5, известному своей высокой эффективностью.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

IPC50N04S5L5R5 — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем управления, предназначенный для коммутации низкого напряжения в высокоэффективных приложениях. Его ключевые преимущества — очень низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокая плотность тока, что минимизирует потери на проводимость и нагрев. Он идеально подходит для использования в системах, где важна энергоэффективность и компактность.

Основные сферы применения:

• Источники питания (SMPS) и преобразователи DC-DC
• Моторные драйверы (например, в электроинструментах, дронах, сервоприводах)
• Схемы синхронного выпрямления
• Системы управления батареями (BMS)
• Силовая электроника в автомобильной промышленности (некритичные к температуре узлы)

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Logic Level) | Управляется напряжением ~5В | | Семейство | Infineon OptiMOS™ 5 | 5-е поколение, оптимизировано для КПД | | Структура | Транзистор с вертикальным затвором (TrenchFET) | | | Корпус | TO-220 | Классический силовой корпус | | Напряжение "Сток-Исток" (V_DSS) | 40 В | Рабочее напряжение до 40В | | Ток стока (I_D) | 50 А (при T_C=25°C) | Непрерывный ток через транзистор | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~5.5 мОм (макс.)
при V_GS=10 В | Главная характеристика. Чем меньше, тем лучше. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 1.8 - 2.7 В | Типично ~2.2В, начинает открываться уже при ~2.5В | | Заряд затвора (Q_g) | ~15 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера. Низкое значение ускоряет переключение. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 55 Вт (в корпусе) | Зависит от условий охлаждения. |

Расшифровка партномера:

• IPC — серия/семейство (OptiMOS 5, промышленная серия).
• 50 — номинальный ток стока (50А).
• N04 — тип канала (N) и напряжение (04 = 40В).
• S5 — обозначение технологического поколения и уровня R_DS(on).
• L5R5 — специфический код, указывающий на точное значение R_DS(on) (в данном случае ~5.5 мОм).

Прямые аналоги и совместимые модели (Парт-номера)

Важно: Полная взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы (рабочее напряжение, ток, частота переключения, требования к корпусу). Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами.

1. Прямые аналоги от Infineon (тот же кристалл, разные корпуса):

• IPD50N04S5L5R5 — Аналог в корпусе TO-252 (DPAK) (SMD-версия для поверхностного монтажа).
• IPT50N04S5L5R5 — Аналог в корпусе TO-262 (аналог TO-220, но для SMD-монтажа).
• IPB50N04S5L5R5 — Аналог в корпусе TO-263 (D2PAK) (более мощный SMD-корпус).

2. Ближайшие аналоги по характеристикам от Infineon (то же семейство OptiMOS 5, 40В):

• IPP50N04S5L5R5 — Практически полный аналог, также в TO-220. Могут незначительно отличаться параметры тестирования или упаковки.
• IPP50N04S4L5R5 — С чуть более высоким R_DS(on) (~5.8 мОм), но часто более доступный.
• IPP50N04S3L5R5 — С еще более высоким R_DS(on) (~6.5 мОм).

3. Совместимые модели / конкуренты от других производителей:

При поиске аналога от других брендов ориентируйтесь на ключевые параметры: V_DSS=40-55В, I_D >=50А, R_DS(on) ~5-7 мОм, Logic Level, TO-220.

• STMicroelectronics:
  • STP55NF04L — Классический аналог, 55А, 40В, ~5.5 мОм. Очень популярен.
  • STP50N04L — 50А, 40В, ~6.5 мОм.
• Vishay / Siliconix:
  • SUD50N04-07L — 50А, 40В, ~7.0 мОм.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDB50N04L — 50А, 40В, ~6.5 мОм.
• Nexperia:
  • PSMN4R0-50YS — 50А, 40В, ~4.0 мОм (более современный и эффективный).
• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):
  • AOD508 — 50А, 40В, ~8.0 мОм.

Рекомендации по замене:

1. Приоритет: Используйте аналоги от Infineon в другом корпусе (IPD, IPT, IPB) — это гарантирует идентичные электрические характеристики.
2. Проверка: При замене на аналог другого бренда обязательно проверьте R_DS(on), Q_g и диаграммы зависимостей от температуры и тока в даташите.
3. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (THT vs SMD) и рассеиваемую мощность.

Этот транзистор является отличным балансом между стоимостью, эффективностью и надежностью, что и объясняет его широкую популярность в силовой электронике.