Infineon IPC70N04S5L4R2
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPC70N04S5L4R2
Отличный выбор! Infineon IPC70N04S5L4R2 — это мощный и популярный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, известный своим низким сопротивлением открытого канала.
Описание
IPC70N04S5L4R2 — это 70А, 40В MOSFET, оптимизированный для приложений с низким напряжением и высоким током. Его ключевая особенность — чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on) max = 2.2 мОм при Vgs=10 В), что минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
Основные сферы применения:
- Системы управления питанием (POL, DC-DC преобразователи)
- Мостовые схемы (H-мосты) для управления двигателями в электроинструментах, электромобилях, робототехнике.
- Схемы защиты от обратной полярности (обратный диод имеет высокий ток!)
- Коммутация силовых нагрузок в автомобильной электронике (не critical-safety), источниках бесперебойного питания (ИБП), силовых инверторах.
Ключевые преимущества:
- Очень низкие потери на проводимость: Благодаря малому Rds(on).
- Высокая перегрузочная способность по току: До 280А импульсного тока (pulsed drain current).
- Оптимизированный заряд затвора: Упрощает работу драйвера.
- Интегрированный обратный диод: Быстрый body-diode.
- Популярный и доступный корпус TO-220: Удобен для монтажа и теплоотвода.
Технические характеристики (основные)
| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Logic Level (частично) | | Корпус | TO-220 | | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 40 В | | | Непрерывный ток стока (Id) | 70 А | при Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 280 А | | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 2.2 мОм (макс.) | Vgs = 10 В | | | 3.0 мОм (макс.) | Vgs = 4.5 В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.5 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 75 нКл (тип.) | Vgs = 10 В | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт | на теплоотводе (при Tc=25°C) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | | | Крутизна (gfs) | 150 См (тип.) | |
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
Производитель Infineon часто имеет несколько обозначений для одной и той же кристалльной платформы. Этот MOSFET также может встречаться под названием:
Прямые аналоги Infineon (тот же кристалл):
- IPP070N04S5L4R2 — Абсолютно идентичная модель, но в корпусе TO-220 FullPAK (пластиковый корпус без металлической площадки, что обеспечивает усиленную изоляцию).
- IPP070N04S5L4 — Предыдущая версия или вариант с другими допусками параметров. S5L4 — это обозначение технологической платформы OptiMOS 5.
Совместимые / Альтернативные модели (с близкими параметрами):
При поиске замены важно смотреть на Vds, Id, Rds(on) и корпус.
От Infineon (OptiMOS 5/6):
- IPP075N04S5L4R2 (75А, 40В, 1.8 мОм) — Более мощный аналог.
- IPP040N04S5L4R2 (40А, 40В, 2.2 мОм) — Менее мощный, но с таким же Rds(on).
- IPP110N04S6L4R2 (110А, 40В, 1.6 мОм) — Более современная платформа OptiMOS 6.
От других производителей (прямые конкуренты):
- NXP / Freescale: Раньше выпускали очень похожие модели, но сейчас линейка пересмотрена. Нужно искать аналоги по параметрам.
- Vishay (Siliconix): SQJ070EP40-02L (70А, 40В, 2.1 мОм в корпусе TO-220) — очень близкий и популярный аналог.
- ON Semiconductor: FDP070N04B (70А, 40В, 2.3 мОм) — хорошая альтернатива.
- STMicroelectronics: STP70NF04L (70А, 40В, 4.5 мОм) — устаревшая модель с худшими параметрами, не рекомендуется для новых разработок, но может встречаться в старых.
- IR (International Rectifier): IRF7416 (60А, 40В, 2.3 мОм) — логический уровень, близкий аналог.
Важные замечания при замене:
- Распиновка: Все модели в корпусе TO-220, как правило, имеют стандартную распиновку (слева-направо: G-D-S).
- Параметры драйвера: Обратите внимание на заряд затвора (Qg) и пороговое напряжение (Vgs(th)). Прямые аналоги от Infineon полностью совместимы, модели других производителей могут требовать проверки работы с вашим драйвером.
- Тепловые характеристики: Несмотря на одинаковый корпус, тепловое сопротивление (RthJC) может незначительно отличаться.
Вывод: IPC70N04S5L4R2 — отличный, проверенный временем MOSFET для мощных низковольтных применений. При замене лучшим выбором будет его "брат" в FullPAK корпусе IPP070N04S5L4R2 или высококачественные аналоги от Vishay и ON Semiconductor с сопоставимыми значениями Rds(on) и тока.