Infineon IPD135N03LG

Отличный выбор! Infineon IPD135N03LG — это очень популярный и сбалансированный N-канальный MOSFET, широко используемый в силовой электронике. Вот подробное описание, характеристики и аналоги.

Краткое описание

IPD135N03LG — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем затвора, выполненный по передовой технологии OptiMOS™. Ключевые преимущества: очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери на нагрев, и возможность управления напряжением от стандартных микроконтроллеров (5В). Это делает его идеальным выбором для приложений, где важны КПД и компактность.

Основные области применения:

• DC-DC преобразователи (в т.ч. понижающие, повышающие, синхронные выпрямители)
• Управление двигателями (в робототехнике, дронах, маломощных приводах)
• Силовые ключи в системах управления питанием (POL, нагрузочные переключатели)
• Инверторы и драйверы LED
• Защита от обратной полярности

Технические характеристики (ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Enhancement mode | | Технология | OptiMOS™ 3 | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Плоский, для поверхностного монтажа, популярен и удобен для пайки. | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 30 В | Для схем с питанием до 24В (с запасом). | | Ток стока (Id) | до 135 А | Важно! Это пиковый ток при Tк=25°C. Непрерывный ток сильно зависит от условий охлаждения. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.35 мОм (макс.) | При Vgs=10В. Очень низкое значение — главное достоинство. | | Напряжение управления затвором (Vgs) | ±20 В (макс.) | Стандартный диапазон. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.35 - 2.35 В | Типично ~2В. Управляется от 3.3В/5В логики (логический уровень). | | Заряд затвора (Qg) | ~75 нКл (тип.) | Умеренный заряд, позволяет использовать не самые мощные драйверы. | | Рассеиваемая мощность (Pd) | ~125 Вт | При идеальном охлаждении (Tк=25°C). На практике зависит от радиатора. | | Диод истока-стока | Встроенный (Body Diode) | Параметры: If=135A, Vsd=1.1В. |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах или с незначительными отличиями):

• IPD135N03L G — основной номер, где "G" может указывать на корпус/упаковку.
• IPD135N03L — базовая часть номера.
• Аналоги в корпусе TO-220 (для сквозного монтажа): IPP135N03L (обратите внимание на "PP" вместо "PD").

2. Совместимые модели/ближайшие аналоги от других производителей (ВСЕГДА ПРОВЕРЯЙТЕ ДАТАШИТ ПЕРЕД ЗАМЕНОЙ!):

От Vishay (SiR/SiExxxDP):

• SIR874DP-T1-GE3 — 30В, 130А, 1.8 мОм (очень близкий аналог в DPAK).
• SIR872DP-T1-GE3 — 30В, 100А, 2.2 мОм.

От ON Semiconductor (ныне onsemi):

• NTMFS5C670N — 30В, 100А, 1.7 мОм (в D²PAK).
• FDBL86062 — 30В, 100А, 2.3 мОм.

От STMicroelectronics:

• STL300N3LLH6 — 30В, 100А, 2.5 мОм (в D²PAK).

От Nexperia:

• PSMN3R0-30YLD — 30В, 100А, 3.0 мОм.

От Alpha & Omega Semiconductor (AOS):

• AON7410 — 30В, 100А, 2.0 мОм.

Важные замечания по использованию и замене

1. Токовая нагрузка: Не гонитесь за цифрой 135А. Это пиковое значение при идеальных условиях. Для длительной работы без перегрева на плате необходимо рассчитывать потери мощности (P = I² * Rds(on)) и обеспечивать адекватный теплоотвод (радиатор или полигон на плате).
2. Управление затвором: Несмотря на логический уровень, для быстрого переключения (особенно в ШИМ) настоятельно рекомендуется использовать MOSFET-драйвер. Это снижает потери на переключение и предотвращает паразитное открытие.
3. Замена аналогами: При выборе замены смотрите не только на Vds и Id, но и на:
   • Rds(on) при вашем напряжении управления (Vgs=4.5В или 10В).
   • Заряд затвора (Qg) — если важна частота переключения.
   • Корпус и цоколевка (Pinout).
4. Защита: MOSFET чувствителен к статике (ESD). Используйте антистатические меры при пайке. Также часто требуются снабберные цепи, TVS-диоды для защиты от выбросов напряжения и предохранители по току.

Вывод: Infineon IPD135N03LG — это мощный, эффективный и удобный в использовании MOSFET, ставший отраслевым стандартом для множества задач. При его замене аналогами обращайте внимание на детали, указанные выше.