Infineon IPD50R399CP

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPD50R399CP.

Описание

Infineon IPD50R399CP — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7. Это ключевой компонент, разработанный специально для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания.

Основное назначение: Применяется в качестве ключевого элемента в топологиях с жестким переключением (hard switching), таких как:

• Импульсные источники питания (SMPS): Корректоры коэффициента мощности (PFC), LLC-резонансные преобразователи, прямоходовые и обратноходовые преобразователи.
• Блоки питания для ПК и серверов.
• Телекоммуникационные системы питания.

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ P7:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Позволяет работать на повышенных частотах, что уменьшает габариты пассивных компонентов (дросселей, трансформаторов).
• Оптимизированное отношение заряда затвора к RDS(on) (Q G * R DS(on)): Параметр, указывающий на отличный баланс между потерями на проводимость и потерями на переключение.
• Высокая надежность и стойкость к лавинному пробою.

Корпус: Выпускается в стандартном изолированном корпусе TO-252 (DPAK), что обеспечивает удобство монтажа и хорошие тепловые характеристики.

Технические характеристики (кратко)

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET, CoolMOS™ P7
• Структура: Суперджекшен (Superjunction)
• Напряжение "сток-исток" (V DSS): 650 В
• Сопротивление открытого канала (R DS(on)): 0.399 Ом (при V GS = 10 В, I D = 3.5 А)
• Максимальный постоянный ток стока (I D): 5.2 А (при T C = 100°C)
• Импульсный ток стока (I DM): 20.8 А
• Пороговое напряжение затвора (V GS(th)): 3.0 - 5.0 В
• Заряд затвора (Q g (тип.)): 15 нКл
• Внутренняя емкость "сток-исток" (C oss (тип.)): 22 пФ
• Максимальная рассеиваемая мощность (P D): 74 Вт (при T C = 25°C)
• Корпус: TO-252 (DPAK), изолированный
• Класс рабочей температуры (T J): от -55 °C до +150 °C

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Этот компонент может встречаться под разными маркировками в зависимости от производителя и стандартов заказчика. Основной парт-номер Infineon: IPD50R399CP.

На корпусе обычно нанесена маркировка: P50R399C или подобная.

Совместимые модели / Прямые аналоги (Cross-Reference)

При поиске замены или аналога необходимо сверять ключевые параметры: V DSS = 650В, R DS(on) ~0.4 Ом, корпус TO-252 (DPAK). Ниже приведены аналогичные модели от Infineon и других производителей.

От Infineon (технология CoolMOS™ P7/C7):

• IPP50R399CP — Аналогичная модель в корпусе TO-220 (не изолированный). Отличается только корпусом и немного большей рассеиваемой мощностью.
• IPA50R399CP — Аналогичная модель в корпусе TO-251 (IPAK).
• SPD50R399CT — Аналог в корпусе D²PAK (TO-263) от Infineon (часто используется в тех же схемах, но имеет большие размеры).
• ICE3BR399CJ — Это уже готовый контроллер обратноходового преобразователя со встроенным MOSFET 650В / 0.399 Ом.

От других производителей (Superjunction MOSFET 650V / ~0.4 Ом):

• STMicroelectronics:
  • STP6N65M6 (650В, 0.45 Ом, TO-220/TO-252) — популярный аналог.
  • STD6N65M6 (в корпусе DPAK).
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCPF6N65NT (650В, 0.45 Ом, TO-220F) — изолированный корпус.
  • FCP6N65NT (аналогичный).
• Power Integration (в составе интегральных схем):
  • Многие их контроллеры со встроенным ключом (например, серии TNY, INN) используют аналогичные по параметрам MOSFET, но как отдельный компонент не поставляются.

Важные замечания по совместимости:

1. Проверка распиновки (Pinout): Всегда сверяйте распиновку корпуса (расположение затвора, стока, истока) перед заменой.
2. Динамические характеристики: Несмотря на схожие статические параметры (R DS(on), V DSS), модели разных производителей могут отличаться динамическими характеристиками (C oss, Q g, Q rr), что может повлиять на работу на высоких частотах и уровень EMI. Рекомендуется проверять осциллограммы переключений в реальной схеме.
3. Тепловые характеристики: Корпуса TO-252 у разных производителей могут иметь разное тепловое сопротивление "кристалл-корпус" (R thJC).
4. Рекомендация: Для наиболее критичных применений лучшей заменой являются аналоги от Infineon в той же серии CoolMOS P7 (IPA, IPP) или модели следующего поколения (например, серия CoolMOS C7/G7). В менее критичных случаях подойдут аналоги от ST или ON Semiconductor с близкими параметрами.

Вывод: Infineon IPD50R399CP — это высокоэффективный и надежный MOSFET для мощных импульсных источников питания, сочетающий в себе высокое напряжение, низкое сопротивление и скорость, благодаря технологии CoolMOS™ P7. При замене следует уделять внимание не только основным параметрам, но и динамическим характеристикам.