Infineon IPD60R280P7S

Отличный выбор! Infineon IPD60R280P7S — это высококачественный силовой MOSFET-транзистор, популярный в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах управления двигателями. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Краткое описание

IPD60R280P7S — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P7 от Infineon. Ключевые преимущества этой серии — исключительно низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и оптимизированный баланс между динамическими характеристиками (зарядами затвора, емкостями) и эффективностью. Это транзистор для высокочастотных и высокоэффективных применений.

Основная "философия" серии P7: Максимальная эффективность в типичных рабочих режимах современных SMPS (например, при частотах 65-100 кГц), а не просто рекордно низкое RDS(on) в статике.

Технические характеристики (Key Parameters)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET, CoolMOS™ P7 | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Популярный SMD-корпус для монтажа на поверхность. | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | Основное рабочее напряжение. | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.28 Ом (макс.) | При токе стока 5.8 А и напряжении затвор-исток 10 В. Главная особенность модели. | | Постоянный ток стока (I_D) при T_c=25°C | 11 А | В идеальных условиях на теплоотводе. | | Импульсный ток стока (I_DM) | 44 А | | | Мощность рассеяния (P_tot) | 74 Вт | При условии монтажа на идеальную heatsink-площадку платы. | | Заряд затвора (Q_g) (тип.) | 28 нКл | Низкий заряд упрощает управление и снижает потери на переключение. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартное для большинства MOSFET. | | Время нарастания/спада (t_r / t_f) | ~10 нс / ~7 нс (тип.) | Высокая скорость переключения. |

Ключевые особенности и преимущества

1. Технология CoolMOS™ P7: Оптимизирована для работы в квазирезонансных (QR) и обратноходовых (flyback) топологиях с частотой до 100 кГц и выше.
2. Высокая эффективность: Низкое R_DS(on) в сочетании с хорошими динамическими характеристиками минимизирует как проводимые, так и коммутационные потери.
3. Высокая надежность: Широкая область безопасной работы (SOA), стойкость к перегрузкам.
4. Улучшенная стойкость к dv/dt: Хорошая устойчивость к ложным включениям.
5. Экономичность: Отличное соотношение цена/производительность для своих характеристик.

Типичные области применения

• Импульсные источники питания (SMPS): обратноходовые, прямоходовые, мостовые схемы.
• Источники питания для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Цепи коррекции коэффициента мощности (PFC).
• Преобразователи для светодиодного освечения (LED drivers).
• Преобразователи DC-DC.
• Управление низковольтными двигателями.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно у одной и той же физической детали может быть несколько маркировок (полный код на заказ, упрощенный код на корпусе). Для этой модели:

• Полный порядковый номер (Ordering Code): IPD60R280P7SXKSA1
• Маркировка на корпусе (Topside Marking): Скорее всего, будет нанесено 60R280P7S или сокращенный вариант.

Совместимые модели и аналоги (прямые и близкие замены)

ВАЖНО: При замене всегда необходимо сверяться с даташитом и проверять распиновку, параметры и условия работы в конкретной схеме.

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

• IPP60R280P7S - тот же кристалл в корпусе TO-220 (THT, для монтажа в отверстия).
• IPD60R280P7SATMA1 - тот же кристалл в корпусе D²PAK (TO-263) (SMD, с более мощным теплоотводом).

2. Ближайшие аналоги по ключевым параметрам (600В, ~0.28 Ом, TO-252) от других производителей:

• STMicroelectronics: STP11NK60ZFP (0.28 Ом, 10А, TO-220FP, но можно искать аналоги в DPAK) или STD6N60DM6AG (0.28 Ом, Advanced Power Mesh).
• ON Semiconductor / Fairchild: FCP11N60 (0.28 Ом, SuperMOS) или FDPF11N60NZ (0.28 Ом).
• Vishay / Siliconix: SUD60R280P7 (специально анонсирован как аналог для серии P7) или SQJ411EP.
• Toshiba: TK11A60W (0.28 Ом, DPAK).

Как искать аналоги:

1. Используйте параметрический поиск на сайтах дистрибьюторов (LCSC, Mouser, DigiKey, ChipFind).
2. Задайте фильтры: Vds = 600В, Id ~ 10А, Rds(on) ~ 0.28 Ом, Корпус = DPAK (TO-252).
3. Обращайте внимание не только на статические параметры, но и на динамические (C_iss, Q_g). Для высокочастотных схем они критичны.

Рекомендации по применению

• Управление: Для полного открытия рекомендуется напряжение затвор-исток (V_GS) +10В..+12В. Хотя транзистор начинает открываться при 3-5В, для гарантированного низкого R_DS(on) нужно 10В.
• Защита затвора: Обязательно используйте резистор (например, 10-100 Ом) последовательно с затвором для подавления паразитных колебаний.
• Теплоотвод: Несмотря на SMD-корпус, для работы на высоких токах необходима качественная heatspreader-площадка на печатной плате (медная полигональная область под корпусом).

Вывод: Infineon IPD60R280P7S — это современный, эффективный и надежный транзистор, являющийся отраслевым стандартом для построения качественных импульсных источников питания средней мощности. Его популярность обусловлена удачным балансом характеристик, предлагаемых технологией CoolMOS™ P7.