Infineon IPD60R950C6

Infineon IPD60R950C6
Артикул: 563982

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPD60R950C6

Отличный выбор! IPD60R950C6 — это мощный и популярный MOSFET транзистор от Infineon, оптимизированный для ключевых приложений. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание

IPD60R950C6 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6 от Infineon. Эта линейка является эволюцией знаменитых серий C3 и C7, предлагая оптимальный баланс между эффективностью, стоимостью и простотой управления.

Ключевая идея технологии CoolMOS™ C6: Минимизация потерь проводимости (RDS(on)) и, что особенно важно для современных высокочастотных преобразователей, сверхнизких потерь при переключении (Eoss, Qg). Это делает его идеальным решением для работ в жестких квазирезонансных (QR) и LLC-топологиях.

Основные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности
  • Серверные, телекоммуникационные и промышленные БП
  • Силовые корректоры коэффициента мощности (PFC)
  • Преобразователи для светодиодного освещения
  • Обратноходовые и прямоходовые преобразователи

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный MOSFET | Технология Superjunction (CoolMOS) | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Напряжение сток-исток (VDSS) | 600 В | Запас для работы в сетях 220/380В | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.95 Ом (макс.) | При токе 3.2 А и VGS=10 В | | Постоянный ток стока (ID) | 3.2 А | При Tc=100°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 12.8 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 11 нКл (тип.) | Низкое значение — ключевой плюс, снижает потери на управление | | Энергия переключения (Eoss) | Очень низкая | Основное преимущество C6 для QR/LLC | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный уровень управления |

Главные преимущества:

  1. Высокая эффективность: Благодаря низким Eoss и Qg.
  2. Уверенная работа в ZVS-топологиях: Идеален для LLC-резонансных полумостов.
  3. Высокая надежность и стойкость к перегрузкам.
  4. Оптимизированное отношение цена/качество.

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Обычно производители используют свои системы маркировки. Прямых идентичных парт-номеров от других брендов нет, но есть функционально совместимые и схожие по параметрам аналоги.

1. Прямые аналоги Infineon (рекомендованные для замены):

  • IPP60R950C6Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPak (полностью пластиковый, без металлической пластинки сзади). Часто используется как более дешевая альтернатива.
  • IPD60R950C6XKSA1 — Полное официальное название компонента.

2. Ближайшие аналоги от Infineon (с очень близкими параметрами):

  • IPD60R360C7 / IPP60R360C7 — Из серии C7. Более низкое RDS(on) (0.36 Ом), но может иметь отличия в динамических характеристиках. Часто используется в аналогичных схемах.
  • IPD60R1K4C6 / IPP60R1K4C6 — Тоже серия C6, RDS(on) = 1.4 Ом. Подходит, если требуется немного меньшая нагрузка.
  • IPA60R950C6 — Аналог в корпусе TO-247. Имеет лучший тепловой отвод и рассчитан на больший ток.

3. Функционально совместимые аналоги от других производителей (ВСЕГДА ТРЕБУЕТСЯ ПРОВЕРКА ДАТАШИТОВ И ВОЗМОЖНО КОРРЕКТИРОВКА СХЕМЫ):

  • ON Semiconductor / Fairchild: FCP11N60, FCPF11N60, FCH11N60. (Серии SuperFET, QFET).
  • STMicroelectronics: STP11N60M6, STW11N60M6, STD11N60M6. (Серии MDmesh™ M6).
  • Vishay / Siliconix: SUD11N60-85, SGW11N60. (Серии E系列).
  • Toshiba: TK11A60W, 2SK3875. (Серии DT MOS).

Важное примечание по аналогам: Несмотря на схожесть ключевых параметров (600В, ~0.95 Ом, 3-4А), динамические характеристики (Ciss, Coss, Qg, Ear) и внутренняя структура могут отличаться. Это может повлиять на КПД, нагрев и ЭМП в высокочастотных схемах. Замена требует анализа, особенно в критичных по эффективности узлах.


Совместимые модели (в каких схемах и с чем он часто работает)

IPD60R950C6 редко используется в одиночку. Вот типичные "компаньоны" в схемах БП мощностью 100-250Вт:

  1. В паре для полумоста/LLC:

    • Второй такой же транзистор (IPD60R950C6).
    • Или в паре с IPD60R360C7 (в нижнем плече, где иногда важнее RDS(on)).
    • Драйвер затвора: Например, IR2110/IR2113, FAN7382, UCC27710/UCC27712.
  2. В обратноходовом преобразователе:

    • ШИМ-контроллер: UC384x, TEA17xx, FAN7602 и др.
    • Снабберные цепи: Быстрые диоды (UF4007, FR107), RC-цепочки.
  3. В корректоре мощности (PFC):

    • Часто стоит в бостровом PFC (Boost PFC).
    • Контроллер PFC: L6562, NCP1612, UCC28070.
    • Быстрый диод: STTH8S06D, C3D08060 (SiC-диод для повышения эффективности).
  4. В схемах управления:

    • Оптодрайверы (если требуется гальваническая развязка): PC817, EL1019.
    • Цепи снаббера и демпфирования.

Вывод: IPD60R950C6 — это надежный, современный и сбалансированный транзистор, ставший отраслевым стандартом для построения эффективных источников питания. При замене аналогами обязательно изучайте даташиты, уделяя внимание разделу Dynamic Characteristics и Safe Operating Area (SOA).

Товары из этой же категории