Infineon IPI90R500C3XKSA1

Отличный выбор! Infineon IPI90R500C3XKSA1 — это мощный и современный силовой MOSFET, относящийся к популярному семейству CoolMOS™ C3. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

IPI90R500C3XKSA1 — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой суперджанкционной технологии CoolMOS™ C3 от Infineon. Ключевые особенности:

• Высокая эффективность: Технология C3 оптимизирована для минимизации коммутационных потерь и потерь в открытом состоянии, что делает его идеальным для высокочастотных преобразователей.
• Высокое напряжение: Рассчитан на работу в сетях 400В и выше.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 90 мОм при 10В на затворе, что снижает проводимые потери и нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям, что критически важно для повышения частоты работы и уменьшения габаритов пассивных компонентов.
• Надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным процессам и перегрузкам.
• Корпус: Выполнен в стандартном, легко паяемом и хорошо отводящем тепло корпусе TO-220.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады, прямоходовые, мостовые и резонансные преобразователи.
• Инверторы (для солнечной энергии, UPS, промышленные).
• Серверное и телекоммуникационное оборудование.
• Системы управления двигателями и приводы.

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction CoolMOS™ C3) | — | | Корпус | TO-220 | Изолированный (FullPAK) или нет, зависит от последних букв партии | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 900 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 90 мОм (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 11.5 А | | Ток стока (Id) | 11.5 А | При Tc = 100°C (непрерывный) | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 46 А | — | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 56 нКл | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Входная емкость (Ciss) | ~ 1800 пФ | — | | Энергия лавинного пробоя (Eas) | 640 мДж | Показатель устойчивости к перенапряжениям | | Макс. температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | — |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги от Infineon)

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разной маркировкой. Вот основные парт-номера внутри семейства CoolMOS C3:

• SPI90R500C3 (или SPI90R500C3XKSA1) — аналог в корпусе TO-263 (D²PAK). Для поверхностного монтажа.
• IPI90R500C3 — основное обозначение серии в TO-220 (без уточнения по изоляции).
• IPI90R500C3XKSA1 — полный номер для заказа, где "X" может указывать на особенности упаковки/изоляции.

Важно: Буквы в конце (XKSA1) могут указывать на вариант исполнения (например, изолированная или неизолированная площадка, тип упаковки). Для точного заказа всегда используйте полный номер.

Совместимые и конкурирующие модели (Cross-Reference)

При замене необходимо проверять не только электрические параметры, но и разводку выводов (pinout), а также динамические характеристики.

Аналоги от других производителей (очень близкие по ключевым параметрам 900В / ~90 мОм):

1. STMicroelectronics:
   • STF11NM90N (900В, 85 мОм, TO-220FP) — очень популярный аналог.
   • STW11NM90 (в корпусе TO-247).
2. ON Semiconductor / Fairchild:
   • FCP11N90 (900В, 85 мОм, TO-220) — из семейства SuperFET.
3. Vishay / Siliconix:
   • SUP90N08-90 (900В, 90 мОм, TO-220) или аналоги из их линейки.
4. Toshiba:
   • TK11A90W (900В, 90 мОм, TO-220IS) или другие из серии DT MOS IV.

Более современные/эффективные альтернативы (новые поколения):

• Infineon CoolMOS™ P7 / C7 / G7: Следующие поколения с лучшими характеристиками (например, IPD90R1K4C7 — при гораздо меньшем Rds(on), но для других задач). Важно: Они могут иметь другой баланс Qg-Rds(on), что требует пересчета драйвера.
• STMicroelectronics MDmesh™ M5 / M6.
• ON Semiconductor SuperFET III / IV.

Критические замечания при замене

1. Проверьте распиновку (Pinout)! У моделей в корпусе TO-220 от разных производителей выводы Drain, Gate, Source могут быть в разном порядке.
2. Динамические параметры: Заряд затвора (Qg), емкости (Ciss, Coss, Crss) напрямую влияют на работу драйвера и коммутационные потери. Прямая замена без проверки может привести к перегреву драйвера или увеличению потерь.
3. Скорость внутреннего диода (Body Diode): Важна для режимов обратного восстановления в мостовых схемах.
4. Корпус и монтаж: Обратите внимание на изолированную (FullPAK, Insulated) или неизолированную площадку. Это влияет на необходимость использования изолирующей прокладки и теплопроводность.

Рекомендация: Всегда обращайтесь к актуальным даташитам обоих компонентов (оригинального и планируемого к замене) и сравнивайте ключевые параметры в условиях вашей конкретной схемы. Для ответственных применений лучшей заменой является аналог в той же серии от Infineon (например, SPI90R500C3 для SMD-монтажа).