Infineon IPL60R185CFD7

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPL60R185CFD7.

Общее описание

IPL60R185CFD7 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ CFD7 от Infineon. Эта линейка разработана специально для высокочастотных и высокоэффективных импульсных источников питания, особенно в жестких режимах переключения (например, LLC-резонансные преобразователи, активный корректор коэффициента мощности (AC/DC), импульсные источники питания для серверов, телекоммуникаций и промышленного оборудования).

Ключевая философия CFD7: Оптимальный баланс между тремя критически важными параметрами:

1. Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) — для минимизации проводимых потерь.
2. Малая динамическая ёмкость (Coss, особенно заряд Eoss) — для минимизации потерь при переключении.
3. Высокая скорость переключения и надежность — благодаря улучшенной структуре корпуса и технологии.

Основное преимущество: Позволяет проектировать более компактные и эффективные блоки питания с более высокой удельной мощностью (Вт/см³).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Технология CoolMOS™ CFD7 | | Корпус | TO-220 | Полноразмерный, изолированный фланец | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 650 В | Стандартное для сетевого напряжения (85-265В AC) | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 0.185 Ом (макс.) | При Vgs=10 В, Id=10.7 А (тип. ~0.16 Ом) | | Стоковый ток (Id) | 10.7 А | При Tc=25°C (постоянный) | | Импульсный ток стока (Id_pulse) | 42 А | Пиковый ток | | Полный заряд затвора (Qg) | ~46 нКл (тип.) | При Vgs=10 В. Важный параметр для расчета драйвера. | | Заряд выходной емкости (Eoss) | Очень низкий | Ключевая особенность CFD7 для снижения потерь при переключении. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 4.5 В | Тип. 3.8 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 156 Вт | При Tc=25°C (с теплоотводом) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура |

Ключевые особенности и преимущества

1. Технология CoolMOS™ CFD7: Обеспечивает рекордно низкие коммутационные потери благодаря оптимизированной внутренней структуре (супер-степень).
2. Высокая эффективность на высоких частотах: Позволяет увеличить рабочую частоту преобразователя (до сотен кГц), что уменьшает размеры пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
3. Отличное соотношение Rds(on) * Qg: Хороший баланс между потерями на проводимость и потерями на управление.
4. Корпус TO-220: Надежный, с хорошим отводом тепла, широко распространен и удобен для монтажа.
5. Высокая надежность и стойкость к лавинному пробою: Подходит для жестких условий работы.

Области применения

• Импульсные источники питания (SMPS) для:
  • Серверов и облачных вычислений
  • Телекоммуникационного оборудования
  • Промышленных систем
  • Зарядных устройств высокой мощности
• Резонансные преобразователи (LLC, ZVS)
• Активные корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Инверторы и драйверы двигателей (в определенных топологиях)

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор имеет прямые аналоги от других производителей и собственные модификации в разных корпусах.

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

• SPW35N60CFD — Тот же кристалл, но в корпусе TO-247. Имеет лучшее охлаждение.
• IPW60R185CFD7 — Аналог в корпусе TO-247 Plus.
• IPP60R185CFD7 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической пластины).

2. Близкие по характеристикам аналоги от Infineon (CFD7 серия, 650В):

• IPL60R140CFD7 — Rds(on) = 0.140 Ом (более низкое сопротивление, но обычно дороже).
• IPL60R225CFD7 — Rds(on) = 0.225 Ом (более высокое сопротивление, но дешевле).
• IPL60R095CFD7 — Rds(on) = 0.095 Ом (для более мощных применений).

3. Совместимые/конкурирующие модели от других производителей:

При поиске аналога важно смотреть не только на Vds и Rds(on), но и на динамические параметры (Qg, Coss, Eoss). CFD7 часто выигрывает по динамике.

| Производитель | Серия/Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW48N60DM2 (MDmesh™ DM2) | Близкий популярный аналог по статическим параметрам. | | ON Semiconductor | FCPF065N65S3 (SuperFET III) | Аналог по технологии и применению. | | Fuji Electric | 2SK1904 | | | Toshiba | TK65N60W5 (DTMOS VI) | | | VISHAY (Siliconix) | SJEP065R085 (E Series Superjunction) | |

Важное замечание по замене: Несмотря на схожесть ключевых параметров в даташитах, всегда необходимо проводить оценочные тесты в реальной схеме, особенно в высокочастотных преобразователях. Разница в паразитных индуктивностях, динамических характеристиках и качестве встроенного диода может повлиять на эффективность, ЭМП и надежность итогового устройства. Рекомендуется использовать официальные кросс-таблицы (cross-reference) от Infineon или консультироваться с инженерами-разработчиками.