Infineon IPN80R1K2P7

Отличный выбор! Infineon IPN80R1K2P7 — это высокоэффективный силовой транзистор в популярном корпусе TO-220, который широко используется в импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых приложениях. Вот подробное описание и технические данные.

Описание

IPN80R1K2P7 — это N-канальный MOSFET с технологией Superjunction (CoolMOS™ P7) от Infineon. Это седьмое поколение знаменитой линейки CoolMOS, которое устанавливает новые стандарты по соотношению потерь проводимости и коммутационных потерь.

Ключевые преимущества и особенности:

• Технология CoolMOS™ P7: Обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при минимальном заряде затвора (Qg). Это напрямую ведет к повышению общей эффективности (КПД) системы.
• Высокое напряжение сток-исток: 800V — делает его идеальным для работы в сетях 85-265В (всепланетный диапазон), с хорошим запасом по напряжению.
• Низкое RDS(on): Всего 1.2 Ом (макс. при 25°C) для корпуса TO-220 — отличный показатель для такого напряжения.
• Оптимизирован для жесткого переключения (Hard-Switching): Архитектура P7 специально разработана для минимизации коммутационных потерь в самых распространенных топологиях (например, обратноходовой, двухтактный преобразователь).
• Высокая надежность и стойкость к лавинному пробою: Подходит для rugged-приложений.
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа и отвода тепла (с радиатором).

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Источники питания для светодиодного освечения (LED драйверы).
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в Boost-топологии.
• Преобразователи для бытовой техники и промышленного оборудования.

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | CoolMOS™ P7 | | Корпус | TO-220 | Изолированный или неизолированный вариант | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 800 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 1.2 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, T_j = 25°C | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~2.0 Ом (тип.) | При V_GS = 10 В, T_j = 100°C | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 5.3 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 21 А | | | Заряд затвора (Q_g) | 16 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 74 Вт | На изолированном радиаторе (R_thJC = 1.4 К/Вт) |

Парт-номера (Part Numbers) и варианты корпуса

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разной маркировкой. Основные парт-номера для этой модели:

• IPN80R1K2P7ATMA1 – Стандартный вариант, часто именно он подразумевается.
• IPN80R1K2P7SAUMA1 – Аналог, возможны незначительные отличия в упаковке или версии документации.
• SPP80R1K2P7 – Может встречаться как парт-номер для отгрузок или у других дистрибьюторов.

Важно: Буквы в конце (ATMA1, SAUMA1) часто указывают на тип упаковки (катушка, россыпь) или незначительные ревизии. Электрические параметры идентичны. Всегда проверяйте даташит для точного соответствия.

Совместимые модели / Прямые аналоги

При поиске аналога или замены необходимо сверять ключевые параметры: V_DSS (800В), I_D (~5А), R_DS(on) (~1.2 Ом), корпус и заряд затвора (Q_g).

Аналоги от Infineon (другие поколения/серии):

• IPP80R1K2P7 – Тот же кристалл, но в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый), что улучшает изоляцию.
• SPP80R1K2P7 – Как указано выше, часто является тем же компонентом.
• IPA80R1K2P7 – В корпусе TO-220FP (изолированный "плоский" корпус).
• Из предыдущих поколений (менее эффективные):
  • IPP80R1K2C3 (CoolMOS C3)
  • SPA80R1K2 (CoolMOS)

Аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics:
  • STP8NK80Z (морально устаревший, хуже параметры).
  • STF8N80K5 (более современный, из серии MDmesh™ K5). Нужно сверять даташит.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP8N80 (серия SuperFET®).
  • FDPF8N80NZ – Также требует проверки параметров.
• Vishay:
  • SUP8N80-23 (серия Superjunction).
• Toshiba:
  • TK8A80W (серия DT MOS IV).

Важное замечание по замене:

Несмотря на схожие цифры в названии (например, "8N80"), технологии разных производителей сильно различаются. Прямая замена без проверки динамических характеристик (особенно Q_g, C_iss, время задержек) может привести к снижению КПД, перегреву драйвера или даже выходу из строя. Всегда изучайте даташиты и сравнивайте ключевые параметры для вашей конкретной схемы.

Рекомендация: Для новой разработки Infineon IPN80R1K2P7 является отличным и современным выбором. Для ремонта, если оригинал недоступен, в первую очередь ищите IPP80R1K2P7 или аналоги из серии CoolMOS P7, а затем уже сравнивайте с предложениями других брендов по ключевым для вашего узла параметрам.