Infineon IPP60R040C7

Отличный выбор! IPP60R040C7 — это очень популярный и высокоэффективный транзистор от Infineon. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Краткое описание

IPP60R040C7 — это N-канальный MOSFET для мощных импульсных преобразователей, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C7. Это ключевой компонент в схемах, где критичны высокий КПД, надежность и плотность мощности.

Основное назначение: Применяется в качестве силового ключа в:

• Импульсные источники питания (SMPS): Особенно в топологиях с жестким переключением (Flyback, Forward, Two-Switch Forward, Full-Bridge, Half-Bridge).
• Корректоры коэффициента мощности (PFC): В основном в схемах Boost PFC (повышающие).
• Преобразователи для промышленного оборудования, серверов, телекоммуникаций, ИБП (UPS), солнечных инверторов и сварочных аппаратов.

Суть технологии CoolMOS™ C7: Позволяет достичь исключительно низкого значения RDS(on) при минимальном запасе заряда (Qg) и заряда обратного восстановления (Qrr). Это напрямую ведет к:

• Снижению коммутационных потерь (особенно при высоких частотах).
• Снижению потерь на проводимость.
• Возможности работы на более высоких частотах, что позволяет уменьшить габариты пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Повышению общей энергоэффективности и снижению тепловыделения.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | Технология CoolMOS™ C7 | | Структура | Планарная | | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 650 В | Запас для работы в сетях 85-265 В | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.040 Ом (макс.) @ V_GS=10 В, I_D=32 А | Ключевая характеристика! Очень низкое значение. | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.060 Ом (макс.) @ V_GS=4.5 В, I_D=16 А | Хорошо открывается при низком напряжении затвора. | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 37 А @ T_C=100°C | При условии хорошего теплоотвода. | | Импульсный ток стока (I_DM) | 148 А | Пиковое значение в импульсе. | | Заряд затвора (Q_g) | 120 нКл (тип.) @ V_GS=10 В | Низкий заряд упрощает драйвер и снижает потери на переключение. | | Заряд обратного восстановления (Q_rr) | 0.90 мкКл (тип.) | Очень низкое значение, критично для PFC и мостовых схем. | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон. | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | Теоретический максимум при идеальном охлаждении. |

Part-Number (Парт-номера) и варианты упаковки

Официальное полное название от Infineon: IPP60R040C7XKSA1.

• IPP60R040C7 — это базовая часть номера.
  • IPP — серия (Infineon Power Package).
  • 60 — обозначение технологии/поколения (здесь — C7).
  • R040 — сопротивление R_DS(on) в миллиомах (0.040 Ом).
  • C7 — поколение CoolMOS.
• XKSA1 — суффикс, обозначающий:
  • X — версия продукта.
  • K — корпус TO-220.
  • SA1 — упаковка (катушка/рулон) и варианты поставки.

Поставка:

• Транзистор поштучно (в антистатическом пакете).
• На катушке/рулоне (для автоматизированного монтажа).

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены или аналога важно смотреть не только на R_DS(on), но и на V_DSS, Q_g, Q_rr и корпус.

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

• IPW60R040C7 — аналог в корпусе TO-247. Имеет лучший тепловой отвод за счет большего размера.
• IPD60R040C7 — аналог в корпусе D²PAK (TO-263). Для поверхностного монтажа (SMD).

2. Функциональные аналоги от других производителей (с близкими параметрами):

• STMicroelectronics:
  • STW62N60M6 (600В, 0.038 Ом, TO-247) — очень близкий аналог по параметрам.
  • STP62N60M6 (600В, 0.038 Ом, TO-220) — практически прямой конкурент.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCPF065N60S (650В, 0.065 Ом, TO-220F) — из серии SuperFET II.
  • FCH041N65S3 (650В, 0.041 Ом, TO-220) — технология Super Junction.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N06-18 (600В, 0.060 Ом, TO-220) — может рассматриваться как аналог с некоторым запасом.
• Texas Instruments:
  • Часто переупаковывают кристаллы других производителей. Нужно искать по параметрам.

Важное замечание по замене: Несмотря на схожесть параметров, всегда необходимо сверяться с даташитом и проверять разводку выводов (pinout), характеристики безопасной рабочей области (SOA) и динамические параметры в конкретной схеме. Прямая запасная часть для IPP60R040C7 от другого бренда — редкость, поэтому подбор ведется по ключевым характеристикам.

Итог

IPP60R040C7 — это высококлассный MOSFET, золотой стандарт для построения эффективных и надежных источников питания средней и высокой мощности. Его основное преимущество — оптимальный баланс между низким сопротивлением открытого канала и малыми зарядами, что делает его универсальным решением для современных импульсных преобразователей.