Infineon IPP60R099P6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Infineon IPP60R099P6.

Общее описание

IPP60R099P6 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ P6 от Infineon. Это ключевой компонент, разработанный для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания. Его основное назначение — работа в качестве ключа в топологиях с жестким переключением (hard-switching), таких как корректор коэффициента мощности (PFC) и мостовые схемы (LLC, полумост, полный мост).

Основная философия линейки P6: Оптимальный баланс между тремя критически важными параметрами — сопротивлением открытого канала (RDS(on)), зарядом затвора (Qg) и зарядом выходной емкости (Coss, Eoss). Это позволяет достичь высокой эффективности, особенно на высоких частотах переключения (от 100 кГц и выше), и улучшенной устойчивости к электромагнитным помехам (EMI).

Ключевые особенности и преимущества

1. Сверхнизкое сопротивление RDS(on): 0.099 Ом при 10 В на затворе (VGS=10V). Минимизирует проводимые потери.
2. Оптимизированные динамические характеристики: Сбалансированные заряды Qg и Qoss снижают потери на переключение и позволяют работать на повышенных частотах.
3. Технология SuperJunction: Обеспечивает низкие потери проводимости при высоком рабочем напряжении.
4. Высокая устойчивость к перегрузкам: Технология P6 обеспечивает высокую стойкость к импульсным токам и безопасную рабочую область (SOA).
5. Повышенная надежность: Улучшенная стойкость к лавинным breakdown (Avalanche Ruggedness).
6. Низкий заряд обратного восстановления тела диода (Qrr): Важно для топологий, где встроенный body-diode проводит ток (например, в мостовых схемах).

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (CoolMOS™ P6) | | | Корпус | TO-220 | Полная изоляция (Isolated) | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.099 Ом (макс.) | VGS = 10 В, ID = 13.5 А | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.130 Ом (макс.) | VGS = 4.5 В, ID = 10 А | | Максимальный постоянный ток стока (ID) | 18 А | При Tc = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | 72 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 46 нКл (тип.) | VGS = 10 В | | Заряд выходной емкости (Eoss) | ~ 11.5 мкДж (тип.) | Оптимизирован для мягкого переключения | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.5 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | При Tc = 25°C |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обычно один и тот же кристалл поставляется в разных корпусах и с разными префиксами. Основные парт-номера для этого чипа:

• IPP60R099P6 — Основной номер в корпусе TO-220 FullPAK (изолированный).
• IPD60R099P6 — Тот же кристалл, но в корпусе D²PAK (TO-263). Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) и имеет лучший отвод тепла через плату.
• SPP60R099P6 — Версия в стандартном, неизолированном корпусе TO-220.

Совместимые и конкурирующие модели (Аналоги)

При поиске замены или аналога необходимо учитывать не только основные параметры (600В, ~0.1 Ом), но и технологию, динамические характеристики (Qg, Coss) и корпус.

Прямые аналоги от других производителей (по ключевым параметрам):

• STMicroelectronics:
  • STF18N60M6 (MDmesh™ M6) — 600В, 0.115 Ом, TO-220FP.
  • STW18N60M6 — аналог в корпусе TO-247.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP18N60 — 600В, 0.28 Ом (старая технология, менее эффективный).
  • Более современные аналоги из серий SuperFET II/III, но нужно искать точное соответствие RDS(on).
• Vishay / Siliconix:
  • SUP60N06 — 600В, 0.06 Ом (очень низкое RDS(on), но другие динамические параметры).
• Toshiba:
  • TK18A60W (DTMOS VI) — 600В, 0.18 Ом.

Важное замечание: Несмотря на схожесть основных параметров, динамические характеристики (Qg, Coss, Qrr) у аналогов от других брендов могут значительно отличаться. Это может потребовать корректировки драйвера затвора и повлиять на общую эффективность и нагрев в конкретной схеме. Полная взаимозаменяемость возможна только после тщательного изучения даташитов и, желательно, тестирования в реальной схеме.

Совместимые модели внутри линейки Infineon CoolMOS P6 (для замены в схеме):

Если требуется немного другие параметры в той же технологии, можно рассмотреть:

• IPP60R095P6 — 0.095 Ом (более низкое сопротивление).
• IPP60R125P6 — 0.125 Ом (более высокое сопротивление, обычно дешевле).
• IPP60R140P6 — 0.140 Ом (для менее требовательных применений).

Типичные области применения

• Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в boost-конфигурации.
• Резонансные преобразователи (LLC-полумост/полный мост) для источников питания высокой мощности (например, телевизоры, аудиоусилители).
• Источники питания для освещения (LED драйверы высокой мощности).
• Инверторы и UPS (источники бесперебойного питания).