Infineon IPP60R125C6XKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPP60R125C6XKSA1.

Общее описание

IPP60R125C6XKSA1 — это N-канальный силовой MOSFET транзитор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6 от Infineon. Этот транзистор оптимизирован для высокоэффективных и компактных импульсных источников питания (SMPS), особенно для топологий с жестким переключением (hard switching), таких как Flyback, Forward, LLC-резонансные преобразователи.

Ключевые преимущества семейства CoolMOS C6, воплощенные в этой модели:

• Высокая эффективность: Достигается за счет оптимального баланса между низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и динамическими характеристиками (зарядами затвора и выходной емкостью).
• Улучшенная надежность: Технология предлагает повышенную стойкость к лавинным нагрузкам и расширенную область безопасной работы (SOA).
• Оптимизация для жесткого переключения: C6 специально разработан для работы в условиях жесткого переключения, где важны потери на проводимость и переключение.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET, Enhancement Mode | | | Технология | CoolMOS™ C6 | | | Корпус | TO-220 | С изолирующим отверстием для монтажа | | Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 600 В | | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.125 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 11.5 А | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.16 Ом (макс.) | При V_GS = 4.5 В, I_D = 7.5 А | Важно для работы от драйверов с низким выходным напряжением | | Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 11.5 А | При T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (I_DM) | 46 А | | | Заряд затвора (Q_g) | ~ 47 нКл (тип.) | При V_GS = 10 В, ключевой параметр для расчета драйвера | | Входная емкость (C_iss) | ~ 1200 пФ (тип.) | | | Выходная емкость (C_oss) | ~ 65 пФ (тип.) | Важно для резонансных преобразователей | | Энергия обратного восстановления (E_rr) | Очень низкая | Встроенный быстрый диод (Body Diode) | | Температура хранения/перехода | от -55 до +150 °C / +150 °C макс. | |

Ключевая особенность: Низкое значение R_DS(on) при напряжении затвора 4.5 В (0.16 Ом) делает этот транзистор пригодным для использования в схемах, где ШИМ-контроллер имеет нестандартное или пониженное напряжение управления затвором, что повышает универсальность.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги в других корпусах

Одна и та же кристаллическая технология (чип) часто поставляется в разных корпусах. Для IPP60R125C6XKSA1 основными аналогами являются:

• IPP60R125C6 — базовая часть номера. "IPP" часто указывает на корпус TO-220 с изолирующим отверстием.
• SPP60R125C6 — аналог в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, без металлической подложки), что обеспечивает полную гальваническую изоляцию без использования изолирующей прокладки.
• IPD60R125C6 — аналог в корпусе D²PAK (TO-263), предназначенный для поверхностного монтажа (SMD) и приложений, требующих высокой рассеиваемой мощности на плате.
• IPA60R125C6 — аналог в корпусе TO-247. Имеет более высокие показатели по рассеиваемой мощности за счет большего размера.

Важно: Буквы после "C6" (например, XKSA1) часто обозначают упаковку (напр., катушка, трубка), серию или незначительные ревизии. Основные электрические параметры у моделей с одинаковой центральной частью (60R125C6) идентичны.

Совместимые и конкурирующие модели (Cross-Reference)

При замене необходимо проверять распиновку корпуса и характеристики, особенно заряды и емкости, для сохранения эффективности работы драйвера и преобразователя в целом.

От других производителей (прямые или близкие аналоги):

1. STMicroelectronics:

   • STF11N60M6 (MDmesh™ M6, 600В, 0.125 Ом, TO-220FP) — очень близкий аналог по параметрам и технологии.
   • STW11N60M6 (в корпусе TO-247).

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCP11N60 (SuperFET® II, 600В, 0.19 Ом, TO-220) — немного выше сопротивление.
   • FCH11N60F (в корпусе TO-220FP).

3. Vishay / Siliconix:

   • SUP11N60-18 (600В, 0.18 Ом, TO-220) — из серии высоковольтных MOSFET.

4. Power Integration (PIP):

   • Интеграция этого транзистора в их известные семейства (например, как аналог для замены в ремонте). Конкретные номера зависят от топологии.

Аналоги от Infineon предыдущих поколений:

• IPP60R099CP (CoolMOS™ CP) — более старое поколение, имеет лучшее R_DS(on), но может уступать по динамическим характеристикам в C6.
• IPP60R190C3 (CoolMOS™ C3) — более старое поколение, ориентированное на минимальную стоимость.

Области применения

• Импульсные блоки питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Источники питания для освещения (LED драйверы, в т.ч. мощные).
• ИБП (UPS) и промышленные источники питания.
• Преобразователи для солнечных инверторов малой и средней мощности.

Рекомендация: При замене или выборе аналога всегда сверяйтесь с официальными даташитами, особенно разделы Electrical Characteristics и Switching Characteristics, чтобы убедиться в полной совместимости в вашей конкретной схеме по токам, зарядам и емкостям.