Infineon IPP60R280P6XKSA1

Отличный выбор! IPP60R280P6XKSA1 — это высоковольный силовой MOSFET-транзистор от Infineon, относящийся к известной линейке CoolMOS™ P6. Он оптимизирован для работы в жестких условиях импульсных источников питания.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

Описание и ключевые особенности

IPP60R280P6XKSA1 — это N-канальный MOSFET с технологией Superjunction. Основное назначение — использование в качестве ключевого элемента в схемах импульсных источников питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением (hard switching), таких как:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC)
• Тяжелые LLC-резонансные преобразователи
• Обратноходовые и прямоходовые преобразователи

Линейка CoolMOS™ P6 специально разработана для достижения оптимального баланса между:

1. Сверхнизким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость, повышая общий КПД системы.
2. Отличными динамическими характеристиками: Быстрое переключение снижает коммутационные потери.
3. Высокой надежностью и устойчивостью: Обладает высокой стойкостью к перегрузкам по току и напряжению.

Корпус: TO-220 FullPAK (изолированный). Буквы "XK" в партномере указывают на этот конкретный тип корпуса с изолированной площадкой для монтажа на радиатор без дополнительной изолирующей прокладки.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Superjunction) | CoolMOS™ P6 технология | | Структура | Single | | | Парт номер (Ordering Code) | IPP60R280P6XKSA1 | Полное название для заказа | | Корпус | TO-220 FullPAK (изолированный) | Ключевая особенность (XK) | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 600 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.28 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 5.8 А | | Стоковый ток (ID) | 5.8 А (при Tc=25°C) | Непрерывный ток через кристалл | | Стоковый ток (ID) | 23 А (при Tc=100°C) | Импульсный ток (пиковый) | | Мощность (PD) | 48 Вт | При Tc=25°C | | Заряд затвора (Qg) | 24 нКл (тип.) | При VDS = 400 В | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 4.2 В | | | Время включения (td(on) + tr) | 15 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off) + tf) | 50 нс (тип.) | | | Диод "сток-исток" (Internal Diode) | Есть | Встроенный обратный диод |

Парт номера (Ordering Codes) и варианты корпусов

Одна и та же кремниевая структура (чип) выпускается в разных корпусах. Основные варианты для этого кристалла (600В / 0.28Ом):

1. IPP60R280P6XKSA1 — TO-220 FullPAK (изолированный). Это ваш вариант.
2. IPD60R280P6S — TO-252-3 (DPAK). Поверхностный монтаж (SMD), компактный корпус.
3. IPW60R280P6S — TO-247. Классический мощный корпус с отверстиями для винтов, требует изоляции.
4. SPP60R280P6XKSA1 — Аналогичен IPP, но может поставляться в катушке для автоматизированного монтажа.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

Важно: Полная взаимозаменяемость требует проверки по всем параметрам в конкретной схеме. Представленные ниже аналоги имеют схожие ключевые характеристики (600В, ~0.28 Ом).

От Infineon (другие серии):

• IPP60R280C6 — из более старой, но также эффективной линейки CoolMOS™ C6. Может иметь немного другие динамические характеристики.
• IPA60R280P6S — из той же серии P6, но в корпусе TO-220 (не изолированном).

Аналоги от других производителей:

| Производитель | Парт номер | Серия | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP6N60M2 | MDmesh™ M2 | TO-220 | Ближайший аналог по параметрам. | | ON Semiconductor | FCP6N60 | SuperFET® II | TO-220 | Хорошая альтернатива. | | Vishay / Siliconix | SUP6N60-28 | Super Junction | TO-220 | | | Fairchild / ON Semi | FCPF6N60NT | SuperFET® | TO-220F (изол.) | Аналог в изолированном корпусе. | | Toshiba | TK6A60U | DTMOS IV | TO-220SIS (изол.) | |

Ключевые рекомендации по применению и замене:

1. Корпус: Обращайте внимание на индекс корпуса. XK = изолированный TO-220. При замене на не изолированный (например, обычный TO-220) необходим слюдяной изолятор и пластиковая втулка для крепления.
2. Динамические характеристики: При замене на аналог другого производителя обязательно сверяйте заряд затвора (Qg), внутренние индуктивности и паразитные емкости (Ciss, Coss, Crss). От них зависит работа драйвера и коммутационные потери.
3. Схема защиты: Всегда обеспечивайте корректную работу снаббера (демпфера) и защиту от перенапряжения на стоке (VDS).
4. Официальный источник: Для критичных применений всегда сверяйтесь с последней версией даташита (Datasheet) на официальном сайте Infineon.

Таким образом, IPP60R280P6XKSA1 — это современный, эффективный и надежный MOSFET, идеально подходящий для построения мощных и компактных блоков питания с высоким КПД.