Infineon IPP60R380E6

Отличный выбор! IPP60R380E6 — это высоковольный силовой MOSFET транзистор от Infineon, известный своим высоким КПД и надежностью, особенно в импульсных источниках питания. Вот подробное описание и вся ключевая информация.

Описание и основные особенности

IPP60R380E6 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ E6 (седьмое поколение сверхжёсткого ключа). Эта серия оптимизирована для работы в резонансных топологиях (LLC, ZVS Phase Shift) и корректоров коэффициента мощности (PFC).

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ E6:

• Высокая эффективность: Очень низкие динамические потери (Eoss, Qrr), что критически важно для частотных преобразователей и резонансных схем.
• Высокая надёжность: Улучшенная стойкость к лавинным процессам и высокая стабильность параметров.
• Оптимизация для жесткого переключения (Hard Switching) и мягкого переключения (Soft Switching): Хороший баланс между статическим сопротивлением (Rds(on)) и зарядами.
• Превосходное соотношение цена/производительность.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней и высокой мощности
• Серверные БП, БП для телекоммуникаций
• Плазменные и ЖК-телевизоры, мощные аудиоусилители
• Корректоры коэффициента мощности (PFC) – как в переходном, так и в непрерывном режиме (CCM)
• Резонансные LLC-преобразователи

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, MOSFET, CoolMOS™ E6 | | | Корпус | TO-220 | Классический, для монтажа на радиатор | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 650 В | Стандарт для сетевых напряжений 85-265В | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 0.38 Ом | При Vgs = 10 В, I_d = 5.7 А (тип.) | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 7.5 А | При T_c = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока (Id_pulse) | 30 А | | | Заряд затвора (Qg) | 26 нКл (тип.) | Низкий заряд для снижения потерь на управление | | Энергия обратного восстановления (Eoss) | Очень низкая | Ключевое преимущество для резонансных схем | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.5 - 4.5 В | | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±30 В | | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 125 Вт | При T_c = 25°C (с радиатором) |

Парт-номера и прямые аналоги

Обычно у Infineon есть несколько парт-номеров для одного и того же кристалла в разных корпусах. Для IPP60R380E6 основным является корпус TO-220.

• Полное официальное название: IPP60R380E6XKSA1
  • IPP — серия Infineon Power MOSFET.
  • 60 — обозначение поколения/технологии (E6).
  • R380 — сопротивление Rds(on) ≈ 0.38 Ом.
  • E6 — поколение CoolMOS™.
  • XKSA1 — код корпуса и упаковки (TO-220, без свинца (RoHS), на ленте).

Прямые аналоги и совместимые модели от Infineon (в других корпусах):

• IPW60R380E6 — корпус TO-247. Имеет лучший тепловой отвод и может работать на больших мощностях.
• IPD60R380E6 — корпус D²PAK (TO-263). Для поверхностного монтажа (SMD).
• IPA60R380E6 — корпус TO-220 FullPAK (с изолированной металлической подложкой).

Для замены можно рассматривать транзисторы с похожими ключевыми параметрами: 650В, Rds(on) ~0.3-0.4 Ом, низкий Qg.

Совместимые / конкурирующие модели от других производителей

Важно: Полной электрической и параметрической идентичности может не быть. Перед заменой обязательно сверяйтесь с даташитами, особенно по динамическим характеристикам (Qg, Coss, Qrr) и внутренним диодам.

| Производитель | Модель-аналог | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP11NM60FP, STW11NM60 | TO-220, TO-247 | Более старая технология, параметры могут отличаться. | | ON Semiconductor | FCP11N60, FCPF11N60 | TO-220, TO-220F | Серия SuperFET, также для PFC и резонансных схем. | | Fairchild/ON Semi | FCP11N60S | TO-220 | | | Vishay | SUP11N60-30 | TO-220 | | | Power Integration (в составе чипов) | — | | Используют похожие по характеристикам кристаллы в своих решениях. |

Рекомендации по замене

1. Лучшая замена — внутрилинейный аналог. Если нужен другой корпус, ищите IPW60R380E6 (TO-247) или IPD60R380E6 (TO-263).
2. При выборе аналога от другого бренда обращайте внимание не только на Vds и Rds(on), но и на:
   • Qg (Gate Charge): Влияет на потери управления и требования к драйверу.
   • Coss (Output Capacitance) и Eoss: Критично для КПД в резонансных и QR-схемах.
   • Скорость внутреннего диода (Qrr, trr): Важно для PFC и мостовых схем.

Вывод: IPP60R380E6 — это современный, эффективный и надежный транзистор для построения качественных импульсных блоков питания. Его ключевые преимущества раскрываются в сложных резонансных и PFC-схемах, где важны минимальные динамические потери.