Infineon IPP60R450E6XKSA1
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon IPP60R450E6XKSA1
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для MOSFET транзистора Infineon IPP60R450E6XKSA1.
Общее описание
Infineon IPP60R450E6XKSA1 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6 (Enhanced Superjunction). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким переключением, таких как Flyback, Forward, LLC-резонансные преобразователи.
Ключевая особенность серии E6 — оптимальный баланс между высокой эффективностью и надежностью. Этот транзистор оптимизирован для работы в диапазоне средних мощностей и частот переключения до нескольких сотен кГц.
Технические характеристики (кратко)
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) | | Корпус | TO-220 | Полностью изолированный (FullPAK) | | Структура | Планар | Технология E6 | | Напряжение сток-исток (VDSS) | 650 В | | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.450 Ом (макс.) | При VGS=10 В, ID=10.5 А | | Стоковый ток (ID) | 10.5 А | При TC=25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 42 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 38 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Энергия обратного восстановления (Err) | Очень низкая | Благодаря технологии E6 | | Динамические характеристики | Оптимизированы для снижения EMI | Улучшенная форма волны переключения |
Основные преимущества:
- Высокая эффективность: Низкие потери на проводимость (RDS(on)) и переключение.
- Высокая надежность: Улучшенная стойкость к лавинным breakdown (UIS) и перегрузкам.
- Упрощение схемы: Встроенный диод с быстрым восстановлением, хороший компромисс Qg x RDS(on).
- Низкий уровень EMI: Плавные характеристики переключения способствуют снижению электромагнитных помех.
Парт-номера (Part Numbers) и аналоги
Производитель Infineon часто присваивает транзисторам несколько номеров в зависимости от упаковки (трей, туба, катушка) или региональных особенностей. IPP60R450E6XKSA1 — это полный и основной номер детали.
- Основной номер: IPP60R450E6XKSA1
- IPP: Серия Infineon Power Package (здесь: изолированный TO-220).
- 60R450: 600В (округленно), R = сопротивление в Омах, 450 = 0.450 Ом.
- E6: Поколение технологии CoolMOS™.
- XKSA1: Вариант исполнения/упаковки (TO-220 FullPAK, изолированный).
Важные примечания:
- Будьте внимательны: существуют похожие модели с другими суффиксами (например, для разных корпусов). Всегда сверяйте полный номер.
- Старые аналоги от Infineon, которые эта модель заменила, — это транзисторы серий C6/E6 с похожими параметрами.
Совместимые и аналогичные модели (Cross-Reference)
При поиске замены важно учитывать не только электрические параметры (VDSS, RDS(on), ID), но и динамические характеристики (Qg, Err), а также корпус.
Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):
- SPP60R450E6-XX: Тот же кристалл в корпусе TO-263 (D²PAK). Подходит для поверхностного монтажа.
- IPD60R450E6-XX: Тот же кристалл в корпусе TO-252 (DPAK).
Ближайшие аналоги по ключевым параметрам от других производителей:
Совместимость не всегда бывает полной, требуется проверка по даташиту и, желательно, тестирование в конкретной схеме.
| Производитель | Модель-аналог | Напряжение | RDS(on) | Ток | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP11NK65E6 | 650 В | 0.45 Ом | 10 А | TO-220 | Серия E6, очень близкий аналог | | ON Semiconductor | FCP11N65E6 | 650 В | 0.45 Ом | 11 А | TO-220 | SuperFET® III E6 Series | | Power Integrations | - | - | - | - | - | PI использует свои чипы в монолитных решениях | | Vishay (Siliconix) | SUP60N06-08 | 600 В | 0.45 Ом | 10.5 А | TO-220 | Серия E6 (ранее производства International Rectifier) | | Fairchild/ON Semi | FCPF11N65E6 | 650 В | 0.45 Ом | 11 А | TO-220F | В изолированном корпусе |
Рекомендации по замене
- Приоритет: Лучше всего использовать прямые аналоги от Infineon в другом корпусе (SPP60R450E6, IPD60R450E6), если это позволяет плата.
- Проверка даташита: При выборе аналога от другого бренда обязательно сравните графики зависимости RDS(on) от тока и заряда затвора Qg. Отличия могут повлиять на нагрев и работу драйвера.
- Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-220 FullPAK изолированный или нет). IPP60R450E6XKSA1 имеет изолированный корпус, что позволяет не использовать изолирующую прокладку, но влияет на тепловое сопротивление.
- Схема: В критичных по эффективности и надежности схемах (например, серверные БП) рекомендуется использовать оригинальную или рекомендованную производителем замену.
Вывод: Infineon IPP60R450E6XKSA1 — это высоконадежный и эффективный MOSFET для силовой электроники средней мощности. Его основными конкурентами являются аналогичные модели серии E6 от STMicroelectronics и ON Semiconductor.