Infineon IPP65R280E6

Infineon IPP65R280E6
Артикул: 564053

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IPP65R280E6

Отличный выбор! IPP65R280E6 — это высокопроизводительный транзистор от Infineon, относящийся к семействам CoolMOS™ P6 и E6. Он широко используется в импульсных источниках питания благодаря отличному балансу эффективности, стоимости и надежности.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.


Описание

IPP65R280E6 — это N-канальный MOSFET на основе супер junction технологии CoolMOS™ P6/E6. Ключевые особенности, которые делают его популярным:

  • Высокая эффективность: Технология CoolMOS™ P6 обеспечивает исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) для своего класса, что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
  • Оптимизация для жесткого переключения (Hard Switching): Конструкция транзистора специально разработана для работы в топологиях с жесткой коммутацией (например, Flyback, Forward, Two-Transistor Forward), где важны низкие потери на переключение и хорошая устойчивость к динамическим процессам.
  • Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям (Avalanche Ruggedness) и расширенной зоной безопасной работы (SOA).
  • Быстрая и "мягкая" работа внутреннего диода: Это снижает потери при обратном восстановлении (Qrr), что критично для топологий с индуктивной нагрузкой.
  • Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа и теплоотвода корпус.

Основные области применения:

  • Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
  • Источники питания для освещения (LED драйверы).
  • Корректоры коэффициента мощности (PFC).
  • Преобразователи DC-DC.

Технические характеристики (Ключевые параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | CoolMOS™ P6 / E6 | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 650 В | Максимальное напряжение отключения | | Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 0.280 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 5.7 А | | Стоковый ток (ID) | 11 А | При TC = 25°C (постоянный ток) | | Импульсный ток стока (IDM) | 44 А | Максимальный импульсный ток | | Заряд затвора (Qg) | ~ 42 нКл (тип.) | Важно для расчета драйвера затвора | | Заряд обратного восстановления (Qrr) | ~ 0.65 мкКл (тип.) | Показывает "мягкость" внутреннего диода | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартное для MOSFET | | Корпус | TO-220 | Изолированный или неизолированный (уточняется в datasheet) | | Класс эффективности | Подходит для стандартов 80 PLUS Gold и выше | В правильно спроектированных схемах |


Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Транзисторы имеют различные префиксы и суффиксы, указывающие на корпус, упаковку, качество и т.д. IPP65R280E6 — это одна из таких вариаций.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

  • SPP65R280E6 — Аналог в корпусе TO-247. Имеет лучший теплоотвод из-за большего размера.
  • IPP65R280E6 — TO-220 (обычный, с выводами).
  • IPP65R280E6**-FK** — Может обозначать специальную упаковку (напр., на катушке для автоматического монтажа).
  • SPW65R280E6 — Аналог в корпусе TO-263 (D²PAK) для поверхностного монтажа (SMD).

Важно: Буквы IP / SP / SPW указывают на тип корпуса. Цифровая часть 65R280 (напряжение 650В, R - обозначение, сопротивление 0.280 Ом) и суффикс E6 (поколение технологии) — это ключевой идентификатор.

Совместимые аналоги от других производителей (Кросс-референс):

При поиске замены важно сравнивать не только VDSS и RDS(on), но и динамические параметры (Qg, Qrr), а также характеристики внутреннего диода.

Наиболее близкие аналоги по характеристикам и применению:

  1. STMicroelectronics:

    • STP21N65M6 (650В, 0.280 Ом, 16.5А) — из серии MDmesh™ M6.
    • STP20N65M5 (650В, 0.280 Ом, 15.5А) — серия MDmesh™ M5.
  2. ON Semiconductor / Fairchild:

    • FCP19N60F (600В, 0.280 Ом, 19А) — серия SuperFET® II F. Обратите внимание на напряжение 600В.
    • FCPF11N60FT (600В, 0.320 Ом, 11А) — в корпусе TO-220F (изолированный).
  3. Toshiba:

    • TK11A65W (650В, 0.280 Ом, 11А) — серия DTMOS VI.
  4. Power Integration (для ремонта готовых блоков):

    • Этот транзистор часто используется в связке с контроллерами PI. Прямого аналога у PI нет, но они предлагают собственные интегральные решения.

Важное предупреждение при замене:

  1. Всегда сверяйтесь с Datasheet! Перед заменой необходимо проверить соответствие ключевых параметров, особенно распиновку (pinout) корпуса, которая может отличаться.
  2. Проверьте работу внутреннего диода. В некоторых схемах (особенно PFC) параметры Qrr критичны.
  3. Убедитесь в совместимости драйвера затвора. Разный заряд Qg может потребовать корректировки номиналов элементов обвязки затвора.

Рекомендация: Для новых разработок или качественного ремонта лучшим выбором остается оригинальный IPP65R280E6 или его прямые аналоги от Infineon в других корпусах (SPP65R280E6, SPW65R280E6), так как они гарантируют заявленные динамические характеристики. Аналоги других брендов следует подбирать тщательно, с полным анализом схемы.

Товары из этой же категории