Infineon IPP65R600C6

Отличный выбор! IPP65R600C6 — это один из самых популярных и сбалансированных транзисторов в линейке CoolMOS™ C6 от Infineon. Вот подробное описание, характеристики и совместимые аналоги.

Описание

IPP65R600C6 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой суперджанкционной технологии CoolMOS™ C6. Ключевая задача этой серии — обеспечить максимальную эффективность в жестких коммутационных режимах, характерных для импульсных источников питания (SMPS), особенно в топологиях с жесткой коммутацией (например, Flyback, Forward, Two-Switch Forward).

Основные преимущества и особенности:

• Высокая эффективность: Технология C6 оптимизирована для работы на высоких частотах (вплоть до нескольких сотен кГц), что позволяет уменьшить размеры пассивных компонентов (трансформаторов, дросселей).
• Отличное соотношение Rds(on) * Qg: Низкое сопротивление в открытом состоянии (0.6 Ом) в сочетании с умеренным зарядом затвора обеспечивает низкие как проводимые, так и коммутационные потери.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям (100% тестирование EAS), отличной способностью к dv/dt и высокой стойкостью к статическому электриству (ESD).
• Оптимизация для жесткой коммутации: Внутренняя структура и динамические параметры минимизируют потери на включение/выключение и колебания.
• Корпус TO-220: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошими тепловыми характеристиками.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) для ПК, серверов, бытовой электроники.
• Источники питания для освещения (LED драйверы).
• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в диапазоне мощностей 300-600 Вт.
• Преобразователи для промышленного оборудования.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный Superjunction MOSFET (CoolMOS™ C6) | — | | Корпус | TO-220 | Полная маркировка на корпусе: IPP65R600C6 | | Напряжение сток-исток (Vds) | 650 В | Максимальное рабочее напряжение | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 0.6 Ом | Тип. при Vgs=10 В, Id=3.3 А | | Максимальный постоянный ток стока (Id) | 7.5 А | При Tc=25°C | | Максимальный импульсный ток стока (Id_pulse) | 30 А | — | | Заряд затвора (Qg) | 22 нКл | Тип. при Vgs=10 В, ключевой параметр для расчета драйвера | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.5 - 4.5 В | Тип. 4.0 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 В | — | | Время включения (t_on) / выключения (t_off) | 13 нс / 36 нс | Типовые значения | | Энергия лавинного пробоя (Eas) | 240 мДж | Показатель надежности при индуктивной нагрузке | | Тепловое сопротивление кристалл-корпус (RthJC) | 2.5 К/Вт | — | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Благодаря технологии CoolMOS, что критично для PFC. |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Транзистор может поставляться в разных упаковках или с разными префиксами, но с одинаковыми электрическими параметрами.

Прямые аналоги от Infineon:

• SPP65R600C6 — Аналогичный транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK). Для поверхностного монтажа (SMD). Основная замена для новых проектов.
• IPD65R600C6 — Аналог в корпусе TO-252 (DPAK). Более компактный SMD-корпус.
• ICE3ARxxxx — Номер не аналога, но стоит отметить, что IPP65R600C6 часто используется совместно с этими и другими контроллерами Infineon в законченных решениях.

Функционально совместимые аналоги от других производителей (Cross-Reference):

Важно: При замене необходимо сверять не только основные параметры (Vds, Id, Rds(on)), но и динамические (Qg, Qrr, времена переключения), а также цоколевку.

• STMicroelectronics:
  • STP7N60M6 (650В, 6.7А, 0.65 Ом) — из серии MDmesh™ M6. Ближайший аналог по характеристикам и технологии.
  • STP8N60M6 (650В, 8А, 0.55 Ом) — немного мощнее.
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FCP7N60 (650В, 7А, 0.78 Ом) — из серии SuperFET®.
  • FCP11N60 (650В, 11А, 0.45 Ом) — более мощный вариант.
• Power Integration (в сборках):
  • Не являются прямыми аналогами, так как часто выпускают MOSFET в сборке с контроллером (например, в серии TNY). Замена возможна только если в схеме используется дискретный MOSFET.
• Vishay / Siliconix:
  • SUP7N60-18 (650В, 7А, 0.6 Ом) — из серии E-series.
• Транзисторы из серий других производителей: При поиске ориентируйтесь на ключевые параметры: 650В, 6-8А, Rds(on) ~0.6 Ом, Superjunction технология.

Рекомендации по замене:

1. Первый выбор: Всегда старайтесь использовать аналоги от Infineon в другом корпусе (SPP65R600C6 или IPD65R600C6), если это позволяет конструктив платы.
2. Проверка динамики: При замене на аналог другого бренда обязательно изучайте графики зависимостей (особенно Qg от Vgs и зависимости емкостей) в даташитах.
3. Тепловой режим: Учитывайте различия в тепловом сопротивлении корпусов (TO-220, D²PAK, DPAK).
4. Цоколевка (Pinout): У большинства аналогов в корпусе TO-220 стандартная цоколевка: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток. Но лучше перепроверить.

Вывод: IPP65R600C6 — это надежный, проверенный временем транзистор, являющийся отраслевым стандартом для построения эффективных и компактных сетевых источников питания средней мощности. Его популярность обеспечивает широкую доступность и большое количество совместимых аналогов на рынке.