Infineon IPP80N06S4L-07

IPP80N06S4L-07 - Описание и технические характеристики

IPP80N06S4L-07 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-220, разработанный компанией Infineon Technologies для применений, требующих высокой эффективности и надежности.

Ключевые особенности:

• Оптимизирован для ключевых режимов работы: Идеально подходит для импульсных источников питания (SMPS), DC-DC преобразователей, управление двигателями (например, в автомобильной электронике, инверторах, приводных системах).
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (UIS): Надежная работа в условиях индуктивных коммутаций и выбросов напряжения.
• Быстрое переключение: Благодаря низким зарядам затвора.
• Соответствие стандарту RoHS: Без содержания свинца и других вредных веществ.

Детальные технические характеристики:

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220 | — | Пластиковый, с возможностью крепления на теплоотвод | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 60 | В (Вольт) | Максимальное напряжение | | Ток стока (Id) | 80 | А (Ампер) | При Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 7.0 | мОм (миллиОм) | Типовое при Vgs=10 В, Id=40 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 | В | Стандартный диапазон | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 | В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~70 | нКл (наноКулон) | Типовое, влияет на скорость переключения | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 200 | Вт (Ватт) | При Tc=25°C | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Низкое | — | Важно для мостовых и синхронных схем | | Диапазон рабочих температур | -55 … +175 | °C | |

Парт-номер (Part Number) и аналоги

Основной парт-номер (Ordering Code):

• IPP80N06S4L-07 (полное обозначение)

Совместимые и аналогичные модели (прямые или функциональные аналоги):

1. От Infineon (наиболее близкие по характеристикам):

• IPP80N06S4-07 — Предшественник или очень близкий аналог, может отличаться незначительными параметрами.
• IPP80N06S2L-07 — Аналог с более низким Rds(on) (около 2.5 мОм), но, как правило, с меньшей стойкостью к UIS.
• SPP80N06S4L-07 — Может быть версией в другом корпусе (например, TO-263 / D²PAK) для поверхностного монтажа.
• IRF3205 (от International Rectifier, ныне часть Infineon) — Классический аналог (55В, 110А, 8.0 мОм), часто используется в схожих применениях, но с другими параметрами.

2. От других производителей (функциональные аналоги): При поиске аналога необходимо сверять ключевые параметры: Vds=60В, Id=70-100А, Rds(on) ~7 мОм, корпус TO-220.

• STMicroelectronics: STP80NF06, STP80N06
• Vishay / Siliconix: SUP80N06-07 (серия TrenchFET®)
• ON Semiconductor: NTMFS6H06N (в более современных корпусах)
• Fairchild/ON Semi: FDP80N06
• Toshiba: TK80N06K

Важное примечание по замене: Перед заменой обязательно необходимо:

1. Сравнить даташиты обоих компонентов.
2. Обратить внимание на распиновку (pinout) корпуса, особенно если производитель другой.
3. Проверить критические для вашей схемы параметры: Qg, Qrr, характер диаграммы Rds(on) от Vgs.
4. IPP80N06S4L-07 является частью оптимизированной линейки Infineon, поэтому полный аналог с такими же динамическими характеристиками и надежностью может быть только от Infineon.

Типичные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в низковольтных цепях (12В/24В шины).
• Синхронные выпрямители в DC-DC преобразователях.
• Управление электродвигателями (автомобильные стеклоподъемники, насосы, вентиляторы).
• Низковольтные инверторы и приводы.
• Силовые ключи в системах управления аккумуляторами (BMS) для высоких токов.
• Цепи защиты от обратной полярности (e-fuse).