Infineon IPW60R070CFD7

Отличный выбор! IPW60R070CFD7 — это высокопроизводительный MOSFET транзистор от Infineon, относящийся к их топовой линейке CoolMOS™ CFD7. Он создан для самых требовательных приложений, где критичны эффективность, надежность и плотность мощности.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимые аналоги.

Описание и ключевые особенности

IPW60R070CFD7 — это N-канальный MOSFET на напряжение 600 В, с низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и рекордно низкими динамическими потерями.

Основное назначение: Высокочастотные импульсные источники питания (SMPS), особенно:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC) — как в критичных, так и в переходных режимах (CCM, TM).
• Резонансные преобразователи (LLC).
• Серверные БП, промышленные БП, телекоммуникационное оборудование, зарядные устройства для электромобилей (EV), солнечные инверторы.

Ключевые технологические преимущества линейки CFD7:

1. Супер-быстрый корпусный диод (Fast Body Diode): Крайне малое время обратного восстановления (Qrr) и мягкая характеристика восстановления. Это главная "фишка" CFD7, которая радикально снижает коммутационные потери и помехи (EMI) в мостовых и резонансных схемах, а также в PFC.
2. Оптимизированные динамические параметры: Низкие заряды переключения (Qg, Qgd), что снижает потери на управление и позволяет работать на высоких частотах (сотни кГц).
3. Высокая стойкость к динамическому включению (dv/dt): Надежная работа в жестких коммутационных условиях.
4. Корпус TO-247: Обеспечивает хороший теплоотвод.

Проще говоря: Если в вашей схеме важна не только статическая эффективность (потери на проводимость), но и динамическая эффективность (потери при переключениях), особенно при использовании встроенного диода, то CFD7 — один из лучших выборов на рынке.

Технические характеристики (основные)

• Тип: N-канальный MOSFET, технология CoolMOS™ CFD7.
• Корпус: TO-247.
• Напряжение "сток-исток" (VDS): 600 В
• Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 70 мОм (макс.) при Vgs=10 В и токе 21.5 А. (Номер модели указывает на это: 070 -> 0.070 Ом).
• Максимальный постоянный ток стока (ID @ 25°C): 34 А
• Максимальный импульсный ток стока (IDpuls): 136 А
• Заряд затвора (Qg, типовое): 75 нКл (при Vgs=10 В) — низкое значение для облегчения управления.
• Заряд обратного восстановления встроенного диода (Qrr, типовое): 0.90 мкКл — очень низкое значение, ключевое преимущество.
• Энергия обратного восстановления (Eoss): Низкая, что критично для резонансных преобразователей.
• Пороговое напряжение затвора (VGS(th)): 3.0 - 5.0 В

Тепловые параметры:

• Максимальная мощность рассеяния (PD): 300 Вт (на изолирующем теплоотводе)
• Тепловое сопротивление "переход-корпус" (RthJC): 0.4 °C/Вт

Парт-номера (Part Numbers) и корпусные варианты

Основной и полный номер — IPW60R070CFD7. Он включает в себя обозначение корпуса (IPW = изолированный корпус TO-247). Иногда в спецификациях или на сайтах дистрибьюторов могут указываться сокращенно.

Прямые аналоги в других корпусах от Infineon:

• IPW60R070CFD7 (TO-247) — базовый вариант, который вы указали.
• IPP60R070CFD7 — TO-220 корпус. Идентичные характеристики, но в меньшем, не изолированном корпусе с меньшей рассеиваемой мощностью.
• IPZ60R070CFD7 — TO-262 корпус. Промежуточный вариант между TO-220 и TO-247.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей

Прямых "кальок" с такими же выдающимися параметрами диода у других брендов может не быть, но по основным электрическим характеристикам (600В / ~70 мОм) можно подобрать аналоги. Важно: Замена требует проверки в конкретной схеме, особенно если используется встроенный диод.

Аналоги от конкурентов (в корпусе TO-247):

1. STMicroelectronics:

   • STW60N60DM6 (MDmesh™ DM6) — также имеет быстрый диод, хороший аналог по динамике.
   • STW60N60M6 (MDmesh™ M6) — более старая серия, диод медленнее.

2. ON Semiconductor / Fairchild:

   • FCH60N60F (SuperFET® III) — технология с быстрым диодом.
   • FCP60N60 — также популярная серия.

3. Texas Instruments:

   • Могут предлагать аналоги под своей маркировкой, но часто это переупакованные кристаллы других производителей.

4. Vishay / Siliconix:

   • SUP60N06-18 (серия E Series) — высокопроизводительные MOSFET.

5. Wolfspeed (Cree):

   • Предлагают SiC MOSFET (например, C3M0060065D), которые на порядок лучше по динамическим характеристикам, но значительно дороже и требуют пересмотра схемы управления.

Рекомендация по замене:

• Для PFC и мостовых схем: Ищите модели с низким Qrr (желательно < 1.5 мкКл). Помимо CFD7 (Infineon), хорошо подходят DM6 (ST) и SuperFET III (ON).
• Для LLC-резонансных преобразователей: Ключевой параметр — низкая Eoss. CFD7 здесь также является одним из лидеров.
• Прямая замена в существующей схеме: Если плата рассчитана на использование быстрого диода CFD7, замена на более дешевый MOSFET с медленным диодом может привести к перегреву и выходу из строя из-за возросших динамических потерь.

Вывод: IPW60R070CFD7 — это премиальный компонент для высокоэффективных и высокочастотных решений. При поиске аналога в первую очередь стоит смотреть на модели той же серии CFD7 в другом корпусе (IPP, IPZ), а затем на топовые серии конкурентов с акцентом на параметры быстрого диода (Qrr, trr).