Infineon IPW60R160C6FKSA1

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для силового MOSFET транзистора Infineon IPW60R160C6FKSA1.

Общее описание

Infineon IPW60R160C6FKSA1 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C6. Этот транзистор принадлежит к семейству суперджекшн (Superjunction) MOSFET и оптимизирован для высокоэффективных и компактных решений в импульсных источниках питания (SMPS), особенно в топологиях с жестким и резонансным переключением (например, LLC, PFC).

Ключевая особенность линейки C6 — оптимальный баланс между низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg), что позволяет достигать высокой эффективности на высоких частотах переключения (от десятков до сотен кГц). Корпус TO-247 обеспечивает хороший отвод тепла.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Infineon Technologies | | | Семейство | CoolMOS™ C6 | Оптимизированы для эффективного переключения | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Superjunction) | | | Корпус | TO-247 | | | Полярность | Enhancement Mode | Нормально закрытый |

1. Предельные электрические параметры (Absolute Maximum Ratings) | Параметр | Символ | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 650 | В | | Непрерывный ток стока (при T_c=25°C) | I_D | 21 | А | | Непрерывный ток стока (при T_c=100°C) | I_D | 13 | А | | Импульсный ток стока | I_DM | 84 | А | | Рассеиваемая мощность (при T_c=25°C) | P_tot | 300 | Вт | | Напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±30 | В | | Рабочая температура перехода | T_J | от -55 до +150 | °C |

2. Основные электрические параметры (Key Electrical Characteristics) | Параметр | Символ | Условия | Тип. значение | Макс. значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Сопротивление откр. канала | R_DS(on) | V_GS=10 В, I_D=10.5 А | 0.160 | 0.190 | Ом | | | | V_GS=15 В, I_D=10.5 А | 0.150 | 0.175 | Ом | | Полный заряд затвора | Q_g | V_DS=400 В, V_GS=0-15 В | 60 | нКл | | Заряд затвора для переключения | Q_gs / Q_gd | V_DS=400 В, V_GS=0-15 В | 9.5 / 23 | нКл | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | V_DS=V_GS, I_D=250 мкА | 3.0 | 5.0 | В | | Выходная емкость | C_oss | V_DS=25 В, f=1 МГц | 130 | пФ | | Емкость обратной связи | C_rss | V_DS=25 В, f=1 МГц | 9 | пФ |

3. Диодные характеристики (Internal Body Diode) | Параметр | Символ | Значение | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Прямой ток стока-истока | I_SD | 21 | А | | Время обратного восстановления | t_rr | 160 | нс | | Заряд обратного восстановления | Q_rr | 1.3 | мкКл |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги от Infineon

Официальным и полным парт-номером является именно IPW60R160C6FKSA1. Однако, в зависимости от региона, упаковки или незначительных маркировочных отличий, можно встретить:

• IPW60R160C6 (сокращенное название серии на схемах и в каталогах).
• IPW60R160C6FKSA1 (полный номер, где F может указывать на корпус TO-247, KSA1 — на упаковку/версию).

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены важно смотреть не только на RDS(on), но и на напряжение V_DSS, заряд Q_g, корпус и динамические характеристики.

1. Прямые/близкие аналоги от Infineon (тот же класс 650В / ~0.16 Ом):

• IPP60R160C6 (в корпусе TO-220 FullPAK) — электрический аналог, но в другом корпусе с худшим теплоотводом.
• IPW60R145C6 / IPW60R190C6 — соседние модели в линейке C6 с немного меньшим (0.145 Ом) или большим (0.190 Ом) сопротивлением. Часто взаимозаменяемы с учетом перерасчета потерь.
• SPW47N60C3 (из более старого семейства CoolMOS C3) — может рассматриваться как аналог, но с другими динамическими параметрами.

2. Аналоги от других производителей (важно проверять datasheet и пиноводство!):

• STMicroelectronics: STW21N65M6, STW24N60M6 (серия MDmesh™ M6).
• ON Semiconductor / Fairchild: FCP21N60F, FCPF21N60FT (серия SuperFET® F).
• Vishay / Siliconix: SUD21N06-650L (серия N-channel Power MOSFET).
• Toshiba: TK21A65W (серия DT MOS VI).

3. Совместимые модели для ремонта популярной техники: Данный транзистор часто встречается в:

• Блоках питания для ПК (High-End) — в каскаде PFC и/или в полумостовом/полномостовом инверторе.
• Сварочных инверторах — в силовой части.
• Импульсных источниках питания промышленного оборудования и серверных БП. В таких случаях часто можно найти оригинальные модули или платы, где используются транзисторы этой серии.

Ключевые преимущества и применение

• Высокая эффективность: Низкие потери на проводимость и переключение.
• Работа на высоких частотах: Благодаря низкому Q_g и C_oss.
• Надежность: Широкий диапазон рабочих температур, стойкость к перегрузкам.
• Основные применения: Импульсные источники питания (PFC, LLC-резонансные преобразователи), промышленные системы питания, приводы двигателей, ИБП, сварочное оборудование.

Важное замечание: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно обращайте внимание на распиновку (pinout) корпуса, так как у разных производителей в одном корпусе (TO-247) расположение затвора, стока и истока может отличаться. Рекомендуется также проверять цепь управления затвором на предмет необходимости корректировки номиналов резисторов.