Infineon IPW60R190E6

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon IPW60R190E6.

Описание

Infineon IPW60R190E6 — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ E6 (Enhanced Superjunction MOSFET). Он предназначен для использования в высокоэффективных импульсных источниках питания, особенно в топологиях с жестким переключением (hard-switching), таких как:

• Корректоры коэффициента мощности (PFC), особенно в критическом режиме (CrM) и непрерывном режиме (CCM).
• Импульсные источники питания (SMPS) для промышленного оборудования, серверов, телекоммуникаций.
• Инверторы и драйверы для освещения (LED drivers).

Ключевые преимущества технологии CoolMOS™ E6:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) при высокой скорости переключения.
• Оптимизация для жесткого переключения: Сбалансированные динамические параметры (заряды Qg, Qoss, Eoss) минимизируют коммутационные потери.
• Высокая надежность: Расширенный диапазон рабочих температур, высокая стойкость к лавинным breakdown (Avalanche Ruggedness), что повышает устойчивость к перенапряжениям.
• Соответствие стандартам энергоэффективности: Позволяет проектировать блоки питания, соответствующие жестким нормам (80 PLUS Titanium, Platinum и т.д.).

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (CoolMOS™ E6) | | | Структура | Superjunction (SJ) | | | Корпус | TO-247 | Классический корпус для мощных применений. | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 650 В | Стандартное напряжение для сетевых приложений (400В шина после PFC). | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 0.190 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 16.5 А. Ключевой параметр, отраженный в названии. | | Максимальный постоянный ток стока (Id @ 25°C) | 16.5 А | При температуре корпуса 25°C. | | Максимальный импульсный ток стока (Id_pulse) | 66 А | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 52 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В. Важно для расчета драйвера. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 300 Вт | При температуре корпуса 25°C. | | Диапазон рабочей температуры (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная температура кристалла. | | Внутренний диод сток-исток | Есть (Body Diode) | Быстрый обратный диод, но не "супер-быстрый" (не SiC). |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Производитель Infineon может использовать разные префиксы для одного и того же кристалла в зависимости от логистики и упаковки. Основной номер — IPW60R190E6.

Прямые аналоги и совместимые модели от Infineon:

• SPW60R190E6 — Абсолютно идентичная модель, но в корпусе TO-247-3 long leads (с длинными выводами). Это прямой функциональный аналог.
• IPP60R190E6 — Аналог в корпусе TO-220 FullPAK. Имеет те же электрические параметры, но меньшую максимальную рассеиваемую мощность из-за корпуса. Подходит для менее мощных или более компактных решений.
• В семействе CoolMOS E6 на 650В и близким сопротивлением также существуют модели: IPW60R180E6 (0.180 Ом), IPW60R220E6 (0.220 Ом). Их можно рассматривать как соседние по характеристикам, но необходимо пересчитывать потери.

Аналоги от других производителей (Cross-Reference / Second Source): Прямых 100% идентичных аналогов от других брендов не существует из-за патентованной технологии Superjunction, но есть функционально и параметрически близкие замены. Важно всегда сверяться с даташитом и проверять ключевые параметры (Qg, Coss, Rds(on) при том же Vgs).

Наиболее близкие аналогичные модели (N-канал, 650В, TO-247, низкое Rds(on)):

• STMicroelectronics: STW60N60DM6AG (из серии MDmesh™ DM6), STW60N65M5 (серия MDmesh™ M5). Нужно сравнивать динамические параметры.
• ON Semiconductor / Fairchild: FCP60N65S3 (серия SuperFET® III). Часто используется как рекомендуемая альтернатива.
• Vishay / Siliconix: SJEP60R065A (серия E Series) или SJEP60R190 (более старая серия).
• Toshiba: TK60N65W5 (серия DTMOSVI).

Рекомендации по замене

1. При замене на аналог от другого производителя обязательно обратите внимание на:

   • Заряды (Qg, Qgd, Qoss): От них напрямую зависят потери на переключение и требования к драйверу.
   • Емкость выхода (Coss): Влияет на потери при нулевом напряжении (ZVS) и жестком переключении.
   • Зависимость Rds(on) от Vgs: IPW60R190E6 нормирован при Vgs=10В. Некоторые аналоги могут быть оптимизированы для 12В или 15В.
   • Характеристики внутреннего диода (trr, Qrr): Важно для топологий, где диод проводит ток (например, PFC).

2. Прямая замена внутри линейки Infineon:

   • TO-247 на TO-247: IPW60R190E6 ←→ SPW60R190E6 (наиболее безопасная и полная замена).
   • TO-247 на TO-220: IPW60R190E6 → IPP60R190E6 (только если позволяет тепловой режим и мощность).

Вывод: Infineon IPW60R190E6 — это высококачественный и популярный MOSFET для мощных и эффективных сетевых преобразователей. При поиске замены в первую очередь стоит рассматривать его прямые аналоги от Infineon в других корпусах, а затем уже тщательно подобранные модели от других вендоров с акцентом на динамические характеристики.