Infineon IRF1607PBF

Infineon IRF1607PBF

Описание: Infineon IRF1607PBF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET, предназначенный для эффективного и надежного переключения в мощных цепях постоянного тока. Этот транзистор разработан для приложений, требующих низкого сопротивления открытого канала (RDS(on)) и высокой скорости переключения, что минимизирует потери проводимости и переключения. Благодаря высокой устойчивости к лавинным нагрузкам и отличному соотношению цена/производительность, он широко используется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, моторных приводах, системах управления батареями и силовых инверторах.

Ключевые особенности:

• Передовая технология HEXFET: Обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую эффективность.
• Высокая устойчивость к лавинным процессам (UIS): Надежная работа в условиях индуктивных нагрузок.
• Полностью пассивированная (Lead-Free) и галоген-фри упаковка: Соответствует современным экологическим стандартам.
• Быстрая скорость переключения: Позволяет работать на высоких частотах.
• Низкий пороговый уровень управляющего напряжения (VGS(th)): Упрощает управление от стандартных контроллеров (логический уровень).
• Высокая надежность и долговечность.

Технические характеристики (основные):

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | — | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220 | — | С изолирующим отверстием | | Сток-исток напряжение (VDSS) | 75 | В | Максимальное напряжение "сток-исток" | | Постоянный ток стока (ID при 25°C) | 110 | А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (IDM) | 440 | А | — | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 5.0 | мОм | При VGS = 10 В, ID = 55 А | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2.0 — 4.0 | В | Тип. 3.0 В | | Макс. напряжение затвор-исток (VGSS) | ±20 | В | — | | Общий заряд затвора (Qg) | 130 | нКл | При VGS = 10 В | | Мощность рассеяния (PD) | 330 | Вт | При температуре корпуса 25°C | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 1.1 | мкКл | Интегральный обратный диод | | Диапазон рабочих температур (Tj) | -55 … +175 | °C | — |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые / аналогичные модели

Важно: Полная взаимозаменяемость зависит от конкретной схемы и рабочих условий (особенно по параметрам RDS(on), Qg, VGS(th)). Перед заменой необходим анализ даташитов.

1. Прямые аналоги от Infineon (той же серии/семейства):

• IRF1607SPBF — Аналогичная модель в корпусе TO-263 (D²PAK) для поверхностного монтажа (SMD).
• IRF1407PBF — Близкий аналог с VDSS = 75В, но ID = 130А и RDS(on) = 4.0 мОм (более мощный).
• IRF1507PBF — Близкий аналог с VDSS = 75В, ID = 100А и RDS(on) = 6.0 мОм.
• IRFB3207PBF — Модель с более низким RDS(on) = 2.3 мОм (при 10В), но в корпусе TO-220 FullPAK.

2. Совместимые модели / аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STP160N75F3 — Очень близкий аналог (N75, RDS(on)=4.5 мОм).
• Vishay / Siliconix: SQJB110AE7_GE3 — Аналог с похожими параметрами.
• ON Semiconductor / Fairchild: FDP110N08 — Аналог с напряжением 80В (обратите внимание на разницу в 5В).
• IXYS: Аналоги из серии высокотоковых MOSFET.
• NXP (Freescale): Аналоги в линейке Power MOSFET.

3. Ключевые параметры для поиска аналогов:

При подборе замены ориентируйтесь на следующие параметры в порядке важности:

1. Тип и полярность: N-канальный.
2. Корпус: TO-220 (или аналог для вашей платы, например, D²PAK).
3. Напряжение VDSS: ≥ 75В (можно больше, но не меньше).
4. Ток ID: ≥ 110А (можно больше).
5. Сопротивление RDS(on): Сопоставимое или ниже (лучше).
6. Характеристики затвора (Qg, VGS(th)): Желательно близкие для сохранения динамики переключения и управления.

Рекомендация: Всегда сверяйтесь с официальными даташитами (техническими описаниями) как оригинальной детали, так и предлагаемого аналога, особенно в критичных по току, тепловому режиму и частоте переключения применениях. Указанные аналоги являются типовыми и могут иметь отличия в динамических характеристиках, внутренней емкости и ESR внутреннего диода.