Infineon IRF2804LPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного MOSFET транзистора Infineon IRF2804LPBF.

Описание

IRF2804LPBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon. Ключевая особенность этой модели — очень низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)), что делает ее исключительно эффективной для приложений, где критичны потери на проводимость и тепловыделение.

Этот транзистор предназначен для использования в качестве электронного ключа в цепях постоянного тока в таких областях, как:

• Силовая электроника: источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, схемы синхронного выпрямления.
• Управление двигателями: контроллеры двигателей постоянного тока (в т.ч. стартеры), сервоприводы, промышленная автоматика.
• Автомобильная электроника: системы управления (ECU), соленоиды, блоки реле (твердотельные реле — SSR).
• Инверторы и сварочное оборудование.

Модель имеет изолированный сток (транзистор установлен на изолирующей теплопроводящей подложке), что позволяет монтировать его на общий радиатор без изолирующих прокладок, улучшая теплоотвод. Корпус TO-262 (полный аналог D²PAK) обеспечивает хороший баланс между компактностью и способностью рассеивать мощность.

Ключевые технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | | | Корпус | TO-262 (D²PAK) | Планарный, с изолированным стоком | | Сток-исток напряжение (V_DSS) | 40 В | Максимальное допустимое напряжение | | Непрерывный ток стока (I_D) при T=25°C | 75 А | При идеальных условиях охлаждения | | Импульсный ток стока (I_DM) | 300 А | | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 2.0 мОм (макс.) при V_GS=10 В | Главное преимущество. Очень низкое значение | | | 1.6 мОм (тип.) при V_GS=10 В | | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2 - 4 В | Стандартный уровень управления | | Заряд затвора (Q_g) (тип.) | 110 нКл | Показатель скорости переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | Зависит от условий теплоотвода | | Диод обратного восстановления | Интегрированный быстрый обратный диод | Важно для индуктивных нагрузок |

Основные преимущества:

1. Сверхнизкое R_DS(on): Минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
2. Высокая эффективность: Идеален для энергосберегающих решений.
3. Высокая перегрузочная способность: Выдерживает большие импульсные токи.
4. Планарный корпус с изоляцией: Упрощает монтаж на радиатор.

Парт-номера и прямые аналоги

1. Прямые парт-номера (полностью идентичные изделия от Infineon):

• IRF2804LPBF — основной коммерческий номер для поставок.
• IRF2804L — базовая часть номера без указания на бессвинцовость (Pb-free), но фактически современные компоненты все бессвинцовые.

2. Совместимые аналоги от других производителей (с максимально близкими параметрами): При замене всегда рекомендуется сверять даташиты, особенно по динамическим характеристикам (заряды, емкости) и корпусу.

| Производитель | Парт-номер | Корпус | Ключевые отличия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Vishay / Siliconix | SUP75N04-04 | TO-263 | Очень близкий аналог, R_DS(on) = 4.0 мОм. Классический и популярный. | | STMicroelectronics | STP75NF04 | TO-220 | R_DS(on) = 4.0 мОм. В корпусе TO-220 (менее мощный). | | ON Semiconductor | FDP7030L | TO-252 | R_DS(on) = 3.0 мОм. В корпусе DPAK (меньше размер). | | International Rectifier | IRF2904 | TO-262 | Более старое поколение, R_DS(on) выше. | | Fairchild (ON Semi) | FDBL86062 | TO-262 | Мощный аналог с похожими характеристиками. |

3. Улучшенные / Более современные аналоги (могут иметь лучшие параметры):

• Infineon IPLU300N04S4-R8 (OptiMOS 4) — R_DS(on) всего 0.8 мОм при 300А, но в корпусе TO-262. Технологически более продвинутый.
• Аналоги из линеек OptiMOS, StrongIRFET от Infineon, TrenchFET от Vishay, StripFET от ST — с более низким R_DS(on) и улучшенной динамикой.

Рекомендации по применению и замене

1. При замене обращайте внимание не только на статические параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и на динамические (Q_g, C_iss), так как от них зависит работа драйвера затвора.
2. Корпус: TO-262 (D²PAK) и TO-263 (D²PAK+) часто взаимозаменяемы по посадочному месту, но TO-263 обычно имеет больший контакт стока на задней стороне для лучшего теплоотвода.
3. Управление: Несмотря на стандартный порог, для полного открытия и достижения минимального R_DS(on) рекомендуется напряжение на затворе 10В.
4. Тепловой режим: Обязателен адекватный теплоотвод. Используйте термопасту при монтаже на радиатор.

Данный транзистор является проверенным и надежным решением для задач, требующих коммутации больших токов с минимальными потерями.