Infineon IRF5210SPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по аналогам для полевого транзистора Infineon IRF5210SPBF.

Описание

IRF5210SPBF — это мощный P-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзитоp), выполненный по передовой технологии HEXFET. Предназначен для управления нагрузками с отрицательным напряжением (или коммутации «верхнего плеча» — High-Side в P-канальной конфигурации).

Ключевые особенности и применение:

• Тип проводимости: P-Channel. Управляется отрицательным напряжением на затворе относительно истока (Vgs < 0). Для полного открытия обычно требуется Vgs = -10 В.
• Основное назначение: Коммутация больших токов в цепях постоянного тока. Идеально подходит для:
  • Управление питанием (Power Switching): Включение/выключение мощных нагрузок, модулей, плат (например, в источниках питания, распределителях питания).
  • DC-моторы и соленоиды: Управление направлением или просто включение/выключение.
  • Высоковольтные импульсные преобразователи (в P-канальной топологии).
• Корпус: TO-220AB. Классический, удобный для монтажа на радиатор корпус с хорошим соотношением цена/производительность.
• Ключевое преимущество: Низкое сопротивление открытого канала Rds(on) для своего класса, что минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.

Основные технические характеристики (ТХ)

При Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | P-Channel (HEXFET) | — | МОП-транзистор с вертикальной структурой | | Корпус | TO-220AB | — | Пластиковый, с металлической подложкой | | Полярность управления | Отрицательное Vgs | — | | | Макс. напряжение «сток-исток» | -100 | В (Вольт) | Vds | | Макс. непрерывный ток стока | -23 | А (Ампер) | При Tc = 25°C | | Сопротивление открытого канала | 0.060 | Ом (Ом) | Rds(on), при Vgs = -10 В, Id = -11.5 А | | Пороговое напряжение затвора | от -2.0 до -4.0 | В (Вольт) | Vgs(th), типично -3 В | | Макс. напряжение «затвор-исток» | ±20 | В (Вольт) | Vgs — критический параметр! | | Общий заряд затвора | 63 | нКл (нанокулон) | Qg — важен для расчета драйвера | | Время включения / выключения | 85 / 110 | нс (наносекунды) | t_d(on) / t_d(off) | | Макс. рассеиваемая мощность | 150 | Вт (Ватт) | При Tc = 25°C (с радиатором!) | | Диод истока-стока | Встроенный (Body Diode) | — | Параметры: Ifsm = -23 А, Vsd = -1.3 В |

Важные примечания по применению:

1. Управление: Для быстрого переключения и минимизации потерь необходим драйвер MOSFET, способный быстро зарядить/разрядить емкость затвора (63 нКл).
2. Радиатор: При токах более 2-3 А и/или высокой частоте переключения обязательно требуется теплоотвод. Корпус TO-220AB предназначен для крепления на радиатор.
3. Защита от статики (ESD): Как и все MOSFET, требует осторожного обращения.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Указаны номера от различных производителей с аналогичными или очень близкими характеристиками.

Прямые аналоги (Drop-in Replacements)

Эти модели имеют схожие или идентичные характеристики, аналогичный корпус (TO-220AB) и, как правило, взаимозаменяемы в большинстве схем.

• STMicroelectronics: STP80PF55 (более старый, но очень близкий аналог, -55В, -80А, Rds(on) ~0.02 Ом).
• Vishay / Siliconix: SUP75P06-08 (очень популярный и распространенный аналог, -60В, -75А, Rds(on) ~0.008 Ом). Часто используется как замена.
• Fairchild / ON Semiconductor: FQP50P06 (-60В, -50А, Rds(on) ~0.022 Ом).
• International Rectifier (входит в Infineon): IRF4905 (-55В, -74А, Rds(on) ~0.02 Ом). Классический и широко известный аналог.

Совместимые / близкие по параметрам модели (от Infineon и других)

Модели с похожими или лучшими ключевыми параметрами (напряжение, ток), которые могут быть использованы в новых разработках или как модернизация.

• Infineon:
  • IRF9Z34N (-55В, -19А, Rds(on) ~0.1 Ом) — менее мощный.
  • IRF5210 (это базовая модель, SPBF — вариант упаковки).
  • IRF7416 (-60В, -12А, Rds(on) ~0.05 Ом, логический уровень Vgs(th)).
  • IPP60R060P7 (-600В, -23А, Rds(on) ~0.06 Ом) — для значительно более высоких напряжений (из линейки CoolMOS).
• ON Semiconductor:
  • FQP27P06 (-60В, -27А, Rds(on) ~0.07 Ом).
  • NTMFS5C670NL (-30В, -60А, Rds(on) ~0.006 Ом) — в корпусе SO-8FL, для компактных плат.

Рекомендация по замене

1. Прямая замена в ремонте: Лучше всего искать SUP75P06-08 (Vishay) или IRF4905. Всегда проверяйте цоколевку (pinout) на datasheet, хотя для TO-220AB она обычно стандартная (1-Gate, 2-Drain, 3-Source).
2. Для новой разработки: Рекомендуется искать более современные модели с меньшим Rds(on) и зарядом затвора (Qg), особенно если важна эффективность или частота переключения. Используйте параметрический поиск на сайтах производителей (Infineon, Vishay, ON Semi) по ключевым параметрам: Vds = -100В, Id > -20А.

Всегда сверяйтесь с официальным даташитом (datasheet) перед заменой или использованием в новой схеме, особенно обращая внимание на пороговое напряжение (Vgs(th)) и заряд затвора (Qg).