Infineon IRF5305PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET транзистора Infineon IRF5305PBF.

Описание

Infineon IRF5305PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchMOS. Он предназначен для коммутации значительных токов при низком напряжении управления, что делает его идеальным решением для широкого спектра импульсных и линейных приложений.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) минимизирует потери мощности и нагрев.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии TrenchMOS и низким емкостям, подходит для ШИМ-управления на средних и высоких частотах.
• Управление логическим уровнем: Полностью открывается при напряжении на затворе (Vgs) всего 4.5 В (или даже ниже, в зависимости от тока), что позволяет напрямую управлять от микроконтроллеров (логика 5В) без драйверов.
• Надежность: Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Rated).
• Корпус: Выпускается в популярном корпусе TO-220, удобном для монтажа на радиатор.

Типичные области применения:

• Источники питания (DC-DC преобразователи, POL-модули)
• Управление двигателями (H-мосты, приводы вентиляторов)
• Силовые ключи в инверторах и контроллерах
• Импульсные регуляторы нагрузки
• Системы управления аккумуляторами (BMS)

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, Enhancement Mode (нормально закрытый) | — | | Корпус | TO-220 (Through-Hole) | Инфайнеон также выпускает его в D²PAK (SMD) под другим номером | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 55 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Ток стока (Id) | 31 А | При температуре корпуса 25°C | | | 18 А | При температуре корпуса 100°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.060 Ом (60 мОм) | Vgs = 10 В, Id = 17 А | | | 0.085 Ом (85 мОм) | Vgs = 4.5 В, Id = 12 А | Ключевой параметр для работы от 5В | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 – 2.0 В | Тип. 1.5 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) | | Макс. напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | — | | Общий заряд затвора (Qg) | 24 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В | Важно для расчета драйвера | | Мощность рассеяния (Pd) | 74 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Диод сток-исток (Body Diode) | Есть | Прямой ток (Is) = 31 А, Vsd = 1.2 В |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (разные корпуса/маркировки):

• IRF5305PBF – основной номер в TO-220.
• IRF5305SPBF – аналог в корпусе D²PAK (TO-263) для поверхностного монтажа (SMD). Это наиболее частая и полная замена.
• IRF5305 – более старая маркировка без "PBF" (означает "Lead-Free" – без свинца). Фактически тот же компонент.

2. Прямые аналоги и совместимые модели от других производителей: Эти транзисторы имеют максимально близкие характеристики (Vds = 55В, Id ~30А, логический уровень) и часто взаимозаменяемы в схемах. Всегда сверяйтесь с даташитом по критическим параметрам (Rds(on), Qg, емкости).

• International Rectifier (ныне Infineon): IRF5305 (тот же самый)
• Vishay/Siliconix: SQJ5305EP-T1_GE3 (очень популярный и часто более доступный аналог в TO-220), SIHH5305D-T1-GE3 (в D²PAK).
• Fairchild/ON Semiconductor: FDB5305 (снят с производства, но может встречаться).
• STMicroelectronics: STP55NF06L (очень популярный аналог, 60В, 55А, Rds(on) ~0.017 Ом). Часто используется как более мощная замена.
• NXP (Freescale): Аналогичные, но под другими номерами (например, BUKxxx series).

3. Функционально совместимые модели (на что можно заменить, если нужен ключ с похожими параметрами): Если нужен транзистор для схожих задач (логический уровень, ~50В, >20А), можно рассмотреть:

• IRF3205 – классика, но НЕ логический уровень! (Vgs(th) 2-4В, для полного открытия нужно 10В). Не подходит для прямого управления от 5В МК.
• IRF7416 (Q5/Q6) – 60В, 50А, логический уровень, в корпусе SO-8 (для компактных плат).
• AOD424 / AOD424A – от Alpha & Omega, 40В, 50А, логический уровень, в TO-220.
• IPP040N06N3 G – от Infineon, более современный и эффективный (OptiMOS), 60В, 40А, с очень низким Rds(on).

Важные замечания по замене и применению

1. Логический уровень: Главное преимущество IRF5305PBF. При замене убедитесь, что аналог также имеет низкое Rds(on) при Vgs=4.5В.
2. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-220 или SMD D²PAK) для совместимости с платой.
3. Даташит: Перед заменой всегда изучайте официальный даташит, особенно разделы с Maximum Ratings, Safe Operating Area (SOA) и Dynamic Characteristics.
4. Радиатор: При работе с токами более 5-7А или в импульсных схемах с высокой скважностью обязательно требуется радиатор. Корпус TO-220 изолирован, но для лучшего отвода тепла можно использовать термопрокладку или слюдяную изоляцию с теплопроводной пастой.

Таким образом, IRF5305PBF — это надежный, проверенный временем силовой ключ логического уровня, который имеет множество прямых и функциональных аналогов на рынке.