Infineon IRF640NPBF

Артикул: 564212

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon IRF640NPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги мощного N-канального MOSFET транзистора Infineon IRF640NPBF.

Общее описание

IRF640NPBF — это классический и широко распространенный N-канальный MOSFET, выполненный по передовой на момент создания технологии HEXFET. Он сочетает в себе высокую скорость переключения, низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)) и надежность. Благодаря сбалансированным характеристикам, этот транзистор стал «рабочей лошадкой» в множестве импульсных и линейных схем средней мощности.

Основные области применения:

Импульсные источники питания (SMPS)
DC-DC преобразователи
Управление двигателями (H-мосты, приводы)
Индукционные нагрузки (реле, соленоиды)
Усилители класса D
Системы общего назначения, где требуется ключ или усилитель мощности.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-Channel MOSFET (HEXFET) | — | МОП-транзистор с вертикальной структурой | | Корпус | TO-220AB | — | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Полярность | N-Channel | — | Управляется положительным напряжением на затворе относительно истока | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 200 | В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Ток стока (ID) при 25°C | 18 | А | Максимальный постоянный ток | | Ток стока (ID) при 100°C | 11 | А | С учетом перегрева | | Импульсный ток стока (IDM) | 72 | А | Макс. импульсный ток (ограничен по времени) | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.15 | Ом | При VGS = 10 В, ключевой параметр для потерь | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 2 - 4 | В | Минимальное напряжение для открытия | | Напряжение "затвор-исток" (VGS) | ±20 | В | Максимальное (не превышать!) | | Общий заряд затвора (Qg) | ~71 | нКл | Влияет на требования к драйверу | | Время включения (td(on) + tr) | ~30 | нс | Быстродействие | | Время выключения (td(off) + tf) | ~70 | нс | Быстродействие | | Рассеиваемая мощность (PD) | 125 | Вт | При Tj=25°C и бесконечном радиаторе | | Температура перехода (Tj) | -55 до +175 | °C | Диапазон рабочей температуры кристалла | | Температура хранения (Tstg) | -55 до +175 | °C | |

Важное примечание: Для надежной работы обязательно использование теплоотвода (радиатора) при токах более 2-3А. Реальная рассеиваемая мощность сильно зависит от условий охлаждения.

Парт-номера и прямые аналоги

Прямые функциональные аналоги (cross-reference) с похожими или лучшими параметрами, в корпусе TO-220:

От Infineon (прямые замены и современные аналоги):

IRF640NPBF — оригинальный номер, который вы указали.
IRF640PbF / IRF640 — более старые версии (без "N", с содержанием свинца).
IRF740 — аналог на 400В, но с чуть большим RDS(on) (0.55 Ом). Подходит, если нужно большее напряжение.
IRF840 — аналог на 500В, RDS(on) = 0.85 Ом.
IPP60R099CP — современный аналог из линейки CoolMOS, 600В, RDS(on)=0.099 Ом. Значительно более эффективен в ключевых режимах.
IRF3205 — очень популярный аналог на 55В, но с намного меньшим RDS(on) (0.008 Ом) и большим током (110А). Часто используется как более мощная и эффективная замена в низковольтных цепях (<50В).

От других производителей (совместимые по выводам и функциям):

STMicroelectronics: STP55NF06, STP16NF06, STP60NF06 (очень популярный, 60В, 0.014 Ом).
Vishay/Siliconix: SUD50N06 (60В, 0.015 Ом).
Fairchild/ON Semiconductor: FQP50N06 (60В, 0.022 Ом), FQP30N06.
International Rectifier (часть Infineon): Аналогичны оригиналу.

Ближайшие аналоги по вольтажу (200В):

STMicroelectronics: STW20NK50Z (500В, но в TO-247), STP20NM60 (600В, MDmesh).
ON Semiconductor: FCP20N60 (600В, SuperFET), NTP18N10 (100В).