Infineon IRF7103PBF

Infineon IRF7103PBF

Описание: IRF7103PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии HEXFET, предназначенный для коммутации средних и малых нагрузок. Он сочетает в себе высокую эффективность, надежность и компактный корпус D-Pak (TO-252), что делает его популярным решением для широкого спектра приложений. Ключевыми особенностями являются низкое сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) и высокая скорость переключения, что минимизирует потери мощности.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (DC-DC преобразователи)
• Управление нагрузкой (реле, соленоиды, лампы, двигатели)
• Системы управления питанием (POL, стабилизаторы)
• Инверторы и драйверы
• Бытовые и промышленные электронные устройства

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode | | | Корпус | D-PAK (TO-252) | Плоский, для поверхностного монтажа (SMD) | | Полярность | Single | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 30 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (Id) | 3.1 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток стока импульсный (Idm) | 12 А | | | Сопротивление канала (Rds(on)) | < 0.065 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 2.7 А | | | < 0.085 Ом (макс.) | При Vgs = 4.5 В, Id = 2.7 А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Стандартный диапазон | | Напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В (макс.) | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~10 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.5 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон | | Температура хранения (Tstg) | -55 ... +150 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые/аналогичные модели:

Прямые аналоги от Infineon (с тем же корпусом и характеристиками):

• IRF7103PBF (основной номер для заказа)
• IRF7103 (базовая часть номера)

Функционально близкие аналоги от Infineon (сравнимые Vds, Id, корпус):

• IRF7413PBF - Более высокий ток (4.3А), но другое сопротивление.
• IRF7328PBF - P-канальный комплементарный транзистор.
• IRF7484PBF - С более низким Rds(on) для больших токов.

Совместимые модели / аналоги от других производителей:

• Fairchild / ON Semiconductor: FDD6680A, NDT3055L
• Vishay / Siliconix: Si2333CDS
• STMicroelectronics: STP55NF06L, STB55NF06L-6 (обратите внимание на корпус)
• International Rectifier: Аналогичная линейка IRF (часто один и тот же чип).
• Diodes Incorporated: DMN3012LSS-13

Важные замечания по замене:

1. Полная совместимость: Перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитом (datasheet) конкретного аналога. Обращайте внимание на:
   • Распиновку (Pinout) в корпусе.
   • Пороговое напряжение (Vgs(th)) для совместимости с вашей схемой управления.
   • Емкость затвора (Ciss, Qg), если важна скорость переключения.
   • Характеристики встроенного диода, если он используется в работе.
2. Корпус: Указанные аналоги в основном в корпусе D-PAK (TO-252) или его аналогах (DPAK, TO-252AA). Проверяйте механическую совместимость.
3. Контекст замены: Если транзистор используется в ключевом режиме с высокими частотами, параметры Qg и Ciss становятся критичными. В линейном режиме или для простого ключа чаще важны Vds, Id и Rds(on).

Рекомендация: Для выбора оптимального аналога используйте поиск по параметрам (Parametric Search) на сайтах производителей или дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key, LCSC), задавая ключевые значения: Vds=30V, Id~3A, Rds(on) < 0.1 Ом, SMD Package (D-PAK).