Infineon IRF7303PBF

Infineon IRF7303PBF
Артикул: 564216

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon IRF7303PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET-транзистора Infineon IRF7303PBF.

Описание

IRF7303PBF — это N-канальный MOSFET-транзистор в популярном корпусе TO-220, предназначенный для применения в силовых ключевых схемах. Он сочетает в себе высокую скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)), что делает его отличным выбором для эффективных и компактных решений.

Ключевые особенности и области применения:

  • Высокая эффективность: Низкое Rds(on) минимизирует потери на проводимость и нагрев.
  • Быстрое переключение: Оптимизирован для работ в импульсных режимах (ШИМ).
  • Улучшенная устойчивость к лавинному пробою: Повышает надежность в индуктивных нагрузках.
  • Логический уровень управления: Полностью открывается при напряжении на затворе Vgs = 10 В, что позволяет легко управлять от стандартных микроконтроллеров (через драйвер).
  • Основные применения: Импульсные источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, управление двигателями (например, в кулерах), силовые ключи в инверторах, драйверы светодиодов.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия тестирования / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET (МОП-транзистор) | Enhancement mode (обогащения) | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Структура | Dual MOSFET (2 в 1) | Два независимых транзистора в одном корпусе. Общий исток (S). | | Полярность выводов | 1: Затвор 1 (G1), 2: Исток 1 (S1) / Исток 2 (S2), 3: Затвор 2 (G2), Корпус: Сток 1 (D1) / Сток 2 (D2) | Важно! Стоки соединены с металлической подложкой и выводом корпуса. | | Макс. напряжение Сток-Исток (Vds) | 30 В | Для каждого транзистора | | Макс. напряжение Затвор-Исток (Vgs) | ±20 В | Максимально допустимое напряжение на затворе | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 14 мОм (тип.) | При Vgs = 10 В, Id = 11 А (для каждого канала) | | Макс. непрерывный ток стока (Id) | 11 А | При Tc = 25°C (для каждого канала) | | Импульсный ток стока (Idm) | 44 А | | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Тип. 1.5 В (позволяет управлять от 5В логики с небольшими потерями) | | Общая рассеиваемая мощность (Pd) | 40 Вт | При Tc = 25°C (при установке на радиатор) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | | | Заряд затвора (Qg) | 30 нКл (тип.) | При Vgs = 10 В (важно для расчета драйвера) | | Время включения/выключения (tr/tf) | 13 нс / 10 нс (тип.) | |


Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon и International Rectifier (IR):

  • IRF7303PBF — основной номер для покупки.
  • IRF7303 — базовая часть номера без указания упаковки (PBF означает "Lead-Free" - бессвинцовый).
  • Аналогичные модели с другими корпусами (менее распространенные):
    • IRF7303D (D2PAK / TO-263) — корпус для поверхностного монтажа (SMD).
    • IRF7303 (TO-220AB) — устаревшее обозначение.

2. Функционально совместимые и аналогичные модели от других производителей: Эти модели имеют схожие или идентичные ключевые параметры (30В, ~10-14 мОм, 11А, Dual N-Channel, TO-220) и в большинстве случаев являются прямыми аналогами для замены в схеме. Всегда рекомендуется сверяться с даташитом по выводам.

  • STMicroelectronics:
    • STP80NF03L-06 (30В, 6.5 мОм) — более низкое сопротивление.
    • STD85N3LH5 (30В, 8.5 мОм) — логический уровень.
  • Vishay / Siliconix:
    • SUD50N03-08 (30В, 8.0 мОм).
  • ON Semiconductor / Fairchild:
    • FDD3682 (30В, 11 мОм, Dual N-Channel, TO-220) — очень близкий аналог.
    • NDT3055L (30В, 50 мОм, Single) — одиночный, но популярный для нагрузок до 5А.
  • Texas Instruments:
    • CSD17313Q2 (30В, 9.8 мОм) — в корпусе SON, для SMD-монтажа.

3. Важные замечания по замене:

  • Распиновка: Всегда проверяйте распиновку (pinout) аналога. У большинства Dual MOSFET в TO-220 с общим истоком она стандартная (G1, S, G2, корпус = D), но бывают исключения.
  • Параметры: Обращайте внимание на Vgs(th), Qg и Rds(on) при той же температуре. Незначительные отличия обычно некритичны для большинства применений, но для высокочастотных или высокоэффективных схем могут быть важны.
  • Производитель: Для критичных по надежности применений предпочтительны оригинальные компоненты от Infineon или продукция крупных брендов (ST, ON Semi, Vishay).

Краткий итог

IRF7303PBF — это надежный, проверенный временем Dual N-канальный MOSFET для средних токов (до 11А на канал) с низким сопротивлением. Идеален для построения синхронных выпрямителей, мостовых схем и управления двумя независимыми нагрузками. Имеет множество прямых и функциональных аналогов на рынке, что упрощает поиск замены.

Товары из этой же категории