Infineon IRF7389

Конечно, вот подробное описание инфракрасного транзистора Infineon IRF7389, его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

IRF7389 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon (ранее International Rectifier). Он предназначен для использования в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах управления двигателями и других силовых приложениях, где требуется высокий КПД и компактность.

Ключевой особенностью этой модели является то, что она представляет собой два независимых MOSFET-транзистора в одном корпусе SO-8. Это позволяет значительно увеличить плотность монтажа, сократить количество компонентов на плате и улучшить тепловые характеристики по сравнению с двумя отдельными корпусами.

Основные преимущества:

• Два в одном: Экономия места на печатной плате (PCB).
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Высокая эффективность и меньшие потери на нагрев.
• Быстрое переключение: Подходит для высокочастотных преобразователей.
• Низкий пороговый уровень управления (Vgs(th)): Упрощает управление от низковольтных контроллеров (логический уровень).
• Высокая надежность и стойкость к лавинным процессам.

Технические характеристики (ТТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | 2 x N-Channel | — | Два независимых транзистора | | Корпус | — | SO-8 (Dual) | — | Также обозначается как PowerSO-8 | | Напряжение "сток-исток" | Vdss | 30 | В | Максимальное напряжение | | Ток стока (постоянный) | Id @ 25°C | 7.5 | А | На каждый транзистор | | Ток стока (импульсный) | Idm | 30 | А | На каждый транзистор | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) max. | 0.028 (13.5 В) / 0.035 (4.5 В) | Ом | Vgs = 10В / 4.5В типовое | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 1.0 — 2.0 | В | Типовое ~1.5В | | Максимальное напряжение затвор-исток | Vgs | ±20 | В | | | Общий заряд затвора | Qg (тип.) | 18 | нКл | На каждый транзистор (при Vgs=10В) | | Время включения / выключения | tr / tf | 15 / 20 | нс | | | Диод обратного восстановления | Qrr (тип.) | 32 | нКл | На каждый транзистор | | Максимальная рассеиваемая мощность | Pd | 2 | Вт | В корпусе, при Tа=25°C | | Температура перехода | Tj max | 150 | °C | | | Температура хранения | Tstg | -55 … +150 | °C | |

Распиновка (Pinout) корпуса SO-8

Очень важно правильно подключить выводы, так как транзисторов два:

1. Сток 1 (D1) — вывод 1, 2, 3
2. Затвор 1 (G1) — вывод 4
3. Исток 1 (S1) — вывод 5, 6, 7, 8
4. Сток 2 (D2) — вывод 6, 7, 8
5. Затвор 2 (G2) — вывод 5
6. Исток 2 (S2) — вывод 1, 2, 3

Внимание: Истоки и стоки транзисторов соединены внутри корпуса (S1 с D2 и S2 с D1 через выводы). Это типичная конфигурация для синхронных преобразователей, где один MOSFET — верхний (high-side), а второй — нижний (low-side). Всегда сверяйтесь с даташитом для вашей схемы!

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (Drop-in replacement): Эти модели имеют идентичную или очень близкую распиновку, электрические параметры и корпус. Могут использоваться для прямой замены в большинстве схем.

• Fairchild (ON Semiconductor): FDS6898A
• Vishay Siliconix: Si7388DP
• Alpha & Omega Semiconductor: AOD4184 (очень близкий аналог, но в отдельном корпусе, потребует переразводки платы под два компонента)

Близкие аналоги (требуется проверка по даташиту): Модели с похожими характеристиками (30В, низкое Rds(on), два N-канала в SO-8), но возможны незначительные отличия в пороговом напряжении, заряде затвора или внутренней разводке.

• Infineon: IRF7319 (более старое поколение, выше Rds(on))
• Infineon: IRF7380 (аналогичные параметры)
• STMicroelectronics: STF16N30M2 (30В, 16А, но в корпусе PowerFLAT 5x6)
• ON Semiconductor: NVD6898 (очень близкий аналог от ON)

Важные замечания по совместимости:

1. Распиновка (Pin-to-Pin): Самый критичный параметр. Перед заменой необходимо убедиться, что назначение выводов полностью идентично.
2. Электрические параметры: Особое внимание на Rds(on), заряд затвора (Qg) и пороговое напряжение (Vgs(th)). Отличия могут повлиять на КПД и тепловой режим.
3. Корпус: Аналог должен быть в том же корпусе SO-8 (Dual).
4. Производитель: Рекомендуется всегда обращаться к официальным даташитам (datasheet) как оригинальной детали, так и аналога для проведения полного сравнительного анализа.

Рекомендация: Для критичных по надежности и параметрам применений (например, в силовых каскадах серверных БП или промышленного оборудования) предпочтительнее использовать оригинальный IRF7389 или его прямые аналоги от крупных производителей (FDS6898A). В менее критичных случаях можно рассматривать близкие аналоги после тщательной проверки.