Infineon IRF8010PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для MOSFET транзистора Infineon IRF8010PBF.

Описание

IRF8010PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon. Он предназначен для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, цепях управления двигателями и других силовых ключевых схемах, где важны высокий КПД и надежность.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Позволяет минимизировать потери проводимости и нагрев, повышая общую эффективность системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора, что критично для высокочастотных преобразователей.
• Повышенная устойчивость к лавинным нагрузкам (100% тестирование): Гарантирует надежность при работе в жестких условиях с индуктивными нагрузками.
• Полностью специфицированные параметры для работы от драйвера с напряжением 4.5 В: Позволяет эффективно работать прямо от логических уровней микроконтроллеров (логические уровни 5В), что упрощает схемотехнику.
• Планарная технология и медный leadframe: Обеспечивают лучший отвод тепла по сравнению со стандартными корпусами.
• Соответствие RoHS: Без содержания свинца.

Основная сфера применения: Вторичная сторона синхронного выпрямления в изолированных импульсных блоках питания, низковольтные DC-DC преобразователи (например, понижающие, повышающие), управление двигателями, силовые ключи в инверторах.

Основные технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Примечание / Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный, MOSFET, Enhancement Mode | | | Корпус | TO-220 (Through-Hole) | Классический силовой корпус с отверстием для крепления радиатора. | | Полярность | N-Channel | | | Сток-Исток максимальное напряжение (Vdss) | 55 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить между стоком и истоком. | | Максимальный непрерывный ток стока (Id) | 17 А при Tc=25°C | При температуре корпуса 25°C. | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.011 Ом (11 мОм) | Типовое значение при Vgs=10 В, Id=8.5 А. | | | 0.016 Ом (16 мОм) | Максимальное гарантированное значение при Vgs=10 В. | | | 0.023 Ом (23 мОм) | Максимальное гарантированное значение при Vgs=4.5 В (важно для логических уровней). | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2 - 4 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | Не превышать! | | Общий заряд затвора (Qg) | 30 нКл (тип.) | При Vgs=10 В, Vds=44 В. Параметр для расчета драйвера. | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 42 Вт | При Tc=25°C. Зависит от условий теплоотвода. | | Диод обратного восстановления (Body Diode) | Встроенный | Параметры диода: Is (макс.) = 17 A, trr (тип.) = 110 нс. | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. |

Парт-номера и совместимые / аналогичные модели

1. Прямые аналоги (Drop-in Replacement)

Эти модели имеют идентичную цоколевку (TO-220) и максимально близкие электрические характеристики, что позволяет производить прямую замену без изменений в схеме и печатной плате.

• International Rectifier (ныне Infineon): IRF8010 (предыдущая версия, без суффикса PBF, содержит свинец).
• Vishay Siliconix: SUD50N06-09 (60В, 50А, Rds(on)=0.0095 Ом) — более мощный, но электрически и по корпусу совместимый аналог.
• Fairchild/ON Semiconductor: FDP7030BL (30В, 60А, Rds(on)=0.007 Ом) — для более низковольтных применений.
• STMicroelectronics: STP55NF06 (60В, 55А, Rds(on)=0.016 Ом) — классический и широко распространенный аналог.
• NXP (Freescale): PSMN4R5-55BSE (55В, 40А, Rds(on)=0.0045 Ом) — более современный и эффективный.

2. Функционально близкие аналоги (требуется проверка по даташиту)

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (напряжение ~55В, ток >15А, низкое Rds(on)), но могут отличаться по динамическим характеристикам (заряды, скорость), корпусу или цоколевке. Требуется проверка перед заменой.

• Infineon: IPP041N06N3 (60В, 100А, Rds(on)=4.1 мОм) в корпусе TO-220 FullPAK.
• ON Semiconductor: NTMFS5C404N (40В, 100А, Rds(on)=4.0 мОм) в корпусе D²PAK (TO-263) — для поверхностного монтажа.
• Vishay: SQJ410EP (100В, 24А, Rds(on)=0.045 Ом) — для более высокого напряжения.
• Toshiba: TK50E06N1 (60В, 50А, Rds(on)=0.012 Ом).

3. Кросс-ссылки в популярных системах

• Infineon Part Number: IRF8010PBF
• JEDEC: IRF8010
• Производитель часто указывает в даташите как замену для: Старых моделей с более высоким Rds(on) в аналогичных применениях.

Важное примечание по замене: При выборе аналога всегда необходимо сверяться с даташитом (datasheet) и обращать внимание на:

1. Распиновку (Pinout) корпуса.
2. Ключевые статические параметры: Vdss, Id, Rds(on) при нужном вам Vgs.
3. Динамические параметры: Qg, Ciss (входная емкость) — это критично для драйвера.
4. Характеристики встроенного диода: Если он используется в схеме (например, в синхронном выпрямлении).

IRF8010PBF остается надежным и популярным выбором для множества силовых приложений среднего уровня мощности.