Infineon IRF830APBF

Артикул: 564231

Требуется установка или ремонт?

тел. +7(499)347-04-82

Описание

Описание Infineon IRF830APBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для полевого транзистора Infineon IRF830APBF.

Общее описание

IRF830APBF — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по популярной технологии HEXFET. Это мощный и надежный ключевой прибор, предназначенный для коммутации значительных токов и напряжений с высокой скоростью. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (Rds(on)) и удобному корпусу TO-220, он нашел широкое применение в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, контроллерах двигателей, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

Высокая скорость переключения: Благодаря технологии HEXFET.
Низкое сопротивление открытого канала: Минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
Улучшенная устойчивость к лавинному пробою (Avalanche Rated): Повышает надежность в индуктивных цепях.
Повышенная статическая устойчивость (ESD): До 2 кВ (по стандарту Human Body Model).
Полностью свинцовый (Pb-Free) корпус: Соответствует экологическим директивам.

Основные технические характеристики (ТТХ)

Параметры приведены при температуре корпуса Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | — | МОП-транзистор с индуцированным каналом | | Корпус | TO-220AB (Through-Hole) | — | Пластиковый, для монтажа в отверстия | | Макс. напряжение "сток-исток" (Vds) | 500 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Макс. ток стока (Id) | 4.5 | А | При Tc=25°C | | | 2.5 | А | При Tc=100°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.5 | Ом | При Vgs=10В, Id=2.2А | | | 1.0 | Ом | При Vgs=10В, Id=4.5А (Pulse) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 | В | Стандартный диапазон | | Макс. напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 | В | Абсолютный максимум | | Общий заряд затвора (Qg) | ~28 | нКл | При Vds=400В, Id=4.5А | | Время включения (td(on) + tr) | ~35 | нс | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~65 | нс | | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 74 | Вт | При Tc=25°C (с радиатором) | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | — | Параметры: If=4.5A, trr=170нс |

Парт-номера и прямые аналоги

Это полные аналоги от других производителей с идентичными или практически идентичными характеристиками и цоколевкой (TO-220). Их можно использовать для прямой замены.

STMicroelectronics: STP4NK50Z (очень близкий аналог, 4А, 500В, Rds(on)=1.5 Ом)
ON Semiconductor / Fairchild: FQP4N50 (4А, 500В, Rds(on)=1.8 Ом)
Vishay Siliconix: IRF830 (оригинальная модель от Siliconix, позже поглощенной Vishay)
International Rectifier (IR): IRF830 (оригинальная модель до приобретения Infineon)

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом конкретной модели, особенно если схема работает на предельных режимах.

Совместимые и близкие по параметрам модели (для замены в большинстве схем)

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (напряжение 400-500В, ток 3-5А) и корпус TO-220, что позволяет использовать их в качестве замены во многих типовых схемах, но требуется проверка по даташиту на соответствие конкретным требованиям (Rds(on), заряд затвора и т.д.).

Infineon IRF740APBF (400В, 10А, Rds(on)=0.55 Ом) — мощнее по току, но ниже напряжение.
Infineon IRF840APBF (500В, 8А, Rds(on)=0.85 Ом) — более мощный аналог.
Infineon IRFBC40APBF (600В, 6.2А, Rds(on)=1.2 Ом) — выше напряжение.
STMicroelectronics STP5NK50ZFP (500В, 4.2А, Rds(on)=1.2 Ом) — близкий аналог в корпусе TO-220FP (изолированный).
ON Semiconductor FQP5N50C (500В, 5А, Rds(on)=1.0 Ом) — немного мощнее.