Infineon IRF9953PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET транзистора Infineon IRF9953PBF.

Описание

Infineon IRF9953PBF — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой TrenchFET® технологии. Ключевые особенности, делающие его популярным в современной электронике:

• Низкое пороговое напряжение (Vgs(th)) и логический уровень управления: Может полностью открываться при напряжении на затворе 2.5В или 4.5В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (GPIO 3.3В или 5В) без дополнительных драйверов.
• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Очень малые потери на проводимость, что повышает КПД и уменьшает нагрев.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям, подходит для импульсных схем (ШИМ, DC-DC преобразователи).
• Компактный корпус PowerPAK® SC-75 (SOT-457): Очень малые габариты, предназначен для плотного монтажа на печатных платах.
• Основное применение: Управление нагрузкой (ключевой режим), стабилизаторы напряжения, модули питания, драйверы моторов в портативных устройствах, материнских платах, ноутбуках, потребительской электронике.

Основные технические характеристики (ТТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-канальный, Enhancement Mode | - | | Корпус | - | PowerPAK® SC-75 (аналог SOT-457) | - | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | -30 В | Максимальное | | Ток стока (непрерывный) | I_D | -2.8 A | При T_C=25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | -11 A | - | | Сопротивление "сток-исток" в открытом состоянии | R_DS(on) | ~52 мОм | V_GS = -4.5 В, I_D = -1.7 A | | | | ~68 мОм | V_GS = -2.5 В, I_D = -1.2 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | от -0.5 до -1.2 В | I_D = -250 µA | | Максимальное напряжение "затвор-исток" | V_GSS | ±12 В | - | | Общий заряд затвора | Q_g | ~3.2 нКл | V_GS = -4.5 В | | Мощность рассеяния | P_D | ~1.4 Вт | Зависит от условий монтажа | | Диод "сток-исток" (встроенный) | - | Есть | Параметры указаны в даташите |

Важно: Обратите внимание на знаки "минус" в характеристиках. Этот транзистор является P-канальным (несмотря на маркировку "N-channel" в некоторых источниках — это распространенная ошибка). В официальном даташите Infineon он указан как P-Channel. Он предназначен для коммутации отрицательного напряжения относительно общего провода (или для коммутации "верхнего плеча" при питании от шины V+).

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Прямые аналоги — это транзисторы с максимально близкими характеристиками и таким же цоколевкой (pinout).

Прямые аналоги и клоны:

• IRF9953PBF (оригинал от Infineon)
• IRF9953TRPBF (та же модель в поставке на бобине/ленте для автоматического монтажа)

Ближайшие функциональные аналоги (сверьтесь с даташитом по pinout и характеристикам!):

• Vishay / Siliconix: Si2305ADS (очень популярный и распространенный аналог, SOT-23)
• Diodes Inc.: DMG2305UX (также популярный аналог, SOT-23)
• ON Semiconductor: NTJD4159PT1G (SC-75, логический уровень)
• Alpha & Omega Semiconductor: AO3407A (SOT-23, логический уровень)
• Nexperia: PMV65XPER (SOT-23, логический уровень)

Совместимые модели для замены (Критерии подбора)

При поиске замены необходимо учитывать следующие ключевые параметры:

1. Тип канала: P-Channel.
2. Напряжение V_DSS: Не менее -20В, лучше -30В.
3. Ток I_D: Не менее -2.5А.
4. Ключевой параметр R_DS(on) при V_GS = -2.5В / -4.5В: Должно быть сопоставимым (~50-70 мОм).
5. Корпус: Чаще всего SOT-23 или SC-75 (SOT-457). Внимание на распиновку (pinout)! Она может отличаться.
6. Напряжение логического уровня: V_GS(th) должно гарантировать полное открытие при 2.5В или 3.3В.

Популярные совместимые серии для замены в новых проектах:

• Infineon: Серии IRF74xxL, IRF77xxL (в корпусах SOT-23, логический уровень).
• Vishay: Серия Si23xx (например, Si2301, Si2305).
• Diodes Inc.: Серия DMG23xx.
• ON Semi: Серия NTJD4xxx.
• AOS: Серия AO34xx.

Важное замечание

Перед заменой обязательно сверяйтесь с официальными даташитами (datasheet) обоих компонентов, особенно обращая внимание на:

• Распиновку выводов (Pin Assignment).
• Графики зависимости Rds(on) от тока и напряжения затвора.
• Емкостные характеристики (C_iss, C_rss), если работа на высоких частотах.

IRF9953PBF является устаревшей, но до сих пор распространенной моделью. При разработке новых устройств рекомендуется выбирать более современные аналоги из текущих производственных линеек перечисленных выше производителей.