Infineon IRFB4610PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFB4610PBF.

Общее описание

IRFB4610PBF — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET® от Infineon (ранее International Rectifier). Он предназначен для применения в высокоэффективных импульсных источниках питания, мощных DC-DC преобразователях, системах управления двигателями (например, в электромобилях, промышленном приводе), инверторах и сварочном оборудовании.

Ключевые преимущества:

• Очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Гарантирует минимальные потери на проводимость и высокий КПД.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора.
• Высокая устойчивость к перегрузкам по току и лавинному пробою: Надежность в жестких условиях эксплуатации.
• Планарная технология: Обеспечивает стабильные параметры и низкий уровень шума.

Корпус: TO-247 (стандартный промышленный корпус для мощных компонентов, удобный для монтажа на радиатор).

Основные технические характеристики (ТТХ)

Электрические параметры (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode (нормально закрытый) | — | | Напряжение "сток-исток" (Vdss) | 100 В | — | | Постоянный ток стока (Id) | 72 А | При Tc = 100°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 280 А | — | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 10.5 мОм (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 40 А | | | 13.5 мОм (макс.) | Vgs = 10 В, Id = 40 А, Tj = 175°C | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Vds = Vgs, Id = 250 мкА | | Заряд затвора (Qg) | 145 нКл (тип.) | Vgs = 10 В, Id = 40 А | | Входная емкость (Ciss) | 4200 пФ (тип.) | Vds = 25 В, Vgs = 0 В, f = 1 МГц | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs)| ±20 В | — | | Диод обратного восстановления (Qrr) | 1.3 мкКл (тип.) | — |

Предельные эксплуатационные параметры:

• Максимальная температура перехода (Tj): +175 °C
• Максимательная температура хранения: от -55 до +175 °C
• Рассеиваемая мощность (Pd): 330 Вт (при Tc = 25°C)

Диод "сток-исток" (встроенный обратный диод):

• Непрерывный прямой ток (Is): 72 А
• Импульсный прямой ток (Ism): 280 А
• Прямое напряжение (Vsd): 1.3 В (тип.) при If = 40 А

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги и кроссплатформенные замены (Drop-in Replacement): Эти модели имеют идентичный или очень близкий набор характеристик, корпус TO-247 и цоколевку (pin-to-pin).

• Infineon IRFB4610 (более старая маркировка от IR)
• IRFB4610PbF (аналогичный, с бессвинцовой (Pb-free) обработкой выводов)
• IXFH72N10P (от IXYS, сейчас часть Littelfuse) — очень близкий аналог.
• FDP61N10 (от Fairchild/ON Semiconductor) — с похожими параметрами.
• STP75N10F7 (от STMicroelectronics) — хороший аналог с низким Rds(on).

2. Совместимые / альтернативные модели для замены (требуется проверка по datasheet): При выборе альтернативы необходимо убедиться в совпадении ключевых параметров: Vdss (≥100В), Id, Rds(on) и заряд затвора (Qg). Могут незначительно отличаться динамические характеристики.

• IRFB4110PBF (100В, 104А, Rds(on) = 5.6 мОм) — более мощный, с меньшим сопротивлением.
• IRFB4310PBF (100В, 83А, Rds(on) = 8.0 мОм) — также более мощная альтернатива.
• IRFB4410PBF (100В, 96А, Rds(on) = 6.5 мОм)
• AUIRFB4410Z (International Rectifier/Infineon)
• IPP041N10N5 (Infineon OptiMOS 5) — более современная технология, может иметь лучшие динамические параметры, но в другом корпусе (TO-220, D²PAK).

3. Ключевые конкуренты от других производителей:

• NTMFS5C410N (от ON Semiconductor)
• IPT020N10N5 (Infineon)
• BSC010N10NS5 (Infineon OptiMOS 5, в корпусе SuperSO8)

Важные замечания по применению и замене

1. Не является прямым аналогом для 55-60В моделей. Нельзя заменять им транзисторы на 55В (например, IRFB5615) в цепях с напряжением близким к пределу для последних.
2. Внимание на динамические параметры: При замене на модель другого производителя, даже с похожими статическими параметрами, обязательно проверьте Qg, Ciss, Coss, Crss и время переключения. Это критично для высокочастотных преобразователей.
3. Система охлаждения: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязателен качественный теплоотвод (радиатор). Рекомендуется использовать термопасту и изолирующие прокладки при необходимости.
4. Цепь затвора: Для быстрого переключения и предотвращения паразитных открываний используйте драйвер затвора с достаточной мощностью и соблюдайте рекомендации по монтажу (короткие проводники к затвору, иногда резистор в несколько Ом).

Рекомендация: Перед заменой всегда изучайте официальный datasheet на конкретную модель и сравнивайте ключевые параметры в условиях вашей схемы.