Infineon IRFB5615PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFB5615PBF.

Описание

Infineon IRFB5615PBF — это N-канальный силовой MOSFET, выполненный по передовой технологии HEXFET®. Он принадлежит к серии, оптимизированной для высокоэффективных и компактных решений, где критически важны низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая скорость переключения.

Ключевые особенности, которые делают этот транзистор популярным:

• Сверхнизкое сопротивление Rds(on): 11.5 мОм при 10В на затворе. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев в открытом состоянии.
• Высокий непрерывный ток стока: До 180А, что позволяет управлять значительными нагрузками.
• Повышенная стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Ruggedness): Транзистор способен выдерживать кратковременные выбросы напряжения, что повышает надежность системы в жестких условиях (например, в индуктивных нагрузках).
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядам затвора, что важно для импульсных преобразователей и ШИМ-управления.
• Полностью свинцовый (Pb-Free) корпус: Соответствует экологическим директивам.

Основные области применения:

• Силовые блоки питания (особенно синхронные выпрямители и первичные ключи)
• Мостовые схемы для управления двигателями (H-мосты)
• DC-DC преобразователи высокой мощности
• Инверторы и сварочное оборудование
• Системы управления батареями (BMS) для электромобилей и тяговых аккумуляторов

Технические характеристики (кратко)

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET, HEXFET® | | | Корпус | TO-220AB (сквозной монтаж) | | | Сток-Исток напряжение (Vdss) | 150 В | | | Непрерывный ток стока (Id) | 180 А | При Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 11.5 мОм (макс.) | Vgs=10В, Id=90А | | | 15 мОм (макс.) | Vgs=4.5В, Id=60А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | | | Заряд затвора (Qg) | ~ 210 нКл (тип.) | Vgs=10В | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При Tc=25°C | | Диапазон рабочей температуры перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

Этот транзистор имеет прямые аналоги и входит в семейства других производителей. При замене всегда рекомендуется сверяться с даташитом, особенно по динамическим характеристикам (Qg, Ciss) для высокочастотных схем.

1. Прямые аналоги и аналогичные модели от Infineon:

• IRFB5615 (основной номер без указания экологичного исполнения)
• IRFB5615PBF (тот же транзистор, с обозначением "бессвинцовый")
• В той же серии и корпусе, но с другими напряжениями/токами: IRFB4115PBF (150В, 104А), IRFB4315PBF (150В, 140А), IRFB4415PBF (150В, 130А).

2. Функционально совместимые аналоги от других производителей:

Эти модели имеют схожие ключевые параметры (150В, низкое Rds(on), высокий ток) и часто используются в схожих применениях. Не являются 100% идентичными заменами.

• STMicroelectronics:
  • STP180N15F7 – очень популярный и близкий аналог (150В, 180А, Rds(on)=7.5 мОм). Часто используется как прямая или даже улучшенная замена.
  • STP160N15F5
• Vishay / Siliconix:
  • SUP90N15-08 (150В, 90А, Rds(on)=8.0 мОм)
  • SiHH180N15E (150В, 180А)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FDP180N15A (150В, 180А, Rds(on)=11.5 мОм) – один из самых близких аналогов.
  • HUF75609P3
• IXYS:
  • IXTH180N15T

3. Что важно при выборе аналога (порядок приоритета):

1. Напряжение Vdss: Должно быть не ниже 150В.
2. Ток Id: Рекомендуется брать с запасом, но не менее 150-180А.
3. Сопротивление Rds(on): Чем ниже, тем лучше (меньше нагрев). Сравнивайте при одинаковом Vgs (обычно 10В).
4. Корпус: TO-220AB для прямой механической замены.
5. Динамические параметры (Qg, Ciss): Критичны для схем с высокой частотой переключения (>50 кГц). Большой разброс может потребовать доработки драйвера затвора.

Вывод: Infineon IRFB5615PBF — это надежный и мощный «рабочий конь» для силовой электроники средней и высокой мощности. Его прямые и самые популярные аналоги — STP180N15F7 от STMicroelectronics и FDP180N15A от ON Semiconductor. Перед заменой всегда проверяйте соответствие параметров в конкретной схеме.