Infineon IRFB7434PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFB7434PBF.

Описание

Infineon IRFB7434PBF — это N-канальный силовой MOSFET, изготовленный по передовой технологии OptiMOS 5. Это транзистор в популярном корпусе TO-220, предназначенный для приложений, где критически важны высокая эффективность и низкие потери.

Его ключевые преимущества:

• Чрезвычайно низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 1.8 мОм при 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким зарядами затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), что позволяет работать на высоких частотах (десятки-сотни кГц) в импульсных преобразователях.
• Оптимизирован для синхронного выпрямления и цепей нижнего плеча (low-side) в DC-DC преобразователях, особенно в системах с питанием от шины 12 В или 24 В.
• Широкий диапазон рабочих температур: От -55°C до +175°C.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (Avalanche Rugged): Способен выдерживать кратковременные импульсы перенапряжения, что повышает надежность в реальных условиях.

Основные области применения:

• Синхронное выпряление в импульсных источниках питания (SMPS).
• Низковольтные DC-DC преобразователи (например, для материнских плат, серверов, телекоммуникационного оборудования).
• Цепи управления двигателями (нижнее плечо моста).
• Системы управления батареями (BMS).
• Высокочастотные инверторы и приводы.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220 | Пластиковый, с монтажным отверстием | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 40 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (Id) | 195 А | При Tc=25°C (температура корпуса) | | Ток стока (Id) | 140 А | При Tc=100°C | | Импульсный ток (Idm) | 780 А | Максимальный пиковый ток | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.8 мОм | Vgs=10 В, Id=50 А (типовое) | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 2.2 мОм | Vgs=10 В, Id=50 А (максимальное) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.35 - 3.35 В | Vds=Vgs, Id=250 мкА | | Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В | | | Заряд затвора (Qg) | 117 нКл (тип.) | Vgs=10 В, Id=50 А (ключевой параметр для драйвера) | | Входная емкость (Ciss) | 4620 пФ | | | Выходная емкость (Coss) | 850 пФ | | | Энергия лавинного пробоя (Eas) | 1.5 Дж | Показывает стойкость к перенапряжениям | | Диод "сток-исток" (Internal Body Diode) | Есть | Прямой ток (Is) = 195 А, Vsd = 1.2 В | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | 333 Вт | При Tc=25°C (с теплоотводом) | | Диапазон рабочих температур (Tj) | -55 ... +175 °C | |

Прямые парт-номера и аналоги (Direct Part Number / Cross-Reference)

Эти компоненты имеют идентичные или практически идентичные электрические характеристики и корпус, и могут использоваться для прямой замены (после проверки даташита в конкретной схеме).

1. IRFB7434PBF — оригинальный номер Infineon.
2. IRFB7434-7P — альтернативный номер от Infineon (может относиться к упаковке или незначительным вариациям в производстве).
3. IRFB7434 — основа номера, часто используется в поиске.

Совместимые и конкурирующие модели (Close Equivalents / Replacements)

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (напряжение 30-60 В, ток >150 А, очень низкое Rds(on) в районе 1-3 мОм) и представлены в корпусе TO-220. Они подходят для замены в большинстве схем, но требуется проверка распиновки и внимательное сравнение характеристик, особенно заряда затвора (Qg) и емкостей.

От Infineon (OptiMOS / StrongIRFET):

• IRFB7440PBF (40V, 180A, Rds(on)=1.9 мОм) — очень близкий аналог.
• IRFB7446PBF (60V, 140A, Rds(on)=2.2 мОм) — если требуется чуть больше напряжения.
• IRFB7545PBF (55V, 116A, Rds(on)=4.5 мОм) — менее мощный, но с более высоким напряжением.

От Vishay Siliconix:

• SQJ419EP-T1_GE3 (40V, 195A, Rds(on)=1.8 мОм) — практически полный аналог в корпусе TO-220.
• SUD50N04-09L-E3 (40V, 50A, Rds(on)=9.0 мОм) — для менее требовательных задач.

От STMicroelectronics:

• STP160N4F7 (40V, 160A, Rds(on)=1.7 мОм) — отличная альтернатива серии STripFET F7.
• STP200N4F7 (40V, 200A, Rds(on)=1.2 мОм) — более мощная модель.

От ON Semiconductor / Fairchild:

• FDBL86062_F085 (60V, 130A, Rds(on)=2.6 мОм) — аналог с технологией PowerTrench.
• NTMFS5C404N (40V, 100A, Rds(on)=4.0 мОм) — в корпусе SO-8 FL, но для печатного монтажа.

От Nexperia:

• PSMN4R0-40YLD (40V, 195A, Rds(on)=4.0 мОм) — в корпусе D²PAK (TO-263), но по характеристикам тока/напряжения.

Важное замечание по замене:

При выборе аналога обязательно обращайте внимание на:

1. Напряжение Vds (должно быть не меньше).
2. Ток Id (должен быть не меньше для ваших условий охлаждения).
3. Корпус и распиновка (TO-220 может иметь разное расположение выводов).
4. Динамические характеристики (Qg, Ciss) — если схема высокочастотная, несовпадение может привести к перегреву драйвера.
5. Параметры внутреннего диода (если он используется в работе).

Рекомендуется всегда изучать даташит (datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемой замены.