Infineon IRFB7440PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET транзистора Infineon IRFB7440PBF.

Описание

IRFB7440PBF — это N-канальный силовой MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET® от Infineon. Он принадлежит к семейству OptiMOS™ 3, которое славится исключительно низким значением сопротивления канала в открытом состоянии (Rds(on)) при заданном размере кристалла.

Ключевые особенности и преимущества:

• Сверхнизкое сопротивление Rds(on): Всего 1.3 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая нагрузочная способность: Непрерывный ток стока (Id) до 202А при температуре корпуса 25°C, что делает его пригодным для управления очень высокими токами.
• Быстрое переключение: Благодаря низким зарядам затвора (Qg) и выходной емкости (Coss), транзистор может работать на высоких частотах (десятки-сотни кГц) с минимальными коммутационными потерями.
• Повышенная надежность: Технология обеспечивает высокую стойкость к лавинным нагрузкам (100% тестирование UIS) и широкую область безопасной работы (SOA).
• Улучшенное тело диода: Паразитный диод (body-diode) обладает улучшенными характеристиками по обратному восстановлению (soft recovery), что важно для мостовых и синхронных схем.

Основные области применения:

• Синхронные выпрямители в импульсных источниках питания (SMPS) и DC-DC преобразователях.
• Силовые ключи в мощных инверторах, мотор-драйверах и контроллерах двигателей.
• Системы управления батареями (BMS) и защиты от перегрузок.
• Оборудование для тестирования, сварочные аппараты, ИБП.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-канальный, Enhancement mode | - | | Корпус | - | TO-220AB (сквозной монтаж) | - | | Макс. напряжение "сток-исток" | Vds | 40 В | - | | Макс. постоянный ток стока | Id | 202 А | при Tc=25°C | | Сопротивление канала (откр.) | Rds(on) | 1.3 мОм (макс.) | Vgs=10 В, Id=100 А | | | | 1.7 мОм (макс.) | Vgs=4.5 В, Id=100 А | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 2.0 - 4.0 В | Vds=Vgs, Id=250 мкА | | Макс. напряжение "затвор-исток" | Vgs | ±20 В | - | | Общий заряд затвора | Qg | ~ 235 нКл (тип.) | Vgs=10 В, Id=100 А | | Входная емкость | Ciss | ~ 10500 пФ | Vds=25 В, Vgs=0 В | | Время включения / выключения | td(on), tr, td(off), tf | Быстрое переключение (десятки нс) | Зависит от схемы драйвера | | Характеристики встроенного диода | - | Прямой ток: 202 А | - | | | trr | Время обратного восстановления: ~ 120 нс (тип.) | - | | Тепловое сопротивление (корпус-радиатор) | RthJC | 0.45 °C/Вт | - | | Макс. температура перехода | Tj | 175 °C | - |

Парт-номера и совместимые / аналогичные модели

1. Прямые аналоги (Drop-in replacement)

Эти модели имеют идентичную цоколевку (TO-220AB) и максимально близкие электрические параметры. Они могут быть использованы для прямой замены в большинстве схем.

• IRFB7440PbF (оригинал от Infineon, в свинцовом исполнении).
• IRFB7440PBF (стандартное обозначение).
• IRFB7440 (сокращенное обозначение, под которым также часто ищут).

2. Близкие аналоги от Infineon (схожие характеристики, тот же корпус)

Модели из того же семейства или с близкими параметрами, которые могут потребовать проверки по конкретному параметру (например, Qg, Vgs(th)).

• IRFB7430PBF (Vds=30V, Rds(on)=1.1 мОм) — если требуется меньшее напряжение, но ниже сопротивление.
• IRFB7540PBF (Vds=40V, Rds(on)=1.6 мОм) — очень близкий аналог.
• IRFB7545PBF (Vds=45V, Rds(on)=1.8 мОм).
• IRFB4368PBF (Vds=75V, Rds(on)=2.0 мОм) — если требуется более высокое напряжение.

3. Аналоги от других производителей

Модели с сопоставимыми ключевыми параметрами (Vds=30-55В, Id >150A, Rds(on) < 2 мОм) в корпусе TO-220.

• Vishay (Siliconix): SQJ420EP (часто используется как аналог, Vds=40V, Id=180A, Rds(on)=1.7 мОм).
• ON Semiconductor (Fairchild): FDP038AN06A0 (Vds=60V, Id=180A, Rds(on)=2.3 мОм) — проверять по выводам.
• STMicroelectronics: STP160N4F6 (Vds=46V, Id=160A, Rds(on)=1.6 мОм).
• Nexperia: PSMN4R0-40YS (Vds=40V, Id=250A, Rds(on)=1.8 мОм) — в корпусе D²PAK (TO-263), требует проверки распиновки и монтажа.

Важные замечания при замене

1. Распиновка (Pinout): Всегда сверяйте расположение выводов (Gate, Drain, Source) у аналога. Хотя для TO-220 она часто стандартна, исключения бывают.
2. Ключевые параметры для замены: Основные — Vds (должно быть не меньше), Id (не меньше), Rds(on) (сопоставимо или ниже). Для скоростных схем критичны Qg и Ciss.
3. Характеристики диода: В схемах, где активно работает встроенный диод (синхронное выпрямление), важно учитывать его скорость восстановления (trr).
4. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (TO-220, TO-220 FullPak, TO-263/D²PAK для поверхностного монтажа).

Рекомендация: При выборе аналога всегда изучайте Datasheet конкретной модели и сравнивайте параметры в условиях работы вашей схемы, особенно по Rds(on) при вашем напряжении управления затвором (Vgs) и динамическим характеристикам (Qg, Ciss).