Infineon IRFD120PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для мощного полевого транзистора Infineon IRFD120PBF.

Описание

IRFD120PBF — это N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) в популярном корпусе TO-251 (IPAK), предназначенный для коммутации высоких токов при низком напряжении управления. Это один из классических и проверенных временем компонентов в семействе HEXFET от Infineon (ранее International Rectifier).

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET, транзистор обладает высокой скоростью переключения, что важно для импульсных схем.
• Управление напряжением логического уровня (Logic Level): Полностью открывается при напряжении на затворе (Vgs) уже от 4.5В до 10В, что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (например, Arduino, STM32, ESP32) без использования драйверов.
• Основные области применения: ШИМ-регулирование (двигатели постоянного тока, светодиоды), силовые ключи в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователи, релейные замены, управление нагрузками в автомобильной и промышленной электронике.

Основные технические характеристики (ТТХ)

При температуре корпуса 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, MOSFET | — | | Корпус | — | TO-251 (IPAK) | — | | Максимальное напряжение "Сток-Исток" | Vds | 100 | В | | Максимальный непрерывный ток стока | Id @ 25°C | 5.3 | А | | Максимальный импульсный ток стока | Idm | 21 | А | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) @ Vgs=10V | 0.27 | Ом | | | Rds(on) @ Vgs=4.5V | 0.4 | Ом | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 2.0 - 4.0 | В | | Максимальное напряжение "Затвор-Исток" | Vgs | ±20 | В | | Общий заряд затвора | Qg (тип.) | 14 | нКл | | Рассеиваемая мощность | Pd | 40 | Вт | | Диод обратного восстановления | — | Интегрированный быстрый обратный диод (от Истока к Стоку) | — |

Важное примечание: Значение тока 5.3А гарантируется при условии монтажа транзистора на радиатор достаточной площади. При работе без радиатора допустимый ток значительно снижается (обычно до 1.5-2А) из-за ограничений по перегреву корпуса.

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (в других корпусах):

• IRFZ44PBF - Аналог в корпусе TO-220. Имеет практически идентичные электрические параметры, но рассчитан на больший ток (до 49А) за счет лучшего теплоотвода от корпуса TO-220. Это самый популярный и взаимозаменяемый аналог.
• IRFZ44NPBF - Более современная версия IRFZ44 с улучшенными характеристиками (более низкое Rds(on)).
• IRFZ44VPBF - Еще одна вариация в TO-220.
• IRF1010EZPBF - Более мощный аналог в корпусе TO-252 (DPAK), часто используется на печатных платах для поверхностного монтажа.

2. Прямые и функциональные аналоги от других производителей: Совместимые модели имеют тот же цоколевку (pinout: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток) и схожие или лучшие характеристики.

| Производитель | Парт-номер (аналог) | Корпус | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Vishay (Siliconix) | SUD50P06-08L | TO-251 | Ближайший прямой аналог. | | STMicroelectronics | STP55NF06 | TO-220 | Более мощный, часто используется как аналог. | | Fairchild/ON Semi | FQP50N06 | TO-220 | Очень популярный аналог. | | International Rectifier | IRFZ44 (старый номер) | TO-220 | Предшественник от того же производителя. |

3. Функционально совместимые модели (для новых проектов): При разработке новых устройств часто выбирают более современные и эффективные модели:

• IRFZ44NS (Infineon) - В корпусе TO-220, улучшенные характеристики.
• AOD4184 (Alpha & Omega) - Аналог в TO-220 с очень низким Rds(on).
• IPP50N06S4-04 (Infineon) - Высокоэффективный транзистор в TO-220.
• Любой N-канальный MOSFET в корпусе TO-251/TO-252/TO-220 с Vds > 55В, Id > 5А, Logic Level и схожей цоколевкой.

Рекомендации по использованию и замене

1. Проверка цоколевки: Всегда сверяйтесь с даташитом перед заменой, особенно для аналогов от других производителей. Хотя для TO-251/TO-220/TO-252 цоколевка часто стандартная (G-D-S), бывают исключения.
2. Управление: Для надежного и быстрого переключения при частотах выше 1-5 кГц рекомендуется использовать драйвер MOSFET, даже несмотря на возможность управления от логического уровня.
3. Теплоотвод: Для работы на токах близких к максимальным обязательно использование радиатора.
4. Защита: В цепях с индуктивной нагрузкой (моторы, реле) необходимо предусматривать защитные элементы (обратные диоды, снабберы).

Данный транзистор остается отличным выбором для множества любительских и промышленных задач, где требуется простое и надежное управление высокой нагрузкой.