Infineon IRFD9120PBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET-транзистора Infineon IRFD9120PBF.

Общее описание

IRFD9120PBF — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по популярной технологии HEXFET от Infineon (ранее International Rectifier). Это мощный полевой транзистор, предназначенный для коммутации нагрузок в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, драйверах двигателей и других силовых приложениях. Его ключевые преимущества — высокое входное сопротивление, быстрая скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)).

Ключевая особенность — PBF в конце названия означает "Рос-Free" (не содержит свинца), что соответствует современным экологическим директивам (RoHS).

Основные технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | | | Корпус | TO-252 (DPAK) | Популярный корпус для поверхностного монтажа (SMD) с теплоотводящей площадкой. | | Полярность | Enhancement Mode (Обогащения) | Нормально закрыт, открывается при подаче положительного напряжения на затвор относительно истока. | | Сток-Исток (Drain-Source) напряжение (Vds) | -100 В | Обратите внимание на знак "минус" — в документации для P-канальных транзисторов часто указывают абсолютное значение. Это P-канальный транзистор. Важное уточнение! | | Сток (Drain) ток (Id) | -3.1 А при 25°C | Постоянный ток. Знак "минус" указывает на направление тока для P-канала. | | | -2.5 А при 100°C | | | Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) | 0.5 Ом (макс.) при Vgs = -10 В | Очень важный параметр, определяет потери на проводимость. | | | 0.7 Ом (макс.) при Vgs = -4.5 В | | | Напряжение затвор-исток (Vgs) | ±20 В (макс.) | Максимально допустимое напряжение на затворе. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | от -2 до -4 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться. | | Мощность рассеяния (Pd) | 20 Вт при 25°C | Зависит от условий теплоотвода. | | Заряд затвора (Qg) | 14 нКл (тип.) при Vgs = -10 В | Влияет на скорость переключения и требования к драйверу. | | Время включения (td(on)+tr) | 30 нс (тип.) | | | Время выключения (td(off)+tf) | 55 нс (тип.) | | | Диод сток-исток (Internal Diode) | Встроенный | Паразитный (body-diode), присутствует у всех MOSFET. Прямое напряжение Vsd = -1.3 В. |

Важное исправление: Исходный запрос содержал неточность. IRFD9120PBF — это P-канальный MOSFET (об этом говорит литера "9" в середине номера и отрицательные значения тока/напряжения в даташите). Он является комплементарной парой к популярному N-канальному IRFD120PBF.

Прямые аналоги и парт-номера (Part Numbers)

Эти транзисторы имеют идентичные или максимально близкие характеристики и корпус.

Прямые аналоги от Infineon/IR:

• IRFD9120 (устаревший вариант, может содержать свинец).
• IRF9Z10PBF — очень близкий аналог в корпусе TO-220.
• IRF9Z10NPBF — более современная версия с улучшенными параметрами.
• IRF7416PBF — более современный P-канальный MOSFET с лучшими характеристиками (ниже Rds(on)).

Аналоги от других производителей (Cross-Reference):

• STMicroelectronics: STP9PF10, STP9P10F6
• Vishay/Siliconix: SiHF9120-T1-GE3 (прямая замена), SUP75P10-10
• Fairchild/ON Semiconductor: FQP9P10 (в TO-220), NDP6020P (в другом корпусе, но с похожими характеристиками)
• IXYS: IXTP3P10P
• Nexperia: PMV65XP (более современная серия)

Совместимые и парные модели (Complementary Pairs)

Часто в схемах push-pull или мостовых преобразователях используются комплементарные пары N и P-канальных транзисторов.

• Прямая комплементарная пара (Classic Pair):

  • N-канал: IRFD120PBF (или IRF120, IRFZ120)
  • P-канал: IRFD9120PBF
  • Эти два транзистора исторически часто используются вместе.

• Более современные и эффективные пары:

  • N-канал: IRF7413QPbF / P-канал: IRF7416PBF (оба в корпусе DPAK, с очень низким Rds(on)).
  • N-канал: IRF7484PBF / P-канал: IRF7486PBF (Logic Level, открываются при низком напряжении на затворе).

Области применения (Типичные Use Cases)

1. Выходные каскады импульсных источников питания (SMPS).
2. Управление нагрузкой (High-Side Switch) с помощью P-канального ключа.
3. H-мосты (H-Bridge) для управления двигателями постоянного тока в паре с N-канальными MOSFET.
4. DC-DC преобразователи (например, синхронные понижающие).
5. Схемы инверторов и защитные цепи.

Важные замечания при замене

1. Корпус: Обращайте внимание на тип корпуса (DPAK/TO-252, TO-220, SO-8 и т.д.) для совместимости с печатной платой и теплоотводом.
2. Напряжения: Убедитесь, что максимальное напряжение Vds нового транзистора не ниже, чем у заменяемого.
3. Ток и Rds(on): Для повышения эффективности лучше выбирать аналог с более низким Rds(on) и/или большим допустимым током.
4. Пороговое напряжение (Vgs(th)): Особенно важно в схемах с логическим уровнем (Logic-Level).
5. Распиновка (Pinout): У разных корпусов и даже у разных производителей в одном корпусе расположение выводов (Gate, Drain, Source) может отличаться. Всегда проверяйте даташит!

Рекомендация: Перед заменой всегда сверяйтесь с актуальным даташитом (технической документацией) как на оригинальную деталь, так и на выбранный аналог.