Infineon IRFI730GPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFI730GPBF.

Описание

Infineon IRFI730GPBF — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный в популярном корпусе TO-220AB. Он принадлежит к семейству HEXFET® от Infineon (ранее International Rectifier), известному своей высокой эффективностью и надежностью.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая коммутационная способность: Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (Rds(on)) и быстрому переключению, транзистор эффективно работает в импульсных схемах.
• Мощность и ток: Рассчитан на значительные токи (до 11.5A непрерывного тока стока) и напряжение 400V, что делает его пригодным для силовых приложений средней и высокой мощности.
• Улучшенная устойчивость к перегрузкам: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям (Avalanche Rated), что повышает надежность в условиях выбросов напряжения и индуктивных нагрузок.
• Прямая совместимость по выводам: Стандартное расположение выводов (затвор-сток-исток) обеспечивает простую замену аналогов.
• Основные области применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • DC-DC преобразователи
  • Управление двигателями (H-мосты, приводы)
  • Инверторы (например, для UPS)
  • Силовые ключи в аудиоусилителях класса D

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220AB | Пластиковый, с возможностью крепления на радиатор | | Напряжение "сток-исток" (Vdss) | 400 В | Максимальное напряжение отключения | | Непрерывный ток стока (Id @ 25°C) | 11.5 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток стока импульсный (Idm) | 46 А | Максимальный пиковый ток | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 0.18 Ом | Типовое значение при Vgs=10V, Id=5.8A | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | Типовое 3.0 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 65 нКл | Общий заряд, влияет на драйвер управления | | Мощность рассеяния (Pd) | 74 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Диод "сток-исток" (Body Diode) | Встроенный | Параметры: Vsd ~ 1.3V, trr ~ 220 нс | | Рабочая температура перехода (Tj) | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

1. Прямые аналоги от Infineon (включая более новые серии):

Эти модели имеют идентичные или улучшенные характеристики и полностью взаимозаменяемы по выводам и основным параметрам.

• IRFI730G (основной номер без суффикса упаковки)
• IRFI730GPBF (PBF = без свинца, RoHS-совместимый)
• IRFI730GTRPBF (TR = в катушке/ленте для автоматического монтажа)
• IRFI730G-117 (возможный внутренний или альтернативный код)
• IRFI730G-117PBF

2. Совместимые модели от других производителей (функциональные аналоги):

Эти транзисторы имеют схожие ключевые параметры (400В, ~10А, низкое Rds(on)), но перед заменой необходимо сверять распиновку и datasheet, особенно по заряду затвора (Qg) и динамическим характеристикам.

• STMicroelectronics:
  • STP11NK40Z (400V, 11A, 0.22 Ом, TO-220)
  • STP10NK40ZFP (аналог в корпусе TO-220FP)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FQP11N40C (400V, 11A, 0.38 Ом, TO-220)
  • FQA11N40C
• Vishay / Siliconix:
  • IRF740B (400V, 10A, 0.55 Ом, TO-220) — более старое и менее эффективное решение
  • SUD11N40-50 (400V, 11A, 0.5 Ом, TO-220)
• IXYS:
  • IXFH11N40P (400V, 11A, 0.45 Ом, TO-220)

3. Ключевые параметры для поиска аналога:

При подборе замены ориентируйтесь на:

1. Напряжение Vdss: ≥ 400 В.
2. Ток Id: ≥ 10-12 А.
3. Сопротивление Rds(on): Чем ниже, тем лучше (желательно ≤ 0.3 Ом при Vgs=10V).
4. Корпус: TO-220 (или его SMD-версии, например, D²PAK/TO-263, если позволяет место и теплоотвод).
5. Заряд затвора (Qg): Для сохранения частоты переключения и нагрузки на драйвер.

Важное примечание:

Перед заменой IRFI730GPBF на аналог обязательно сверьтесь с даташитом (datasheet) конкретной модели, особенно разделы с распиновкой (Pinout), максимальными рабочими температурами и динамическими характеристиками (Ciss, Coss, Crss, Qg), которые критичны для работы в высокочастотных импульсных схемах.