Infineon IRFI7536GPBF

Отличный выбор! IRFI7536GPBF — это мощный и надежный MOSFET-транзистор от Infineon Technologies, широко используемый в силовой электронике.

Описание и основные особенности

IRFI7536GPBF — это N-канальный MOSFET, выполненный в популярном корпусе TO-220AB. Он принадлежит к семейству HEXFET®, которое известно высокой эффективностью и надежностью.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая мощность и ток: Способен коммутировать большие токи (до 195А импульсно), что делает его идеальным для мощных нагрузок.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 1.8 мОм при 10В. Это минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии, повышая общий КПД системы.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET, обладает высокой скоростью переключения, что важно для импульсных схем.
• Повышенная надежность: Имеет повышенную стойкость к лавинным breakdown (Avalanche Rated), что повышает надежность в условиях выбросов напряжения.
• Широкий спектр применений:
  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Мостовые схемы и H-мосты (например, для управления двигателями)
  • DC-DC преобразователи
  • Управление мощными нагрузками (соленоиды, лампы, нагреватели)
  • Инверторы и сварочное оборудование

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (HEXFET) | Enhancement Mode | | Корпус | TO-220AB | Пластиковый, с отверстием для крепления на радиатор | | Сток-Исток напряжение (Vdss) | 60 В | Максимальное напряжение | | Непрерывный ток стока (Id) | 130 А | При Tc=25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 195 А | — | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.8 мОм (макс.) | Vgs=10В, Id=75А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 2.0 - 4.0 В | — | | Заряд затвора (Qg) | ~ 235 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 330 Вт | При Tc=25°C (с радиатором!) | | Диод сток-исток | Встроенный обратный диод (Body Diode) | — |

Важное примечание: Для работы на высоких токах обязательно требуется эффективный теплоотвод (радиатор). Без него транзистор быстро перегреется и выйдет из строя.

Парт-номера и прямые аналоги

Этот транзистор имеет несколько вариантов обозначений в зависимости от упаковки и маркировки. Прямые аналоги от Infineon:

• IRFI7536G — базовая часть номера.
• IRFI7536GPBF — "PBF" означает РоВ-Free (без свинца), соответствует требованиям RoHS. Это наиболее распространенная версия.
• IRFI7536 — устаревшее обозначение, может содержать свинец.

Совместимые модели и аналоги от других производителей

При поиске замены или аналога важно сравнивать ключевые параметры: Vdss, Id, Rds(on), корпус и заряд затвора (Qg).

Близкие аналоги от других брендов (все в корпусе TO-220):

1. International Rectifier (ныне Infineon):

   • IRF3205 — классический и очень популярный аналог, но с более высоким Rds(on) = 8.0 мОм и током 110А. Менее эффективен, но часто используется как замена в менее требовательных схемах.
   • IRF1405 — 55В, 169А, Rds(on) = 5.3 мОм. Близок по току, но ниже по напряжению.

2. STMicroelectronics:

   • STP140N6F7 — 60В, 140А, Rds(on) = 1.7 мОм. Почти полный аналог по характеристикам.
   • STP110N6F7 — 60В, 110А, Rds(on) = 2.3 мОм.

3. Vishay / Siliconix:

   • SUD50N06-09 — 60В, 50А, Rds(on) = 9.0 мОм. Слабее по току.
   • SQJ410EP — 60В, 120А, Rds(on) = 2.1 мОм (в корпусе TO-263, но электрически совместим).

4. Fairchild / ON Semiconductor:

   • FDP047N08 — 80В, 118А, Rds(on) = 4.7 мОм. Более высокое напряжение.
   • NTD110N06 — 60В, 110А, Rds(on) = 3.5 мОм.

Рекомендация по замене:

• Для прямой замены с сохранением характеристик лучше всего подходит STP140N6F7 от STMicroelectronics.
• Если ключевой параметр — минимальные потери (Rds(on)), нужно искать модель со значением не более 1.8-2.0 мОм при 10В.
• Перед заменой всегда проверяйте распиновку (pinout) и параметры драйвера затвора (особенно заряд Qg), так как они могут отличаться и потребовать корректировки схемы управления.

При выборе аналога всегда сверяйтесь с официальными даташитами (datasheet) обоих компонентов.