Infineon IRFP044NPBF

Отличный выбор! Infineon IRFP044NPBF — это классический и очень популярный N-канальный MOSFET, известный своей надежностью и хорошим балансом характеристик.

Описание

IRFP044NPBF — это мощный полевой транзистор (MOSFET) с изолированным затвором, выполненный по передовой технологии HEXFET от Infineon. Ключевые особенности, определившие его популярность:

• Технология HEXFET: Обеспечивает низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери на проводимость и нагрев.
• Высокая коммутируемая мощность: Предназначен для управления большими токами и напряжениями, что делает его идеальным для силовых приложений.
• Быстрое переключение: Благодаря низким емкостям затвора, подходит для импульсных схем с частотой до нескольких десятков кГц.
• Повышенная надежность: Имеет большой запас по току и напряжению, устойчив к лавинным пробоям, что обеспечивает долгий срок службы в реальных условиях.
• Корпус TO-247: Классический, удобный для монтажа корпус с хорошими тепловыми характеристиками. Позволяет легко устанавливать на радиатор.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Низкочастотные инверторы и преобразователи напряжения
• Управление двигателями (например, в станках, электромобилях)
• Силовые ключи в усилителях класса D
• Системы управления нагрузкой (соленоиды, нагреватели)

Технические характеристики (основные)

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET (HEXFET)
• Корпус: TO-247
• Сток-исток напряжение (Vdss): 55 В
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 170 А
• Импульсный ток стока (Idm): 680 А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)):
  • Макс. при Vgs = 10 В: 3.3 мОм
  • Тип. при Vgs = 10 В: 2.7 мОм
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2 – 4 В
• Емкость затвора (Ciss): ~ 5200 пФ
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) при 25°C: 330 Вт (с идеальным теплоотводом)
• Температура перехода (Tj): от -55 до +175 °C

Важное примечание: Работа на максимальных токах и мощности возможна ТОЛЬКО при обеспечении эффективного охлаждения (радиатор, возможно принудительное обдув). Реальные рабочие токи в непрерывном режиме редко превышают 50-100 А.

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Этот транзистор имеет несколько обозначений, а также множество прямых и функциональных аналогов от других производителей.

Прямые аналоги (совместимые по выводам и основным параметрам):

• International Rectifier (ныне Infineon): IRFP044N, IRFP044 (устаревшие версии)
• Vishay / Siliconix: SUP70N06-08 (очень близкий аналог, 60В, 70А, 8 мОм), IRFP064N (более мощный, но тоже 55В)
• Fairchild / ON Semiconductor: FDP047N08 (80В, 130А, 4.7 мОм), FDP044N06 (60В, 130А, 4.4 мОм)
• STMicroelectronics: STP160N55F6 (более современный, 55В, 160А, 1.6 мОм) — значительно лучше по Rds(on).
• IXYS: IXFH170N55 (55В, 170А, 2.8 мОм)

Функциональные аналоги (с близкими параметрами, но требующие проверки распиновки и характеристик):

• IRFP250N / IRFP260N / IRFP2907: Имеют более высокое напряжение (200В, 250В), но часто используются в схожих схемах инверторов. При напряжениях ниже 55В у них выше Rds(on).
• IRFP1404 / IRFP1405: Более современные модели с лучшими характеристиками (меньшим Rds(on)).
• Аналоги от производителей в Китае: Многие компании (например, HUASHUO, JCST) выпускают клоны под маркировкой IRFP044N. Их качество может сильно варьироваться, и они часто не соответствуют заявленным максимальным параметрам. Использовать с осторожностью.

Рекомендации по замене

1. Прямая замена: Лучше всего искать оригинальный IRFP044NPBF от Infineon или его прямые аналоги от Vishay/Siliconix.
2. Модернизация: Если важна эффективность (меньший нагрев), стоит рассмотреть более современные аналоги, такие как STP160N55F6 (ST) или IRFP1404 (Infineon), у которых сопротивление Rds(on) в 2-3 раза ниже.
3. При замене всегда проверяйте:
   • Распиновку корпуса (TO-247 стандартен).
   • Напряжение Vdss (должно быть не ниже).
   • Ток Id (желательно не ниже).
   • Ключевой параметр — Rds(on) (чем меньше, тем лучше).
   • Емкость затвора (Ciss) — если важна скорость переключения.

Итог: IRFP044NPBF — проверенная временем, "рабочая лошадка" в мире силовых MOSFET. Он отлично подходит для множества силовых и импульсных применений, где требуется управление большими токами при напряжениях до 55В. При выборе аналога обращайте внимание на реальные, а не только максимальные параметры.