Infineon IRFP260NPBF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация по совместимости для мощного MOSFET-транзистора Infineon IRFP260NPBF.

Описание

IRFP260NPBF — это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии HEXFET. Это один из самых популярных и надежных "рабочих лошадок" в своем классе, предназначенный для управления высокими токами и напряжениями.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая мощность: Предназначен для приложений, где требуются большие токи (до 50А непрерывно) и напряжение (до 200В).
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 40 мОм (макс. при Vgs=10В) обеспечивает минимальные потери на проводимость и высокий КПД, что снижает нагрев.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии HEXFET, обладает высокой скоростью переключения, что делает его пригодным для импульсных преобразователей.
• Высокая стойкость к перегрузкам: Рейтинг импульсного тока (I_pulse) до 200А.
• Парный корпус TO-247AC: Стандартный и удобный для монтажа корпус с хорошими тепловыми характеристиками. Буква "PBF" означает "без свинца" (RoHS-совместимый).

Типичные области применения:

• Силовые инверторы и UPS (источники бесперебойного питания)
• Импульсные источники питания (SMPS), особенно в силовой части
• Усилители класса D и другое мощное аудиооборудование
• Контроллеры двигателей (например, для электромобилей, промышленных приводов)
• Сварочное оборудование
• Индукционные нагреватели

Основные технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при T=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "Сток-Исток" | Vdss | 200 В | Максимальное напряжение | | Непрерывный ток стока | Id @ 25°C | 50 А | При температуре корпуса 25°C | | Непрерывный ток стока | Id @ 100°C | 38 А | При температуре корпуса 100°C | | Импульсный ток стока | Idm | 200 А | Максимальный кратковременный ток | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) | 40 мОм (макс.) | Ключевой параметр, Vgs=10В | | | | 55 мОм (макс.) | Vgs=4.5В | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 2.0 - 4.0 В | Тип. 3.0 В | | Общий заряд затвора | Qg | 380 нКл (тип.) | Влияет на требования к драйверу | | Время включения / выключения | tr / tf | 78 нс / 42 нс (тип.) | | | Максимальная рассеиваемая мощность | Pd | 300 Вт | При бесконечном радиаторе (Tcase=25°C) | | Температура перехода | Tj | от -55 до +175 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC | 0.45 °C/Вт | Чем меньше, тем лучше |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги

Важно: Прямые аналоги должны совпадать по ключевым параметрам (Vdss, Id, Rds(on), корпус) и иметь схожую цоколевку.

1. Прямые аналоги от Infineon и International Rectifier (IR):

• IRFP260N (устаревшая версия, может содержать свинец) - предшественник IRFP260NPBF.
• IRFP260NPBF - актуальная, RoHS-совместимая версия.
• IRFP260NSTRLPBF / IRFP260NPBF-ND - варианты маркировки для разных дистрибьюторов (Digi-Key и т.д.).

2. Совместимые модели от других производителей (Кросс-референс):

При замене рекомендуется сверяться с даташитом конкретного аналога.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание (возможные отличия) | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STW75N20 | Очень близкий аналог, 200В / 75А / 25 мОм (лучше). Часто используется как upgrade. | | Vishay / Siliconix | SUP75N20-18 | 200В / 75А / 18 мОм (лучше). | | ON Semiconductor | FDP61N20 | 200В / 61А / 29 мОм (лучше). | | Fairchild (ON) | FQA55N20 | 200В / 55А / 45 мОм. | | IXYS | IXFH50N20 | 200В / 50А / 40 мОм. | | Toshiba | TK50A20U | 200В / 50А / 40 мОм. |

3. Модели в схожих корпусах и с близкими параметрами (для замены в схемах):

• Более мощные (меньше Rds(on)): IRFP250N (200В, 30А, 75 мОм), IRFP4668PBF (200В, 130А, 13 мОм - значительно мощнее).
• На большее напряжение: IRFP460 (500В, 20А, 27 мОм) - для сетевых инверторов 220В.
• На меньшее напряжение, но с лучшими параметрами: Для низковольтных ШИМ (12-48В) можно рассмотреть транзисторы на 60-100В с меньшим Rds(on), например, IRFP1404 (40В, 202А, 4 мОм).

Ключевые рекомендации по применению и замене:

1. Драйвер затвора: Из-за высокой емкости затвора (Qg ~380 нКл) обязательно需要使用 мощного драйвера затвора (например, IR2110, IRS21844, специализированные драйверы от TI/Microchip), способного выдавать импульсный ток 1-2А и более для быстрого переключения.
2. Охлаждение: При работе на высоких токах необходим массивный радиатор. Мощность рассеивания 300Вт — это идеализированный параметр. Реальная рассеиваемая мощность рассчитывается как P = I² * Rds(on).
3. Защита: Рекомендуется использовать снабберные цепи (RC, RCD) для подавления выбросов напряжения на индуктивной нагрузке.
4. При замене аналогом: Всегда проверяйте распиновку (pinout). Хотя у TO-247 она часто стандартна (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), бывают исключения. Сравнивайте динамические характеристики (Qg, tr/tf) и паразитные емкости (Ciss, Coss, Crss), если схема высокочастотная.

Вывод: Infineon IRFP260NPBF — это проверенный временем, мощный и надежный MOSFET, являющийся отраслевым стандартом для множества силовых приложений. При необходимости замены существует широкий выбор прямых и улучшенных аналогов от других ведущих производителей.